{"id":55070,"date":"2020-01-11T00:00:00","date_gmt":"2020-01-10T21:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/blog_prohoster\/istoriya-tranzistora-chast-2-iz-gornila-vojny"},"modified":"2020-02-18T14:03:09","modified_gmt":"2020-02-18T11:03:09","slug":"istoriya-tranzistora-chast-2-iz-gornila-vojny","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/pt\/blog\/administrirovanie\/istoriya-tranzistora-chast-2-iz-gornila-vojny","title":{"rendered":"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/cff070a7b083f5b3945308e20ef9789d.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<br \/>\n<b class=\"spoiler_title\">Outros artigos da s\u00e9rie:<\/b><\/p>\n<ul>\n<li>A Hist\u00f3ria do Rel\u00e9\n<ul>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/404373\/\">O M\u00e9todo de 'Transmiss\u00e3o R\u00e1pida de Dados', ou o Nascimento do Rel\u00e9<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/404475\/\">Tel\u00e9grafo<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/370545\/\">Galvanismo<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/404657\/\">Empreendedores<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/404723\/\">E aqui est\u00e1, finalmente, o rel\u00e9<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/404889\/\">Tel\u00e9grafo Falante<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/405025\/\">Basta Conectar<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/mailru\/blog\/370471\/\">Gera\u00e7\u00e3o esquecida de computadores rel\u00e9s<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/405207\/\">Era Eletr\u00f4nica<\/a><\/noindex><\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li>Hist\u00f3ria dos Computadores Eletr\u00f4nicos\n<ul>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/408611\/\">Pr\u00f3logo<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/374043\/\">Colosso<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/408597\/\">ENIAC <\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/447916\/\">Revolu\u00e7\u00e3o Eletr\u00f4nica<\/a><\/noindex><\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li>Hist\u00f3ria do Transistor\n<ul>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/448238\/\">Tateando na Escurid\u00e3o<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/448576\/\">Do Cadinho da Guerra<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/448576\/\"><\/a><\/noindex><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/449760\/\">Reinven\u00e7\u00e3o M\u00faltipla<\/a><\/noindex><\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li>Hist\u00f3ria da Internet\n<ul>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/450168\/\">Rede de Suporte<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/450522\/\">Desintegra\u00e7\u00e3o, parte 1<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/451606\/\">Desintegra\u00e7\u00e3o, parte 2<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/452030\/\">Abrindo a Interatividade<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/453154\/\">Expandindo a Interatividade<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/456200\/\">ARPANET \u2014 O Nascimento<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/457256\/\">ARPANET \u2014 Pacote<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/461177\/\">ARPANET \u2014 Subrede<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/472582\/\">Computador como Dispositivo de Comunica\u00e7\u00e3o<\/a><\/noindex><\/li>\n<li><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/483366\/\">Hist\u00f3ria da Internet: Interconex\u00e3o de Redes<\/a><\/noindex><\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nO forno da guerra preparou o terreno para o surgimento do transistor. De 1939 a 1945, o conhecimento t\u00e9cnico na \u00e1rea de semicondutores cresceu incrivelmente. E havia uma raz\u00e3o simples para isso: o radar. A tecnologia mais importante da guerra, entre os exemplos de aplica\u00e7\u00e3o est\u00e3o: detec\u00e7\u00e3o de ataques a\u00e9reos, localiza\u00e7\u00e3o de submarinos, direcionamento de ataques a\u00e9reos noturnos a alvos, e orienta\u00e7\u00e3o de sistemas de defesa a\u00e9rea e armas navais. Os engenheiros at\u00e9 aprenderam a instalar pequenos radares em proj\u00e9teis de artilharia, para que explodissem ao passar perto do alvo \u2013 <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A0%D0%B0%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B2%D0%B7%D1%80%D1%8B%D0%B2%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C\">detonadores de r\u00e1dio<\/a><\/noindex>. No entanto, a origem dessa nova poderosa tecnologia militar estava em uma \u00e1rea mais pac\u00edfica: o estudo das camadas superiores da atmosfera para fins cient\u00edficos.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><\/p>\n<h2>Radar<\/h2>\n<p>\nEm 1901, a empresa 'Tel\u00e9grafo Sem Fio Marconi' transmitiu com sucesso uma mensagem sem fio atrav\u00e9s do Atl\u00e2ntico, de Cornwall para Newfoundland. Este fato deixou a ci\u00eancia moderna perplexa. Se as transmiss\u00f5es de r\u00e1dio se movem em linha reta (como deveria), tal transmiss\u00e3o deveria ser imposs\u00edvel. Entre a Inglaterra e o Canad\u00e1 n\u00e3o existe linha de vis\u00e3o direta que n\u00e3o atravesse a Terra, portanto a mensagem de Marconi deveria ter ido para o espa\u00e7o. O engenheiro americano Arthur Kennelly e o f\u00edsico brit\u00e2nico Oliver Heaviside supuseram simultaneamente e de forma independente que a explica\u00e7\u00e3o desse fen\u00f4meno deveria estar relacionada a uma camada de g\u00e1s ionizado nas camadas superiores da atmosfera, capaz de refletir as ondas de r\u00e1dio de volta \u00e0 Terra (Marconi acreditava que as ondas de r\u00e1dio seguiam a curvatura da superf\u00edcie da Terra, mas os f\u00edsicos n\u00e3o o apoiaram).<\/p>\n<p>Na d\u00e9cada de 1920, os cientistas desenvolveram novos equipamentos que permitiram primeiro provar a exist\u00eancia da ionosfera e depois estudar sua estrutura. Eles usaram v\u00e1lvulas eletr\u00f4nicas para gerar pulsos de r\u00e1dio de ondas curtas, antenas direcionadas para envi\u00e1-los para cima na atmosfera e registrar os ecos, e <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE-%D0%BB%D1%83%D1%87%D0%B5%D0%B2%D1%8B%D0%B5_%D0%BF%D1%80%D0%B8%D0%B1%D0%BE%D1%80%D1%8B\">dispositivos de feixe eletr\u00f4nico<\/a><\/noindex> para demonstrar os resultados. Quanto maior o atraso no retorno do eco, mais distante deveria estar a ionosfera. Essa tecnologia foi denominada sondagem atmosf\u00e9rica e forneceu a infraestrutura t\u00e9cnica b\u00e1sica para a cria\u00e7\u00e3o do radar (o pr\u00f3prio termo 'radar', de RAdio Detection And Ranging, surgiu apenas na d\u00e9cada de 1940 na Marinha dos EUA).<\/p>\n<p>O fato de que pessoas com o conhecimento, recursos e motiva\u00e7\u00e3o adequados perceberam o potencial de aplica\u00e7\u00e3o terrestre desse equipamento era apenas uma quest\u00e3o de tempo (dessa forma, a hist\u00f3ria do radar \u00e9 oposta \u00e0 do telesc\u00f3pio, que inicialmente foi projetado para uso terrestre). E a probabilidade desse momento de ilumina\u00e7\u00e3o aumentava \u00e0 medida que o r\u00e1dio se espalhava cada vez mais pelo planeta, e mais pessoas notavam as interfer\u00eancias provenientes de navios, avi\u00f5es e outros grandes objetos nas proximidades. O conhecimento na \u00e1rea de tecnologias de sondagem das camadas superiores da atmosfera se disseminou durante o segundo <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%9C%D0%B5%D0%B6%D0%B4%D1%83%D0%BD%D0%B0%D1%80%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%80%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B3%D0%BE%D0%B4\">Ano Polar Internacional<\/a><\/noindex> (1932-1933), quando cientistas de v\u00e1rias esta\u00e7\u00f5es \u00e1rticas mapearam a ionosfera. Logo depois, equipes na Gr\u00e3-Bretanha, EUA, Alemanha, It\u00e1lia, URSS e outros pa\u00edses desenvolveram seus primeiros sistemas de radar simples.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/a85e0d4cec7bba6ab1fea42422b906b0.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A3%D0%BE%D1%82%D1%81%D0%BE%D0%BD-%D0%A3%D0%BE%D1%82%D1%82,_%D0%A0%D0%BE%D0%B1%D0%B5%D1%80%D1%82\">Robert Watson-Watt<\/a><\/noindex> com seu radar de 1935<\/i><\/p>\n<p>Ent\u00e3o, a guerra aconteceu, e a import\u00e2ncia dos radares para os pa\u00edses \u2013 e os recursos para seu desenvolvimento \u2013 aumentou drasticamente. Nos EUA, essas recursos se concentraram em uma nova organiza\u00e7\u00e3o, fundada em 1940 no MIT, conhecida como <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/MIT_Radiation_Laboratory\">Rad Lab<\/a><\/noindex> (esse nome foi escolhido intencionalmente para enganar espi\u00f5es estrangeiros e criar a impress\u00e3o de que na laborat\u00f3rio estavam estudando radioatividade \u2013 na \u00e9poca, poucas pessoas acreditavam nas bombas at\u00f4micas). O projeto Rad Lab, que n\u00e3o se destacou tanto quanto o Projeto Manhattan, ainda assim atraiu f\u00edsicos igualmente not\u00e1veis e talentosos de todo os EUA. Cinco dos primeiros funcion\u00e1rios do laborat\u00f3rio (incluindo <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%90%D0%BB%D1%8C%D0%B2%D0%B0%D1%80%D0%B5%D1%81,_%D0%9B%D1%83%D0%B8%D1%81\">Luis Alvarez<\/a><\/noindex> e <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A0%D0%B0%D0%B1%D0%B8,_%D0%98%D1%81%D0%B8%D0%B4%D0%BE%D1%80_%D0%90%D0%B9%D0%B7%D0%B5%D0%BA\">Isidor Isaac Rabi<\/a><\/noindex>) acabaram recebendo Pr\u00eamios Nobel. No final da guerra, cerca de 500 doutores, cientistas e engenheiros trabalhavam no laborat\u00f3rio, enquanto um total de 4.000 pessoas estavam empregadas. Quinhentos mil d\u00f3lares \u2013 o que \u00e9 compar\u00e1vel ao or\u00e7amento total para a cria\u00e7\u00e3o do ENIAC \u2013 foram gastos apenas na publica\u00e7\u00e3o da Radiation Laboratory Series, uma s\u00e9rie de vinte e sete volumes que descreveu todo o conhecimento adquirido no laborat\u00f3rio durante a guerra (as despesas do governo dos EUA em tecnologias de radar n\u00e3o se limitavam ao or\u00e7amento do Rad Lab; durante a guerra, o governo adquiriu radares no valor de tr\u00eas bilh\u00f5es de d\u00f3lares).<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/71dd40bc59a59a891eba0a244d94fdbc.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Edif\u00edcio 20 do MIT, onde estava localizado o Rad Lab<\/i><\/p>\n<p>Uma das principais \u00e1reas de pesquisa do Rad Lab foi o radar de alta frequ\u00eancia. Os primeiros radares usavam ondas com comprimentos medidos em metros. Mas os feixes de frequ\u00eancia mais alta, cujos comprimentos de onda eram medidos em cent\u00edmetros \u2013 micro-ondas \u2013 permitiram o uso de antenas mais compactas e se dispersavam menos a longas dist\u00e2ncias, o que prometia grandes vantagens em alcance e precis\u00e3o. Os radares de micro-ondas poderiam caber na ponta de um avi\u00e3o e detectar objetos do tamanho de um perisc\u00f3pio de submarino.<\/p>\n<p>A equipe de f\u00edsicos brit\u00e2nicos da Universidade de Birmingham foi a primeira a resolver essa tarefa. Em 1940, eles desenvolveram \u201c<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%9C%D0%B0%D0%B3%D0%BD%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD\">magnetron ressonante<\/a><\/noindex>\u201d, que funcionava como um \u201capito\u201d eletromagn\u00e9tico, transformando um impulso el\u00e9trico aleat\u00f3rio em um poderoso e ajustado feixe de micro-ondas. Este transmissor de micro-ondas foi mil vezes mais poderoso em compara\u00e7\u00e3o ao concorrente mais pr\u00f3ximo; ele abriu caminho para a cria\u00e7\u00e3o de transmissores de radar de alta frequ\u00eancia pr\u00e1ticos. No entanto, ele precisava de um parceiro, um receptor capaz de registrar altas frequ\u00eancias. E \u00e9 aqui que voltamos \u00e0 hist\u00f3ria dos semicondutores.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/13f66e3564bea4c6795a774ef2412e99.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Corte do magnetron<\/i><\/p>\n<h2>A segunda vinda do cabelo de gato<\/h2>\n<p>\nDescobriu-se que as v\u00e1lvulas eletr\u00f4nicas n\u00e3o eram adequadas para receber sinais de radar de micro-ondas. A lacuna entre o c\u00e1todo quente e o \u00e2nodo frio cria capacit\u00e2ncia, fazendo com que o circuito n\u00e3o funcione em altas frequ\u00eancias. A melhor tecnologia dispon\u00edvel para radares de alta frequ\u00eancia era o antigo \u201c<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/448238\/\">cabelo de gato<\/a><\/noindex>\u201d \u2013 um pequeno trecho de fio pressionado contra um cristal semicondutor. Isso foi descoberto de forma independente por v\u00e1rias pessoas, mas a parte mais relevante para a nossa hist\u00f3ria ocorreu em Nova Jersey.<\/p>\n<p>Em 1938, os laborat\u00f3rios Bell assinaram um contrato com a marinha para desenvolver um radar de controle de fogo com uma faixa de 40 cm - isso era muito mais curto e, portanto, mais frequente do que os radares existentes na \u00e9poca anterior aos magnetrons ressonantes. O principal trabalho de pesquisa foi designado para uma divis\u00e3o dos laborat\u00f3rios em Holmdel, ao sul de Staten Island. N\u00e3o levou muito tempo para os pesquisadores perceberem o que precisavam para um receptor de alta frequ\u00eancia, e logo o engenheiro George Southworth estava vasculhando lojas de eletr\u00f4nicos em Manhattan em busca de antigos detectores de 'bigode de gato'. Como esperado, ele funcionava muito melhor do que o detector a v\u00e1lvulas, mas operava de forma inst\u00e1vel. Portanto, Southworth localizou um electroqu\u00edmico chamado Russell Ohl e pediu que ele tentasse melhorar a homogeneidade da resposta do detector cristalino de ponto \u00fanico.<\/p>\n<p>Ohl era uma pessoa bastante peculiar, que considerava o desenvolvimento da tecnologia como seu destino e falava sobre crises de inspira\u00e7\u00e3o com vis\u00f5es do futuro. Por exemplo, ele afirmava que j\u00e1 em 1939 sabia sobre a futura inven\u00e7\u00e3o do amplificador de sil\u00edcio, mas que o destino estava reservado para que outra pessoa o inventasse. Ap\u00f3s estudar dezenas de op\u00e7\u00f5es, ele decidiu pelo sil\u00edcio como o melhor material para os receptores de Southworth. O problema estava em controlar o conte\u00fado do material para gerenciar suas propriedades el\u00e9tricas. Naquela \u00e9poca, os lingotes de sil\u00edcio eram amplamente utilizados na ind\u00fastria, sendo empregados em usinas sider\u00fargicas, mas em tal produ\u00e7\u00e3o ningu\u00e9m se preocupava, por exemplo, com o conte\u00fado de 1% de f\u00f3sforo no sil\u00edcio. Com a ajuda de alguns metal\u00fargicos, Ohl se prop\u00f4s a obter lingotes muito mais puros do que os que eram feitos anteriormente.<\/p>\n<p>Durante o trabalho, descobriram que alguns de seus cristais retificavam a corrente em uma dire\u00e7\u00e3o, enquanto outros o faziam na dire\u00e7\u00e3o oposta. Eles os nomearam de 'tipo n' e 'tipo p'. An\u00e1lises posteriores mostraram que diferentes tipos de impurezas eram respons\u00e1veis por esses tipos. O sil\u00edcio est\u00e1 no quarto grupo da tabela peri\u00f3dica de Mendeleev, o que significa que possui quatro el\u00e9trons na camada externa. Em uma barra de sil\u00edcio puro, cada um desses el\u00e9trons se uniria ao seu vizinho. Impurezas do terceiro grupo, como o boro, que possui um el\u00e9tron a menos, criavam uma 'lacuna', um espa\u00e7o extra para o movimento da corrente no cristal. Como resultado, obtinha-se um semicondutor do tipo p (com excesso de cargas positivas). Elementos do quinto grupo, como o f\u00f3sforo, forneciam el\u00e9trons livres adicionais para a condu\u00e7\u00e3o de corrente, resultando em um semicondutor do tipo n.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/065eeabf6c247a41cfb05093bf8d3a64.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Estrutura cristalina do sil\u00edcio<\/i><\/p>\n<p>Todas essas pesquisas foram muito interessantes, no entanto, em 1940, Southworth e Ohl n\u00e3o haviam se aproximado da cria\u00e7\u00e3o de um prot\u00f3tipo funcional de radar de alta frequ\u00eancia. O governo brit\u00e2nico exigia resultados pr\u00e1ticos imediatos devido \u00e0 amea\u00e7a iminente da Luftwaffe, que j\u00e1 havia desenvolvido detectores de micro-ondas prontos para produ\u00e7\u00e3o, funcionando em conjunto com transmissores magnetron.<\/p>\n<p>No entanto, em breve, o equil\u00edbrio das conquistas t\u00e9cnicas inclinou-se para o lado ocidental do Atl\u00e2ntico. Churchill decidiu revelar todos os segredos t\u00e9cnicos da Gr\u00e3-Bretanha aos americanos antes mesmo de entrar de fato na guerra (uma vez que, segundo ele, isso deveria acontecer de qualquer forma). Ele acreditava que valia a pena arriscar uma fuga de informa\u00e7\u00f5es, uma vez que toda a capacidade industrial dos EUA seria direcionada para resolver desafios como armas nucleares e radares. A miss\u00e3o cient\u00edfica e tecnol\u00f3gica brit\u00e2nica (mais conhecida como <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Tizard_Mission\">miss\u00e3o Tizard<\/a><\/noindex>) chegou a Washington em setembro de 1940 e trouxe em sua bagagem um presente na forma de maravilhas t\u00e9cnicas.<\/p>\n<p>A revela\u00e7\u00e3o do incr\u00edvel poder do magnetron ressonante e a efici\u00eancia dos detectores de cristal brit\u00e2nicos na recep\u00e7\u00e3o de seu sinal revitalizou as pesquisas americanas no campo dos semicondutores como base para radares de alta frequ\u00eancia. Havia muito trabalho pela frente, especialmente na \u00e1rea de ci\u00eancia dos materiais. Para atender \u00e0 demanda, os cristais semicondutores precisavam ser produzidos em milh\u00f5es, muito mais do que era poss\u00edvel anteriormente. Era necess\u00e1rio aprimorar a retifica\u00e7\u00e3o, reduzir a sensibilidade a impactos e a probabilidade de falhas, e minimizar a diferen\u00e7a entre diferentes lotes de cristais.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/e91a9d61d7a3b34a7cb7efc59ad2cacf.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Retificador de sil\u00edcio com contato pontual<\/i><\/p>\n<p>No Rad Lab, abriram novos departamentos de pesquisa para estudar as propriedades dos cristais semicondutores e como poderiam ser modificados para maximizar suas valiosas caracter\u00edsticas como receptores. Os materiais mais promissores eram sil\u00edcio e germ\u00e2nio, por isso, no Rad Lab decidiram se resguardar e lan\u00e7aram programas paralelos para estudar ambos: sil\u00edcio na Universidade da Pensilv\u00e2nia e germ\u00e2nio na Purdue. Gigantes industriais como Bell, Westinghouse, Du Pont e Sylvania iniciaram seus pr\u00f3prios programas de pesquisa em semicondutores e come\u00e7aram a desenvolver novas capacidades de produ\u00e7\u00e3o para detectores de cristal.<\/p>\n<p>Com esfor\u00e7os conjuntos, a pureza dos cristais de sil\u00edcio e germ\u00e2nio foi elevada de 99% no in\u00edcio para 99,999% \u2014 ou seja, uma part\u00edcula de impureza para cada 100.000 \u00e1tomos. Durante esse processo, a equipe de cientistas e engenheiros se familiarizou com as propriedades abstratas do germ\u00e2nio e do sil\u00edcio e as tecnologias aplicadas para control\u00e1-las: fus\u00e3o, crescimento de cristais, adi\u00e7\u00e3o de impurezas necess\u00e1rias (como boro, que aumentava a condutividade).<\/p>\n<p>E ent\u00e3o a guerra terminou. A demanda por radares desapareceu, mas o conhecimento e as habilidades adquiridos durante a guerra n\u00e3o se apagaram, e o sonho de um amplificador s\u00f3lido n\u00e3o foi esquecido. Agora a corrida era para criar tal amplificador. E, pelo menos, tr\u00eas equipes estavam em uma posi\u00e7\u00e3o favor\u00e1vel para conquistar esse pr\u00eamio.<\/p>\n<h2>West Lafayette<\/h2>\n<p>\nO primeiro grupo foi da Universidade de Purdue, sob a lideran\u00e7a do f\u00edsico de origem austr\u00edaca chamado Karl Lark-Horowitz. Com seu talento e influ\u00eancia, ele sozinho elevou o departamento de f\u00edsica da universidade do esquecimento e influenciou a decis\u00e3o do Rad Lab de confiar sua laborat\u00f3rio para pesquisas sobre germ\u00e2nio.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/537267231b55feaedce69e7191597d4b.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Karl Lark-Horowitz em 1947, ao centro, com um cachimbo<\/i><\/p>\n<p>No in\u00edcio da d\u00e9cada de 1940, o sil\u00edcio era considerado o melhor material para retificadores de radar, no entanto, o material logo abaixo dele na tabela peri\u00f3dica tamb\u00e9m parecia digno de mais estudos. O germ\u00e2nio tinha uma vantagem pr\u00e1tica devido ao seu ponto de fus\u00e3o, que era mais baixo: cerca de 940 graus, em compara\u00e7\u00e3o com 1400 graus do sil\u00edcio (praticamente como o a\u00e7o). Devido \u00e0 alta temperatura de fus\u00e3o, era extremamente dif\u00edcil fazer um lingote que n\u00e3o derretesse no sil\u00edcio fundido, contaminando-o.<\/p>\n<p>Assim, Lark-Horowitz e seus colegas passaram toda a guerra estudando as propriedades qu\u00edmicas, el\u00e9tricas e f\u00edsicas do germ\u00e2nio. O maior obst\u00e1culo era a \"tens\u00e3o reversa\": os retificadores de germ\u00e2nio paravam de retificar a corrente e permitiam que ela flu\u00edsse na dire\u00e7\u00e3o oposta com tens\u00f5es muito baixas. O pulso de corrente reversa queimava os componentes restantes do radar. Um dos alunos de Lark-Horowitz, Seymour Benzer, estudou esse problema por mais de um ano e finalmente desenvolveu um aditivo \u00e0 base de chumbo que impedia os pulsos reversos em tens\u00f5es de at\u00e9 cem volts. Logo ap\u00f3s isso, a Western Electric, a divis\u00e3o de produ\u00e7\u00e3o do Bell Labs, come\u00e7ou a fornecer retificadores que operavam de acordo com o esquema de Benzer para necessidades militares.<\/p>\n<p>O estudo do germ\u00e2nio em Purdue continuou mesmo ap\u00f3s a guerra. Em junho de 1947, Benzer, j\u00e1 sendo professor, relatou uma anomalia incomum: em alguns experimentos, os cristais de germ\u00e2nio apresentavam oscila\u00e7\u00f5es de alta frequ\u00eancia. Seu colega Ralph Bray continuava a pesquisa sobre a 'resist\u00eancia volum\u00e9trica', um projeto iniciado durante a guerra. A resist\u00eancia volum\u00e9trica descrevia como a eletricidade flui no cristal de germ\u00e2nio no ponto de contato do retificador. Bray descobriu que impulsos de alta tens\u00e3o reduziam significativamente a resist\u00eancia do germ\u00e2nio tipo n a essas correntes. Sem saber, ele estava testemunhando os chamados portadores de carga 'n\u00e3o essenciais'. Nos semicondutores tipo n, a carga negativa em excesso age como o principal portador de carga, mas os 'buracos' positivos tamb\u00e9m podem conduzir corrente, e, neste caso, os impulsos de alta tens\u00e3o criavam buracos na estrutura do germ\u00e2nio, resultando em portadores de carga n\u00e3o essenciais.<\/p>\n<p>Bray e Benzer estavam perigosamente pr\u00f3ximos do amplificador de germ\u00e2nio, sem perceber. Benzer abordou Walter Brattain, um cientista dos Laborat\u00f3rios Bell, em uma confer\u00eancia em janeiro de 1948, para discutir a resist\u00eancia volum\u00e9trica. Ele sugeriu a Brattain que colocasse mais um contato pontual pr\u00f3ximo ao primeiro, que poderia conduzir corrente, e assim poderiam entender o que acontecia sob a superf\u00edcie. Brattain concordou silenciosamente com a proposta e foi embora. Como veremos, ele sabia muito bem o que esse experimento poderia revelar.<\/p>\n<h2>One-su-Bois<\/h2>\n<p>\nO grupo de Purdue tinha tanto a tecnologia quanto as bases te\u00f3ricas para dar um salto em dire\u00e7\u00e3o ao transistor. No entanto, poderiam encontr\u00e1-lo apenas por acaso. Eles estavam interessados nas propriedades f\u00edsicas do material, e n\u00e3o na busca por um dispositivo do novo tipo. Uma situa\u00e7\u00e3o completamente diferente reinava em One-su-Bois (Fran\u00e7a), onde dois ex-pesquisadores de radar da Alemanha, Heinrich Welker e Herbert Matara, lideravam uma equipe com o objetivo de criar dispositivos semicondutores industriais.<\/p>\n<p>Welker inicialmente estudou e depois ensinou f\u00edsica na Universidade de Munique, administrada pelo famoso te\u00f3rico Arnold Sommerfeld. A partir de 1940, ele deixou a trajet\u00f3ria puramente te\u00f3rica e come\u00e7ou a trabalhar em radares para a Luftwaffe. Matare (de origem belga) cresceu em Aachen, onde estudou f\u00edsica. Ele se juntou ao departamento de pesquisa do gigante radiof\u00f4nico alem\u00e3o Telefunken em 1939. Durante a guerra, ele transferiu seu trabalho de Berlim para o leste, para uma abadia na Sil\u00e9sia, para evitar os bombardeios da coaliz\u00e3o anti-Hitler e depois voltou para o oeste para escapar do ex\u00e9rcito vermelho em avan\u00e7o, acabando por cair nas m\u00e3os do ex\u00e9rcito americano.<\/p>\n<p>Assim como seus concorrentes da coaliz\u00e3o anti-Hitler, os alem\u00e3es, no in\u00edcio dos anos 1940, sabiam que os detectores cristalinos eram receptores ideais para radares e que o sil\u00edcio e o germ\u00e2nio eram os materiais mais promissores para sua cria\u00e7\u00e3o. Matare e Welker, durante a guerra, tentaram melhorar o uso eficiente desses materiais em retificadores. Depois da guerra, ambos foram submetidos a interrogat\u00f3rios peri\u00f3dicos sobre seu trabalho militar e acabaram recebendo um convite de um espi\u00e3o franc\u00eas para Paris em 1946.<\/p>\n<p>A Compagnie des Freins &amp; Signaux (\"companhia de freios e sinais\"), uma subsidi\u00e1ria francesa da Westinghouse, recebeu um contrato da administra\u00e7\u00e3o telef\u00f4nica francesa para criar retificadores de estado s\u00f3lido e buscava cientistas alem\u00e3es para ajud\u00e1-los. Essa alian\u00e7a entre antigos inimigos pode parecer estranha, no entanto, esse acordo acabou sendo bastante favor\u00e1vel para ambas as partes. Os franceses, que sofreram uma derrota em 1940, n\u00e3o tinham oportunidade de adquirir conhecimentos em semiconductores e precisavam desesperadamente das habilidades dos alem\u00e3es. Os alem\u00e3es n\u00e3o podiam desenvolver em nenhuma \u00e1rea de alta tecnologia em um pa\u00eds ocupado e destru\u00eddo pela guerra, portanto, aproveitaram a oportunidade de continuar seu trabalho.<\/p>\n<p>Welker e Matare estabeleceram sua sede em uma casa de dois andares nos sub\u00farbios de Paris, em Neuilly-sur-Marne, e com a ajuda de uma equipe de t\u00e9cnicos, conseguiram uma produ\u00e7\u00e3o bem-sucedida de retificadores de germ\u00e2nio at\u00e9 o final de 1947. Ent\u00e3o, eles se voltaram para pr\u00eamios mais s\u00e9rios: Welker retornou ao que mais o interessava, os supercondutores, e Matare aos amplificadores.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/0e2b1d04e85c02f64555fc137ba65eae.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Herbert Matare em 1950<\/i><\/p>\n<p>Durante a guerra, Matar\u00e9 experimentou com retificadores de contato de dois pontos \u2013 os 'duodiodos' \u2013 na tentativa de reduzir o ru\u00eddo no circuito. Ele retomou os experimentos e logo descobriu que o segundo 'bigode de gato', situado a 1\/100 milh\u00e3o de metro do primeiro, \u00e0s vezes poderia modular a corrente passando pelo primeiro bigode. Ele criou um amplificador s\u00f3lido, embora bastante in\u00fatil. Para alcan\u00e7ar um funcionamento mais confi\u00e1vel, ele recorreu a Welker, que havia acumulado grande experi\u00eancia trabalhando com cristais de germ\u00e2nio durante a guerra. A equipe de Welker cultivou amostras maiores e mais puras de cristais de germ\u00e2nio, e junto com a melhoria na qualidade do material, em junho de 1948, os amplificadores de contato de ponto de Matar\u00e9 tornaram-se confi\u00e1veis.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/a8144b93316280b86206f061db496895.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Radiografia do 'transistron' baseado no circuito de Matar\u00e9, que possui dois pontos de contato com germ\u00e2nio<\/i><\/p>\n<p>Matar\u00e9 at\u00e9 tinha um modelo te\u00f3rico do que estava acontecendo: ele acreditava que o segundo contato fazia buracos no germ\u00e2nio, acelerando a passagem da corrente pelo primeiro contato, fornecendo portadores de carga n\u00e3o principais. Welker n\u00e3o estava de acordo com ele e acreditava que o que acontecia dependia de algum tipo de efeito de campo. No entanto, antes que pudessem trabalhar no dispositivo ou na teoria, descobriram que um grupo de americanos havia desenvolvido exatamente a mesma concep\u00e7\u00e3o \u2013 um amplificador de germ\u00e2nio com dois pontos de contato \u2013 seis meses antes.<\/p>\n<h2>Murray Hill<\/h2>\n<p>\nNo final da guerra, Mervin Kelly reformulou o grupo de pesquisa dos laborat\u00f3rios Bell, que lidava com semicondutores, com Bill Shockley \u00e0 frente. O projeto cresceu, recebeu mais financiamento e se deslocou do pr\u00e9dio original dos laborat\u00f3rios em Manhattan para o campus em expans\u00e3o em Murray Hill (Nova Jersey).<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/560531e9e37e48adf34d521238d1f77c.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Campus em Murray Hill, por volta de 1960<\/i><\/p>\n<p>Para se familiarizar novamente com os semicondutores de ponta (depois de se dedicar a pesquisas operacionais durante a guerra), na primavera de 1945, Shockley visitou o laborat\u00f3rio de Russell Ohl em Holmdel. Ohl passou os anos de guerra trabalhando com sil\u00edcio e n\u00e3o perdeu tempo. Ele mostrou a Shockley um amplificador rudimentar que havia constru\u00eddo, chamado por ele de \"dezi\". Ele usou um retificador de sil\u00edcio de contato pontual e passou uma corrente de uma bateria por ele. Pelo que parece, o calor da bateria reduziu a resist\u00eancia no ponto de contato, transformando o retificador em um amplificador capaz de transmitir sinais de r\u00e1dio recebidos em um circuito poderoso o suficiente para alimentar um alto-falante.<\/p>\n<p>O efeito era rudimentar e pouco confi\u00e1vel, invi\u00e1vel para comercializa\u00e7\u00e3o. No entanto, foi suficiente para confirmar a cren\u00e7a de Shockley na possibilidade de criar um amplificador semicondutor e que isso deveria se tornar uma prioridade nas pesquisas em eletr\u00f4nica s\u00f3lida. Al\u00e9m disso, esse encontro com a equipe de Ohl convenceu Shockley de que o sil\u00edcio e o germ\u00e2nio deveriam ser estudados prioritariamente. Eles demonstravam propriedades el\u00e9tricas atraentes, e, al\u00e9m disso, os colegas de Ohl, os metal\u00fargicos Jack Scaife e Henry Thurer, fizeram avan\u00e7os impressionantes no cultivo, purifica\u00e7\u00e3o e dopagem desses cristais durante a guerra, superando todas as tecnologias existentes para outros materiais semicondutores. O grupo de Shockley n\u00e3o estava mais disposto a perder tempo com amplificadores de cobre ox\u00eddico da era anterior \u00e0 guerra.<\/p>\n<p>Com a ajuda de Kelly, Shockley come\u00e7ou a formar uma nova equipe. Entre os jogadores-chave estava Walter Brattain, que ajudou Shockley em sua primeira tentativa de criar um amplificador semicondutor (em 1940), e John Bardeen, um jovem f\u00edsico e novo colaborador dos laborat\u00f3rios Bell. Bardeen provavelmente tinha o conhecimento mais extenso sobre f\u00edsica do estado s\u00f3lido de todos os membros da equipe \u2013 sua tese descrevia os n\u00edveis de energia dos el\u00e9trons na estrutura do s\u00f3dio met\u00e1lico. Ele tamb\u00e9m era mais um protegido de John Harsbrook Van Fleck, assim como Atanasoff e Brattain.<\/p>\n<p>E assim como Atanasov, as disserta\u00e7\u00f5es de Bardin e Shockley exigiam c\u00e1lculos complexos. Eles tiveram que usar a teoria qu\u00e2ntica dos semicondutores, definida por Alan Wilson, para calcular a estrutura energ\u00e9tica dos materiais usando a calculadora de mesa Monroe. Ao ajudar na cria\u00e7\u00e3o do transistor, eles, essencialmente, contribu\u00edram para libertar futuros p\u00f3s-graduados desse tipo de trabalho.<\/p>\n<p>A primeira abordagem de Shockley para o amplificador s\u00f3lido baseava-se no que mais tarde foi chamado de \u201c<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F\">efeito de campo<\/a><\/noindex>\u201d. Ele suspendeu uma placa met\u00e1lica acima do semicondutor tipo n (com excesso de cargas negativas). A aplica\u00e7\u00e3o de uma carga positiva \u00e0 placa puxava o excesso de el\u00e9trons para a superf\u00edcie do cristal, criando um rio de cargas negativas, pelo qual uma corrente el\u00e9trica poderia fluir facilmente. O sinal amplificado (representado pelo n\u00edvel de carga na placa) poderia, dessa forma, modular o circuito principal (passando pela superf\u00edcie do semicondutor). A viabilidade deste circuito foi sugerida por seus conhecimentos te\u00f3ricos em f\u00edsica. Mas, apesar de muitos experimentos, o circuito nunca funcionou.<\/p>\n<p>At\u00e9 mar\u00e7o de 1946, Bardin havia desenvolvido uma teoria bem elaborada que explicava a raz\u00e3o disso: a superf\u00edcie do semicondutor se comporta em n\u00edvel qu\u00e2ntico de maneira diferente do seu interior. As cargas negativas puxadas para a superf\u00edcie ficam presas em \"estados de superf\u00edcie\" e bloqueiam a penetra\u00e7\u00e3o do campo el\u00e9trico da placa no material. Os demais membros da equipe consideraram essa an\u00e1lise convincente e lan\u00e7aram um novo programa de pesquisa em tr\u00eas frentes:<\/p>\n<ol>\n<li>Provar a exist\u00eancia de estados de superf\u00edcie.<\/li>\n<li>Estudar suas propriedades.<\/li>\n<li>Descobrir como super\u00e1-los e criar um <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D0%B5%D0%B2%D0%BE%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80\">transistor de efeito de campo funcional.<\/a><\/noindex>.<\/li>\n<\/ol>\n<p>Ap\u00f3s um ano e meio de pesquisas e experimentos, no dia 17 de novembro de 1947, Brettain fez uma descoberta revolucion\u00e1ria. Ele percebeu que ao colocar um l\u00edquido carregado de \u00edons, como \u00e1gua, entre uma placa e um semicondutor, o campo el\u00e9trico da placa empurraria os \u00edons para o semicondutor, onde neutralizariam as cargas capturadas nos estados de superf\u00edcie. Agora, ele poderia controlar o comportamento el\u00e9trico de um peda\u00e7o de sil\u00edcio alterando a carga na placa. Esse sucesso deu a Bardin a ideia de um novo m\u00e9todo para criar um amplificador: cercar o ponto de contato do retificador com \u00e1gua eletrol\u00edtica e, em seguida, usar um segundo fio na \u00e1gua para controlar os estados de superf\u00edcie, assim controlando o n\u00edvel de condutividade do contato principal. Assim, Bardin e Brettain chegaram \u00e0 fase final.<\/p>\n<p>A ideia de Bardin funcionou, no entanto, o aumento era fraco e operava em frequ\u00eancias muito baixas, inaud\u00edveis ao ouvido humano \u2013 portanto, era in\u00fatil como amplificador telef\u00f4nico ou de r\u00e1dio. Bardin sugeriu mudar para o germ\u00e2nio, resistente \u00e0 tens\u00e3o reversa, obtido em Purdue, acreditando que em sua superf\u00edcie se acumulariam menos cargas. De repente, eles obtiveram um aumento de pot\u00eancia impressionante, por\u00e9m na dire\u00e7\u00e3o oposta \u00e0 esperada. Eles descobriram o efeito de portadores n\u00e3o fundamentais \u2013 em vez dos eletr\u00f5es esperados, a corrente que passava pelo germ\u00e2nio amplificava as lacunas provenientes do eletr\u00f3lito. A corrente no fio no eletr\u00f3lito formou uma camada tipo p (\u00e1rea de cargas positivas em excesso) na superf\u00edcie do germ\u00e2nio tipo n.<\/p>\n<p>Experimentos subsequentes mostraram que o eletr\u00f3lito n\u00e3o era necess\u00e1rio: ao simplesmente colocar dois pontos de contato pr\u00f3ximos na superf\u00edcie do germ\u00e2nio, era poss\u00edvel modular a corrente de um deles na corrente do outro. Para aproxim\u00e1-los o m\u00e1ximo poss\u00edvel, Brettain embrulhou um peda\u00e7o de pl\u00e1stico em forma de tri\u00e2ngulo com uma folha de ouro e, em seguida, cortou cuidadosamente a folha na extremidade. Depois, utilizando uma mola, ele pressionou o tri\u00e2ngulo contra o germ\u00e2nio, fazendo com que as duas bordas do corte tocassem sua superf\u00edcie a uma dist\u00e2ncia de 0,05 mm. Isso deu ao prot\u00f3tipo do transistor dos laborat\u00f3rios Bell sua apar\u00eancia caracter\u00edstica:<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/ffead032339d3960dfce3a691005f6e1.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Prot\u00f3tipo do transistor de Brettain e Bardin<\/i><\/p>\n<p>Assim como os dispositivos de Matar\u00e9 e Velker, este era, na verdade, um cl\u00e1ssico \"bigode de gato\", mas com dois pontos de contato em vez de um. Em 16 de dezembro, ele produziu um aumento significativo na pot\u00eancia e na tens\u00e3o, e uma frequ\u00eancia de 1000 Hz na faixa aud\u00edvel. Uma semana depois, ap\u00f3s pequenas melhorias, Bardin e Brettain conseguiram um aumento de tens\u00e3o de 100 vezes e de pot\u00eancia de 40 vezes, e demonstraram para os diretores da Bell que seu dispositivo poderia reproduzir fala aud\u00edvel. John Pierce, outro membro da equipe de desenvolvimento de dispositivos s\u00f3lidos, criou o termo \"transistor\" inspirado no nome do retificador de \u00f3xido de cobre da Bell, varistor.<\/p>\n<p>Nos seis meses seguintes, o laborat\u00f3rio manteve a nova cria\u00e7\u00e3o em segredo. A administra\u00e7\u00e3o queria garantir que teria uma vantagem na explora\u00e7\u00e3o das oportunidades comerciais do transistor antes que outros o descobrissem. A coletiva de imprensa foi marcada para 30 de junho de 1948, bem a tempo de destruir todos os sonhos de Velker e Matar\u00e9 de imortalidade. Enquanto isso, o grupo de pesquisa de semicondutores se desfez silenciosamente. Ao ouvir sobre as conquistas de Bardin e Brettain, seu chefe, Bill Shockley, come\u00e7ou a trabalhar para se apropriar de todo o cr\u00e9dito. E embora ele tenha desempenhado apenas um papel observacional, na apresenta\u00e7\u00e3o p\u00fablica Shockley recebeu publicidade igual, sen\u00e3o maior - como pode ser visto nesta foto publicada, onde ele se encontra no centro da a\u00e7\u00e3o, bem ao lado da mesa do laborat\u00f3rio:<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Hist\u00f3ria do Transistor, Parte 2: do caldeir\u00e3o da guerra\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/01\/5f65d24d08f716197396b59aa12b4a2d.jpg\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n<i>Foto promocional de 1948 - Bardin, Shockley e Brettain<\/i><\/p>\n<p>No entanto, Shockley n\u00e3o estava satisfeito com a fama igual. E ainda antes que algu\u00e9m fora dos laborat\u00f3rios da Bell soubesse sobre o transistor, ele come\u00e7ou a re-invent\u00e1-lo para se apropriar do m\u00e9rito. E isso foi apenas o primeiro de muitos reinven\u00e7\u00f5es semelhantes.<\/p>\n<h2>O que mais ler<\/h2>\n<p><\/p>\n<ul>\n<li>Robert Buderi, A Inven\u00e7\u00e3o Que Mudou o Mundo (1996)<\/li>\n<li>Michael Riordan, \u201cComo a Europa Perdeu o Transistor,\u201d IEEE Spectrum (1 de nov. de 2005)<\/li>\n<li>Michael Riordan e Lillian Hoddeson, Crystal Fire (1997)<\/li>\n<li>Armand Van Dormael, \u201cO Transistor \u2018Franc\u00eas\u2019,\u201d <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/www.cdvandt.org\/VanDormael.pdf\">www.cdvandt.org\/VanDormael.pdf<\/a><\/noindex> (1994)<\/li>\n<\/ul>\n<p>Fonte: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/post\/448576\/\">habr.com<\/a><\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u0414\u0440\u0443\u0433\u0438\u0435 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0440\u0435\u043b\u0435 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