A Samsung Electronics, como parte da GPU Technology Conference, apresentou novas pilhas de memória de alta largura de banda (High Bandwidth Memory, HBM), que chamou de Flashbolt. Eles pertencem ao tipo de memória HBM2E e, na verdade, são uma versão melhorada e mais rápida da memória HBM2 atual.
Estas são consideradas as primeiras pilhas do tipo HBM2E a fornecer 3,2 Gbps de taxa de transferência por pino, o que é 33% maior que a taxa de transferência máxima dos chips HBM2 convencionais. Além disso, o novo tipo de memória tem o dobro da capacidade, que é de 16 Gbit por chip. Uma pilha de memória HBM2E inclui oito chips, de modo que a capacidade total atinge impressionantes 16 GB. Por sua vez, o rendimento de uma única pilha Flashbolt pode atingir impressionantes 410 GB/s. Esse alto desempenho torna a nova memória uma excelente solução tanto para computação de alto desempenho quanto para aceleradores gráficos poderosos.
Como a própria Samsung observa, a memória Flashbolt tem o melhor desempenho do setor e permitirá a criação de soluções aprimoradas para centros de dados Aplicações de IA, aprendizado de máquina e gráficos de última geração. A Samsung continuará expandindo seu portfólio de DRAM premium e aprimorando seus produtos de memória de alto desempenho, alta capacidade e baixo consumo de energia para atender à demanda do mercado.
Fonte: 3dnews.ru
