Os semicondutores de potência elevam as coisas. Em vez de silício, é usado nitreto de gálio (GaN). Os inversores e fontes de alimentação GaN operam com até 99% de eficiência, proporcionando a mais alta eficiência aos sistemas de energia, desde usinas de energia até sistemas de armazenamento e utilização de eletricidade. Os líderes do novo mercado são empresas dos EUA, Europa e Japão. Agora para esta área a primeira empresa da China.
Recentemente, o fabricante chinês de gadgets ROCK lançou o primeiro carregador que suporta carregamento rápido em um “chip chinês”. A solução geralmente convencional é baseada no conjunto de energia GaN da série InnoGaN da Inno Science. O chip é fabricado no formato padrão DFN 8x8 para fontes de alimentação compactas.
O carregador ROCK 2C1AGaN de 65W é mais compacto e funcional que o carregador PD de 61W da Apple (comparação na foto acima). O carregador chinês pode carregar simultaneamente três dispositivos por meio de duas interfaces USB Tipo C e uma USB Tipo A. No futuro, a ROCK planeja lançar versões de carregadores rápidos com potência de 100 e 120 W em conjuntos GaN chineses. Além dele, cerca de 10 outros fabricantes chineses de carregadores e fontes de alimentação cooperam com o fabricante de elementos de energia GaN, Inno Science.
A investigação das empresas chinesas e, em particular, da empresa Inno Science na área dos componentes de energia GaN pretende levar à independência da China de fornecedores estrangeiros de soluções semelhantes. A Inno Science possui centro de desenvolvimento e laboratório próprios para um ciclo completo de soluções de teste. Mas o mais importante é que possui duas linhas de produção para produzir soluções de GaN em wafers de 200 mm. Para o mundo e até para o mercado chinês, isto é uma gota no oceano. Mas você tem que começar de algum lugar.
Fonte: 3dnews.ru