{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/pt\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nAs partes anteriores do ciclo \"Introdu\u00e7\u00e3o aos SSDs\" contaram ao leitor sobre a hist\u00f3ria do surgimento dos SSDs, as interfaces de intera\u00e7\u00e3o com eles e os formatos populares. A quarta parte falar\u00e1 sobre o armazenamento de dados dentro dos dispositivos.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>Nos artigos anteriores do ciclo:<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Hist\u00f3ria da cria\u00e7\u00e3o de HDDs e SSDs<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">O surgimento das interfaces de armazenamento<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Particularidades dos formatos<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nO armazenamento de dados em unidades de estado s\u00f3lido pode ser dividido em duas partes l\u00f3gicas: o armazenamento de informa\u00e7\u00f5es em uma c\u00e9lula e a organiza\u00e7\u00e3o do armazenamento das c\u00e9lulas.<\/p>\n<p>Cada c\u00e9lula de um SSD armazena <b>um ou mais bits de informa\u00e7\u00e3o<\/b>. Para o armazenamento de informa\u00e7\u00f5es, s\u00e3o utilizados diversos <b>processos f\u00edsicos<\/b>. No desenvolvimento dos SSDs, foram analisadas as seguintes grandezas f\u00edsicas para a codifica\u00e7\u00e3o da informa\u00e7\u00e3o:<\/p>\n<ul>\n<li><b>cargas el\u00e9tricas<\/b> (incluindo mem\u00f3ria Flash);<\/li>\n<li><b>momentos magn\u00e9ticos<\/b> (mem\u00f3ria magn\u00e9tica);<\/li>\n<li><b>estados de fase<\/b> (mem\u00f3ria com mudan\u00e7a de estado).<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>Mem\u00f3ria baseada em cargas el\u00e9tricas<\/h2>\n<p>\nA codifica\u00e7\u00e3o de informa\u00e7\u00f5es utilizando carga negativa est\u00e1 na base de v\u00e1rias solu\u00e7\u00f5es:<\/p>\n<ul>\n<li>PROMs apag\u00e1veis por ultravioleta (EPROM);<\/li>\n<li>PROMs eletricamente apag\u00e1veis (EEPROM);<\/li>\n<li>Mem\u00f3ria Flash.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nCada c\u00e9lula de mem\u00f3ria \u00e9 um <b>transistor MOSFET de efeito de campo com porta flutuante<\/b>, onde a carga negativa \u00e9 armazenada. Sua diferen\u00e7a em rela\u00e7\u00e3o a um transistor MOSFET comum est\u00e1 na presen\u00e7a da porta flutuante \u2014 um condutor na camada de diel\u00e9trico.<\/p>\n<p>Ao criar uma diferen\u00e7a de potencial entre o dreno e a fonte e haver um potencial positivo na porta, a corrente fluir\u00e1 da fonte para o dreno. No entanto, quando h\u00e1 uma diferen\u00e7a de potencial suficientemente grande, alguns el\u00e9trons \"vazam\" pela camada diel\u00e9trica e acabam na porta flutuante. Esse fen\u00f4meno \u00e9 chamado de <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">efeito t\u00fanel<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nA porta flutuante carregada negativamente cria um campo el\u00e9trico que impede o fluxo de corrente da fonte para o dreno. Al\u00e9m disso, a presen\u00e7a de el\u00e9trons na porta flutuante aumenta a tens\u00e3o de limiar em que o transistor se abre. A cada \"grava\u00e7\u00e3o\" na porta flutuante do transistor, a camada diel\u00e9trica \u00e9 ligeiramente danificada, o que imp\u00f5e uma limita\u00e7\u00e3o ao n\u00famero de ciclos de regrava\u00e7\u00e3o de cada c\u00e9lula.<\/p>\n<blockquote><p>Transistores MOFs de porta flutuante foram desenvolvidos por Dawon Kahng e Simon Min Sze, do Bell Labs, em 1967. Mais tarde, ao investigar defeitos em circuitos integrados, foi observado que a carga no porta flutuante alterava a tens\u00e3o de limiar que abria o transistor. Essa descoberta levou Dov Frohman a come\u00e7ar a trabalhar em uma mem\u00f3ria baseada nesse fen\u00f4meno.<\/p><\/blockquote>\n<p>A altera\u00e7\u00e3o da tens\u00e3o de limiar permite \"programar\" transistores. Transistores com carga no porta flutuante n\u00e3o se abrir\u00e3o com uma tens\u00e3o de porta superior \u00e0 tens\u00e3o de limiar para o transistor sem el\u00e9trons, mas inferior \u00e0 tens\u00e3o de limiar para o transistor com el\u00e9trons. Chamaremos esse valor <b>tens\u00e3o de leitura<\/b>.<\/p>\n<h3>Mem\u00f3ria Program\u00e1vel e Apag\u00e1vel Somente para Leitura<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nEm 1971, o funcion\u00e1rio da Intel, Dov Frohman, criou uma mem\u00f3ria regrav\u00e1vel em transistores, chamada <b>Mem\u00f3ria Program\u00e1vel e Apag\u00e1vel Somente para Leitura (EPROM)<\/b>. A grava\u00e7\u00e3o na mem\u00f3ria era feita com a ajuda de um dispositivo especial - programador. O programador aplica ao chip uma tens\u00e3o mais alta do que a utilizada em circuitos digitais, \"gravando\" assim os el\u00e9trons nos port\u00f5es flutuantes dos transistores, onde necess\u00e1rio.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nNa mem\u00f3ria EPROM, n\u00e3o se previa a limpeza dos port\u00f5es flutuantes dos transistores de forma el\u00e9trica. Em vez disso, prop\u00f4s-se afetar os transistores com radia\u00e7\u00e3o ultravioleta intensa, cujos f\u00f3tons fornecem aos el\u00e9trons a energia necess\u00e1ria para deixar o porta flutuante. Para permitir que a luz ultravioleta penetrasse no chip, foi adicionado vidro de quartzo ao inv\u00f3lucro.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Frohman apresentou pela primeira vez seu prot\u00f3tipo de EPROM em fevereiro de 1971 em uma confer\u00eancia sobre circuitos integrados s\u00f3lidos na Filad\u00e9lfia. Gordon Moore lembrou-se da demonstra\u00e7\u00e3o: \"Dov demonstrou um padr\u00e3o de bits nas c\u00e9lulas de mem\u00f3ria EPROM. Quando a luz ultravioleta incidia nas c\u00e9lulas, os bits desapareciam um a um, at\u00e9 que o logo da Intel, antes conhecido, desapareceu completamente. ... Os bits sumiam, e quando o \u00faltimo desapareceu, toda a audi\u00eancia come\u00e7ou a aplaudir. O artigo de Dov foi reconhecido como o melhor da confer\u00eancia.\"<i> \u2014 Tradu\u00e7\u00e3o do artigo <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>A mem\u00f3ria EPROM \u00e9 mais cara do que os dispositivos de mem\u00f3ria permanente \"descart\u00e1veis\" (ROM) usados anteriormente, mas a possibilidade de reprograma\u00e7\u00e3o permite depurar esquemas mais rapidamente e reduzir o tempo de desenvolvimento de novo hardware.<\/p>\n<p>A reprograma\u00e7\u00e3o da ROM por luz ultravioleta foi um grande avan\u00e7o, no entanto, a ideia da reescrita el\u00e9trica j\u00e1 estava \"no ar\".<\/p>\n<h3>Mem\u00f3ria somente leitura program\u00e1vel eletricamente apag\u00e1vel<\/h3>\n<p>\nEm 1972, tr\u00eas japoneses: Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi e Kiyoko Nagai apresentaram o primeiro dispositivo de mem\u00f3ria permanente apag\u00e1vel eletricamente (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM ou E2PROM). Posteriormente, suas pesquisas se tornariam parte das patentes para implementa\u00e7\u00f5es comerciais da mem\u00f3ria EEPROM.<\/p>\n<p>Cada c\u00e9lula da mem\u00f3ria EEPROM consiste em v\u00e1rios transistores:<\/p>\n<ul>\n<li>um transistor com porta flutuante para armazenar um bit;<\/li>\n<li>um transistor para controlar o modo de leitura\/grava\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nEssa constru\u00e7\u00e3o complica bastante a fia\u00e7\u00e3o do circuito el\u00e9trico, portanto, a mem\u00f3ria EEPROM foi utilizada em casos em que um pequeno volume de mem\u00f3ria n\u00e3o era cr\u00edtico. Para armazenamento de grandes volumes de dados, a EPROM ainda era utilizada.<\/p>\n<h3>Mem\u00f3ria Flash<\/h3>\n<p>\nA mem\u00f3ria Flash, que combina o melhor da EPROM e EEPROM, foi desenvolvida pelo professor japon\u00eas Fujio Masuoka, engenheiro da Toshiba, em 1980. O primeiro desenvolvimento foi nomeado Flash do tipo NOR e, assim como seus predecessores, \u00e9 baseada em transistores MOSFET de porta flutuante.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nA mem\u00f3ria Flash do tipo NOR \u00e9 uma matriz bidimensional de transistores. As portas dos transistores est\u00e3o conectadas a linhas de palavras e os drenos a linhas de bits. Quando a tens\u00e3o \u00e9 aplicada \u00e0 linha de palavras, os transistores que cont\u00eam el\u00e9trons, ou seja, que armazenam \"um\", n\u00e3o se abrir\u00e3o e a corrente n\u00e3o fluir\u00e1. A partir da presen\u00e7a ou aus\u00eancia de corrente na linha de bits, \u00e9 feita a dedu\u00e7\u00e3o sobre o valor do bit.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nSete anos depois, Fujio Masuoka desenvolveu a mem\u00f3ria Flash do tipo NAND. Este tipo de mem\u00f3ria se diferencia pela quantidade de transistores na linha de bits. Na mem\u00f3ria do tipo NOR, cada transistor est\u00e1 conectado diretamente \u00e0 linha de bits, enquanto na mem\u00f3ria NAND os transistores est\u00e3o conectados em s\u00e9rie.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nA leitura da mem\u00f3ria dessa configura\u00e7\u00e3o \u00e9 mais complexa: a tens\u00e3o necess\u00e1ria para a leitura \u00e9 aplicada \u00e0 linha de palavra necess\u00e1ria, enquanto todas as outras linhas de palavra recebem uma tens\u00e3o que abre o transistor independentemente do n\u00edvel de carga nele. Como todos os outros transistores est\u00e3o garantidamente abertos, a presen\u00e7a de tens\u00e3o na linha de bit depende apenas de um \u00fanico transistor, ao qual foi aplicada a tens\u00e3o de leitura.<\/p>\n<p>A inven\u00e7\u00e3o da mem\u00f3ria Flash do tipo NAND permite uma compacta\u00e7\u00e3o significativa do circuito, alocando um maior volume de mem\u00f3ria nas mesmas dimens\u00f5es. At\u00e9 2007, o volume da mem\u00f3ria foi aumentado pela redu\u00e7\u00e3o do processo de fabrica\u00e7\u00e3o do chip.<\/p>\n<p>Em 2007, a empresa Toshiba apresentou uma nova vers\u00e3o da mem\u00f3ria NAND: <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, tamb\u00e9m conhecida como <b>3D NAND<\/b>. Nesta tecnologia, o foco \u00e9 na coloca\u00e7\u00e3o de transistores em v\u00e1rias camadas, o que permite novamente a compacta\u00e7\u00e3o do circuito e o aumento da capacidade de mem\u00f3ria. No entanto, essa compacta\u00e7\u00e3o n\u00e3o pode ser repetida indefinidamente, por isso foram pesquisados outros m\u00e9todos de aumento da capacidade de armazenamento.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nInicialmente, cada transistor armazenava dois n\u00edveis de carga: zero l\u00f3gico e um l\u00f3gico. Essa abordagem \u00e9 chamada de <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>. Os dispositivos com essa tecnologia se destacam pela alta confiabilidade e pelo m\u00e1ximo n\u00famero de ciclos de regrava\u00e7\u00e3o.<\/p>\n<p>Com o tempo, foi decidido aumentar a capacidade dos dispositivos em troca da resist\u00eancia ao desgaste. Assim, o n\u00famero de n\u00edveis de carga na c\u00e9lula aumentou para quatro, e a tecnologia foi chamada de <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>. Em seguida, surgiram <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> e <b>Quad-Level Cell (QLC)<\/b>. No futuro, haver\u00e1 um novo n\u00edvel \u2014 <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> com cinco bits em uma c\u00e9lula. Quanto mais bits forem colocados em uma c\u00e9lula, maior ser\u00e1 a capacidade do dispositivo pelo mesmo custo, mas menor ser\u00e1 a resist\u00eancia ao desgaste.<\/p>\n<p>A compacta\u00e7\u00e3o do circuito reduzindo o processo tecnol\u00f3gico e aumentando o n\u00famero de bits em um \u00fanico transistor afeta negativamente os dados armazenados. Embora EPROM e EEPROM utilizem os mesmos transistores, EPROM e EEPROM conseguem armazenar dados sem alimenta\u00e7\u00e3o por dez anos, enquanto a mem\u00f3ria Flash moderna pode 'esquecer' tudo em apenas um ano.<\/p>\n<blockquote><p>O uso de mem\u00f3ria Flash na ind\u00fastria espacial \u00e9 dif\u00edcil, pois a radia\u00e7\u00e3o afeta negativamente os el\u00e9trons nos port\u00f5es flutuantes.<\/p><\/blockquote>\n<p>Os problemas mencionados impedem a mem\u00f3ria flash de se tornar a l\u00edder indiscut\u00edvel no armazenamento de informa\u00e7\u00f5es. Embora os dispositivos baseados em mem\u00f3ria flash sejam amplamente utilizados, pesquisas est\u00e3o em andamento sobre outros tipos de mem\u00f3ria que n\u00e3o sofrem dessas desvantagens, entre os quais est\u00e1 o armazenamento de informa\u00e7\u00f5es em momentos magn\u00e9ticos e estados de fase.<\/p>\n<h2>Mem\u00f3ria magnetorresistiva<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introdu\u00e7\u00e3o ao SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nA codifica\u00e7\u00e3o de informa\u00e7\u00f5es em momentos magn\u00e9ticos surgiu em 1955 na forma de mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos. At\u00e9 meados da d\u00e9cada de 1970, a mem\u00f3ria ferr\u00edtica era o tipo principal de mem\u00f3ria. A leitura de um bit desse tipo de mem\u00f3ria resultava na desmagnetiza\u00e7\u00e3o do anel e perda de informa\u00e7\u00f5es. Assim, ap\u00f3s a leitura de um bit, era necess\u00e1rio reescrev\u00ea-lo.<\/p>\n<p>Nos desenvolvimentos modernos de mem\u00f3ria magnetorresistiva, em vez de an\u00e9is, s\u00e3o utilizados dois camadas de ferromagneto, separadas por um diel\u00e9trico. Uma camada \u00e9 um \u00edm\u00e3 permanente, enquanto a outra altera a dire\u00e7\u00e3o da magnetiza\u00e7\u00e3o. A leitura de um bit dessa c\u00e9lula se resume \u00e0 medi\u00e7\u00e3o da resist\u00eancia ao passar a corrente: se as camadas est\u00e3o magnetizadas em dire\u00e7\u00f5es opostas, a resist\u00eancia \u00e9 maior, o que \u00e9 equivalente ao valor \"1\".<\/p>\n<p>A mem\u00f3ria ferr\u00edtica n\u00e3o requer uma fonte de alimenta\u00e7\u00e3o constante para manter as informa\u00e7\u00f5es gravadas, no entanto, o campo magn\u00e9tico da c\u00e9lula pode influenciar o \"vizinho\", o que imp\u00f5e uma limita\u00e7\u00e3o \u00e0 compacta\u00e7\u00e3o do circuito.<\/p>\n<blockquote><p>De acordo com <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> Os discos SSD baseados em mem\u00f3ria flash devem manter informa\u00e7\u00f5es sem energia por pelo menos tr\u00eas meses a uma temperatura ambiente de 40\u00b0C. O chip desenvolvido pela Intel <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">baseado em mem\u00f3ria magnetorresistiva<\/a><\/noindex> promete preservar os dados por dez anos a uma temperatura de 200\u00b0C.<\/p><\/blockquote>\n<p>Apesar da complexidade do desenvolvimento, a mem\u00f3ria magnetorresistiva n\u00e3o se degrada durante o uso e tem melhor desempenho em rela\u00e7\u00e3o a outros tipos de mem\u00f3ria, o que impede que esse tipo de mem\u00f3ria seja descartado.<\/p>\n<h2>Mem\u00f3ria de mudan\u00e7a de fase<\/h2>\n<p>\nO terceiro tipo promissor de mem\u00f3ria \u00e9 baseado em transi\u00e7\u00f5es de fase. Esse tipo de mem\u00f3ria utiliza as propriedades dos calcog\u00eanios para alternar entre estados cristalinos e amorfos quando aquecido.<\/p>\n<blockquote><p><b>Calcog\u00eanios<\/b> \u2014 liga\u00e7\u00f5es bin\u00e1rias de metais com o grupo 16 (grupo 6 da subgrupo principal) da tabela peri\u00f3dica de Mendeleev. Por exemplo, em discos CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM e Blu-ray, s\u00e3o utilizados teluretos de germ\u00e2nio (GeTe) e telureto de antimonio (III) (Sb2Te3).<\/p><\/blockquote>\n<p>Pesquisas sobre a aplica\u00e7\u00e3o da transi\u00e7\u00e3o de fase para armazenamento de informa\u00e7\u00f5es foram realizadas em <b>anos 1960<\/b> , por Stanford Ovshinsky, mas na \u00e9poca a comercializa\u00e7\u00e3o n\u00e3o se concretizou. Nos anos 2000, houve novamente interesse pela tecnologia, a Samsung patenteara uma tecnologia que permite alternar bits em 5 ns, enquanto a Intel e a STMicroelectronics aumentaram o n\u00famero de estados para quatro, duplicando assim o volume poss\u00edvel.<\/p>\n<p>Quando aquecido acima do ponto de fus\u00e3o, o calco-gen\u00eddeo perde a estrutura cristalina e, ao esfriar, se transforma em uma forma amorfa, caracterizada por alta resist\u00eancia el\u00e9trica. Por sua vez, ao ser aquecido a uma temperatura acima do ponto de cristaliza\u00e7\u00e3o, mas abaixo do ponto de fus\u00e3o, o calco-gen\u00eddeo retorna ao estado cristalino com baixo n\u00edvel de resist\u00eancia.<\/p>\n<p>A mem\u00f3ria com transi\u00e7\u00e3o de fase n\u00e3o requer \"recarga\" com o passar do tempo e tamb\u00e9m n\u00e3o \u00e9 suscet\u00edvel \u00e0 radia\u00e7\u00e3o, ao contr\u00e1rio da mem\u00f3ria baseada em cargas el\u00e9tricas. Este tipo de mem\u00f3ria pode armazenar informa\u00e7\u00f5es por at\u00e9 300 anos a uma temperatura de 85\u00b0C.<\/p>\n<p>Acredita-se que o desenvolvimento da Intel, a tecnologia <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> usa transi\u00e7\u00f5es de fase para armazenar informa\u00e7\u00f5es. A tecnologia 3D XPoint \u00e9 utilizada nos dispositivos Intel\u00ae Optane\u2122 Memory, que apresentam uma maior resist\u00eancia ao desgaste.<\/p>\n<h2>Conclus\u00e3o<\/h2>\n<p>\nO dispositivo f\u00edsico dos discos de estado s\u00f3lido passou por muitas mudan\u00e7as ao longo de sua hist\u00f3ria de mais de cinquenta anos, no entanto, cada solu\u00e7\u00e3o tem suas desvantagens. Apesar da indiscut\u00edvel popularidade da mem\u00f3ria Flash, v\u00e1rias empresas, incluindo Samsung e Intel, est\u00e3o explorando a possibilidade de criar mem\u00f3ria baseada em momentos magn\u00e9ticos.<\/p>\n<p>A redu\u00e7\u00e3o do desgaste das c\u00e9lulas, sua compacta\u00e7\u00e3o e o aumento da capacidade total do dispositivo s\u00e3o dire\u00e7\u00f5es que atualmente s\u00e3o promissoras para o desenvolvimento futuro dos discos de estado s\u00f3lido.<\/p>\n<blockquote><p>Voc\u00ea pode testar os melhores dispositivos NAND e 3D XPoint dispon\u00edveis hoje em nosso <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>Na sua opini\u00e3o, a tecnologia de armazenamento de informa\u00e7\u00f5es em cargas el\u00e9tricas ser\u00e1 substitu\u00edda por outras, como discos de quartzo ou mem\u00f3ria \u00f3ptica em nanocristais de sal?<br \/>\n<br \/>Fonte: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c \u0440\u0430\u0441\u0441\u043a\u0430\u0436\u0435\u0442 \u043e \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0438 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432\u043d\u0443\u0442\u0440\u0438 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439. \u0412 \u043f\u0440\u0435\u0434\u044b\u0434\u0443\u0449\u0438\u0445 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u044f\u0445 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0441\u043e\u0437\u0434\u0430\u043d\u0438\u044f HDD \u0438 SSD \u0412\u043e\u0437\u043d\u0438\u043a\u043d\u043e\u0432\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u043e\u0432 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439 \u041e\u0441\u043e\u0431\u0435\u043d\u043d\u043e\u0441\u0442\u0438 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u043e\u0432 \u0425\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432 \u0442\u0432\u0435\u0440\u0434\u043e\u0442\u0435\u043b\u044c\u043d\u044b\u0445 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u044f\u0445 \u043c\u043e\u0436\u043d\u043e \u0440\u0430\u0437\u0434\u0435\u043b\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430 \u0434\u0432\u0435 \u043b\u043e\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0438\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438: \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0444\u043e\u0440\u043c\u0430\u0446\u0438\u0438 \u0432 [&hellip;]<\/p>\n","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"author":1,"featured_media":73398,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[688],"tags":[],"class_list":["post-73397","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-administrirovanie"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t<!-- All in One SEO 5.0.3 - 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