{"id":74591,"date":"2020-03-18T20:42:50","date_gmt":"2020-03-18T17:42:50","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5"},"modified":"2020-03-18T20:42:50","modified_gmt":"2020-03-18T17:42:50","slug":"pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/pt\/blog\/administrirovanie\/pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5","title":{"rendered":"Mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos no foguete Saturno 5","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

\"Mem\u00f3ria
\nO computador que operava no foguete lan\u00e7ador (Launch Vehicle Digital Computer, LVDC) desempenhou um papel crucial no programa lunar Apollo, controlando o foguete Saturn V. Assim como a maioria dos computadores da \u00e9poca, ele armazenava dados em pequenos n\u00facleos magn\u00e9ticos. Neste artigo, o Cloud4Y fala sobre o m\u00f3dulo de mem\u00f3ria do LVDC de uma cole\u00e7\u00e3o luxuosa. cole\u00e7\u00e3o <\/a><\/noindex>Steve Jurvetson. <\/i><\/a><\/noindex><\/p>\n

Esse m\u00f3dulo de mem\u00f3ria foi aprimorado em meados da d\u00e9cada de 1960. Para sua cria\u00e7\u00e3o, foram usados componentes de montagem em superf\u00edcie, m\u00f3dulos h\u00edbridos e conex\u00f5es flex\u00edveis, tornando-o significativamente menor e mais leve do que as mem\u00f3rias convencionais da \u00e9poca. No entanto, o m\u00f3dulo permitia armazenar apenas 4096 palavras de 26 bits.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nM\u00f3dulo de mem\u00f3ria de n\u00facleos magn\u00e9ticos. Este m\u00f3dulo armazena 4K palavras de 26 bits de dados e 2 bits de paridade. Com quatro m\u00f3dulos de mem\u00f3ria, proporcionando uma capacidade total de 16.384 palavras, pesa 2,3 kg e tem dimens\u00f5es de 14 cm \u00d7 14 cm \u00d7 16 cm.<\/i><\/p>\n

O voo para a Lua come\u00e7ou em 25 de maio de 1961, quando o presidente Kennedy declarou que a Am\u00e9rica pousaria um homem na Lua antes do final da d\u00e9cada. Para isso, foi utilizada a foguete de tr\u00eas est\u00e1gios Saturn V, o mais poderoso j\u00e1 criado. O Saturn V foi gerenciado e controlado por um computador (veja mais detalhes<\/a><\/noindex> sobre isso) do terceiro est\u00e1gio do foguete lan\u00e7ador, desde a decolagem em \u00f3rbita da Terra at\u00e9 a movimenta\u00e7\u00e3o rumo \u00e0 Lua. (Naquele momento, a nave Apollo se separava do foguete Saturn V, e a tarefa do LVDC estava cumprida).<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nO LVDC instalado na estrutura de suporte. Conectores redondos s\u00e3o vis\u00edveis na parte frontal do computador. Foram utilizados 8 conectores el\u00e9tricos e dois conectores para refrigera\u00e7\u00e3o l\u00edquida.<\/i><\/p>\n

O LVDC era apenas um dos v\u00e1rios computadores a bordo da Apollo. O LVDC se conectava ao sistema de controle de voo, um computador anal\u00f3gico de 45 quilos. O computador de navega\u00e7\u00e3o a bordo da Apollo (Apollo Guidance Computer, AGC) direcionava a nave espacial para a superf\u00edcie da Lua. O m\u00f3dulo de comando continha um AGC, enquanto o m\u00f3dulo lunar continha um segundo AGC junto com o sistema de navega\u00e7\u00e3o Abort, um computador de respaldo.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nHavia v\u00e1rios computadores a bordo da Apollo<\/i> <\/p>\n

Unidades de L\u00f3gica de Dispositivo (ULD)<\/h2>\n

\nOs LVDC foram criados usando uma tecnologia h\u00edbrida interessante chamada ULD, unidade de carga do dispositivo. Embora externamente se parecessem com circuitos integrados, os m\u00f3dulos ULD continham v\u00e1rios componentes. Eles usavam cristais de sil\u00edcio simples, cada um com apenas um transistor ou dois diodos. Essas matrizes, juntamente com resistores impressos de filme grosso, foram montadas em uma placa cer\u00e2mica para implementar circuitos como v\u00e1lvulas l\u00f3gicas. Esses m\u00f3dulos eram uma variante dos m\u00f3dulos SLT (Solid Logic Technology<\/a><\/noindex>), desenvolvidos para os computadores da popular s\u00e9rie S\/360 da IBM. A IBM come\u00e7ou a desenvolver os m\u00f3dulos SLT em 1961, antes que os circuitos integrados se tornassem comercialmente vi\u00e1veis, e em 1966 a IBM estava produzindo mais de 100 milh\u00f5es de m\u00f3dulos SLT por ano.<\/p>\n

Os m\u00f3dulos ULD eram significativamente menores que os m\u00f3dulos SLT, como pode ser visto na fotografia abaixo, o que os tornava mais adequados para computadores espaciais compactos. Os m\u00f3dulos ULD usavam placas cer\u00e2micas de cobertura em vez de pinos met\u00e1licos nos SLT, e tinham contatos met\u00e1licos na superf\u00edcie superior em vez de pinos. Os clipes na placa mantinham o m\u00f3dulo ULD no lugar e se conectavam a esses contatos. <\/p>\n

Por que a IBM usava m\u00f3dulos SLT em vez de circuitos integrados? A principal raz\u00e3o era que os circuitos integrados ainda estavam em seus est\u00e1gios iniciais, tendo sido inventados em 1959. Em 1963, os m\u00f3dulos SLT ofereciam vantagens de custo e desempenho em compara\u00e7\u00e3o com os circuitos integrados. No entanto, os m\u00f3dulos SLT eram frequentemente vistos como obsoletos em compara\u00e7\u00e3o com os circuitos integrados. Uma das vantagens dos m\u00f3dulos SLT sobre os circuitos integrados era que os resistores nos SLT eram muito mais precisos do que nos circuitos integrados. Durante a fabrica\u00e7\u00e3o, os resistores de filme grosso nos m\u00f3dulos SLT eram cuidadosamente jateados para remover o filme resistivo at\u00e9 que atingissem a resist\u00eancia desejada. Os m\u00f3dulos SLT tamb\u00e9m eram mais baratos do que circuitos integrados compar\u00e1veis na d\u00e9cada de 1960.<\/p>\n

Os LVDC e o equipamento associado usaram mais de 50 tipos diferentes de ULD.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nOs m\u00f3dulos SLT (\u00e0 esquerda) s\u00e3o significativamente maiores que os m\u00f3dulos ULD (\u00e0 direita). O tamanho do ULD \u00e9 7,6 mm \u00d7 8 mm.<\/i> <\/p>\n

Na foto abaixo est\u00e3o os componentes internos do m\u00f3dulo ULD. \u00c0 esquerda, na placa de cer\u00e2mica, podem ser vistos condutores conectados a quatro pequenos cristais de sil\u00edcio quadrados. Isso se assemelha a um circuito impresso, mas tenha em mente que \u00e9 muito menor que uma unha. Os ret\u00e2ngulos pretos \u00e0 direita s\u00e3o resistores de filme espesso impressos na parte inferior da placa.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nULD, vista de cima e de baixo. Os cristais de sil\u00edcio e resistores s\u00e3o vis\u00edveis. Enquanto os m\u00f3dulos SLT tinham resistores na superf\u00edcie superior, os m\u00f3dulos ULD tinham resistores na parte inferior, o que aumentava a densidade e tamb\u00e9m o custo.<\/i> <\/p>\n

Na fotografia abaixo, v\u00ea-se um cristal de sil\u00edcio do m\u00f3dulo ULD que realizava dois diodos. As dimens\u00f5es s\u00e3o extraordinariamente pequenas; para compara\u00e7\u00e3o, cristais de a\u00e7\u00facar est\u00e3o ao lado. O cristal tinha tr\u00eas conex\u00f5es externas atrav\u00e9s de esferas de cobre soldadas a tr\u00eas c\u00edrculos. Os dois c\u00edrculos inferiores (\u00e2nodos dos dois diodos) estavam dopados (\u00e1reas mais escuras), enquanto o c\u00edrculo superior direito era o c\u00e1todo, conectado \u00e0 base.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nFotografia de um cristal de sil\u00edcio com dois diodos ao lado de cristais de a\u00e7\u00facar.<\/i> <\/p>\n

Como funciona a mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos.<\/h2>\n

\nA mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos foi a principal forma de armazenamento de dados em computadores desde os anos 1950, at\u00e9 ser substitu\u00edda por dispositivos de mem\u00f3ria semicondutores na d\u00e9cada de 1970. A mem\u00f3ria era feita de pequenos an\u00e9is de ferrite, chamados n\u00facleos. Os an\u00e9is de ferrite eram dispostos em uma matriz retangular, e atrav\u00e9s de cada anel passavam de dois a quatro fios para ler e gravar informa\u00e7\u00f5es. Os an\u00e9is permitiam armazenar um bit de informa\u00e7\u00e3o. O n\u00facleo era magnetizado por um pulso de corrente atrav\u00e9s dos fios que passavam pelo anel de ferrite. A dire\u00e7\u00e3o da magnetiza\u00e7\u00e3o de um n\u00facleo podia ser alterada enviando um pulso na dire\u00e7\u00e3o oposta.<\/p>\n

Para ler o valor do n\u00facleo, o pulso de corrente colocava o anel no estado 0. Se anteriormente o n\u00facleo estivesse no estado 1, o campo magn\u00e9tico em mudan\u00e7a geraria uma tens\u00e3o em um dos fios que atravessam os n\u00facleos. Mas se o n\u00facleo j\u00e1 estivesse no estado 0, o campo magn\u00e9tico n\u00e3o teria mudado, e a tens\u00e3o no fio de leitura n\u00e3o se elevaria. Assim, o valor do bit no n\u00facleo era lido resetando-o para zero e verificando a tens\u00e3o no fio de leitura. Uma caracter\u00edstica importante da mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos era que o processo de leitura do anel de ferrite destru\u00eda seu valor, portanto, o n\u00facleo precisava ser \"reescrito\".<\/p>\n

Usar um fio separado para mudar a magnetiza\u00e7\u00e3o de cada n\u00facleo era inconveniente, mas na d\u00e9cada de 1950, foi desenvolvida a mem\u00f3ria de ferrite, que funcionava com o princ\u00edpio de coincid\u00eancia de correntes. O circuito com quatro fios \u2014 X, Y, leitura, inibi\u00e7\u00e3o \u2014 se tornou padr\u00e3o. A tecnologia aproveitava uma propriedade especial dos n\u00facleos, chamada histerese: uma corrente pequena n\u00e3o afetava a mem\u00f3ria de ferrite, mas uma corrente acima de um determinado limite magnetizaria o n\u00facleo. Ao aplicar uma tens\u00e3o com metade da corrente necess\u00e1ria em uma linha X e uma linha Y, apenas o n\u00facleo onde as duas linhas se cruzam recebia corrente suficiente para ser remagnetizado, enquanto os outros n\u00facleos permaneciam intocados. <\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nEssa era a mem\u00f3ria do IBM 360 Model 50. O LVDC e o modelo 50 utilizavam n\u00facleos de um tipo, conhecidos como 19-32, porque seu di\u00e2metro interno era de 19 mil (0,4826 mm) e seu di\u00e2metro externo era de 32 mil (0,8 mm). Nesta foto, pode-se ver que tr\u00eas fios passam por cada n\u00facleo, mas o LVDC utilizou quatro fios.<\/i> <\/p>\n

Abaixo est\u00e1 uma foto de uma matriz retangular de mem\u00f3ria LVDC. Esta matriz possui 128 fios X que v\u00e3o verticalmente e 64 fios Y que v\u00e3o horizontalmente, com um n\u00facleo em cada interse\u00e7\u00e3o. O \u00fanico fio de leitura passa por todos os fios paralelamente aos fios Y. O fio de escrita e o fio de inibi\u00e7\u00e3o passam por todos os fios paralelamente aos fios X. Os fios se cruzam no meio da matriz; isso reduz o ru\u00eddo induzido, pois o ru\u00eddo de uma metade neutraliza o ru\u00eddo da outra metade.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nUma matriz de mem\u00f3ria ferr\u00edtica LVDC, contendo 8192 bits. A conex\u00e3o com outras matrizes \u00e9 realizada atrav\u00e9s de pinos na parte externa.<\/i> <\/p>\n

A matriz acima tinha 8192 elementos, cada um dos quais armazenava um bit. Para armazenar uma palavra de mem\u00f3ria, v\u00e1rias matrizes base eram sobrepostas, uma para cada bit da palavra. Os fios X e Y serpenteavam por todas as matrizes principais. Cada matriz tinha uma linha separada para leitura e uma linha de bloqueio para grava\u00e7\u00e3o. A mem\u00f3ria LVDC usava uma pilha de 14 matrizes base (abaixo), armazenando um \"s\u00edlaba\" de 13 bits junto com um bit de paridade. <\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nA pilha LVDC consiste em 14 matrizes principais.<\/i> <\/p>\n

A grava\u00e7\u00e3o na mem\u00f3ria de n\u00facleos magn\u00e9ticos exigia fios adicionais, conhecidos como linhas de bloqueio. Cada matriz tinha uma linha de bloqueio que atravessava todos os n\u00facleos nela. Durante o processo de grava\u00e7\u00e3o, a corrente passava pelas linhas X e Y, re-magnetizando os an\u00e9is selecionados (um por plano) para o estado 1, mantendo todos os 1 na palavra. Para gravar 0 na posi\u00e7\u00e3o de bit, a linha era alimentada com corrente reduzida, oposta \u00e0 linha X. Como resultado, os n\u00facleos permaneciam com o valor 0. Assim, a linha de bloqueio impedia que o n\u00facleo mudasse para 1. Qualquer palavra desejada poderia ser gravada na mem\u00f3ria ativando as linhas de bloqueio correspondentes.<\/p>\n

M\u00f3dulo de mem\u00f3ria LVDC.<\/h2>\n

\nComo o m\u00f3dulo de mem\u00f3ria LVDC \u00e9 fisicamente constru\u00eddo? No centro do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria est\u00e1 a pilha de 14 matrizes de mem\u00f3ria ferromagn\u00e9tica, mostradas anteriormente. Ela \u00e9 cercada por v\u00e1rias placas com circuitos para gerenciar os fios X e Y e as linhas de bloqueio, linhas de leitura de bits, detec\u00e7\u00e3o de erros e gera\u00e7\u00e3o dos sinais de clock necess\u00e1rios. <\/p>\n

Na verdade, a maior parte dos circuitos relacionados \u00e0 mem\u00f3ria est\u00e1 na l\u00f3gica de computador LVDC, e n\u00e3o no pr\u00f3prio m\u00f3dulo de mem\u00f3ria. Em particular, a l\u00f3gica do computador cont\u00e9m registradores para armazenar endere\u00e7os e palavras de dados, e convers\u00e3o entre sequencial e paralelo. Tamb\u00e9m cont\u00e9m o circuito de leitura das linhas de leitura de bits, verifica\u00e7\u00e3o de erros e temporiza\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nM\u00f3dulo de mem\u00f3ria com indica\u00e7\u00e3o dos componentes principais. MIB (Multilayer Interconnection Board) \u00e9 uma placa de circuito impresso de 12 camadas.<\/i> <\/p>\n

Placa de driver de mem\u00f3ria Y.<\/h2>\n

\nA palavra na mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos \u00e9 selecionada ao passar pelas linhas X e Y correspondentes atrav\u00e9s da pilha principal de placas. Come\u00e7aremos descrevendo o esquema do driver Y e como ele gera o sinal atrav\u00e9s de uma das 64 linhas Y. Em vez de 64 circuitos de drivers separados, o m\u00f3dulo reduz o n\u00famero de circuitos usando 8 drivers \"altos\" e 8 drivers \"baixos\". Eles est\u00e3o conectados em uma configura\u00e7\u00e3o \"matricial\", portanto, cada combina\u00e7\u00e3o de drivers altos e baixos seleciona diferentes linhas. Assim, 8 drivers \"altos\" e 8 drivers \"baixos\" escolhem uma das 64 (8 \u00d7 8) linhas Y. <\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nA placa do driver Y (lado frontal) controla as linhas de sele\u00e7\u00e3o Y na pilha de placas<\/i> <\/p>\n

Na foto abaixo, pode-se ver alguns dos m\u00f3dulos ULD (brancos) e pares de transistores (dourados) que controlam as linhas de sele\u00e7\u00e3o Y. O m\u00f3dulo \"EI\" \u00e9 o cora\u00e7\u00e3o do driver: ele fornece um pulso de tens\u00e3o cont\u00ednua (E) ou passa um pulso de corrente cont\u00ednua (I) atrav\u00e9s da linha de sele\u00e7\u00e3o. A linha de sele\u00e7\u00e3o \u00e9 controlada pela ativa\u00e7\u00e3o do m\u00f3dulo EI em modo de tens\u00e3o em uma extremidade da linha e do m\u00f3dulo EI em modo de corrente na outra extremidade. O resultado \u00e9 um pulso com a tens\u00e3o e a corrente corretas, suficientes para re-magnificar o n\u00facleo. Um grande pulso \u00e9 necess\u00e1rio para inverter; o pulso de tens\u00e3o \u00e9 fixado em 17 volts, e a corrente varia de 180 mA a 260 mA dependendo da temperatura. <\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nMacrofotografia da placa do driver Y, mostrando seis m\u00f3dulos ULD e seis pares de transistores. Cada m\u00f3dulo ULD \u00e9 rotulado com o n\u00famero da pe\u00e7a da IBM, o tipo de m\u00f3dulo (por exemplo, \"EI\") e um c\u00f3digo cujo valor n\u00e3o foi esclarecido.<\/i> <\/p>\n

A placa tamb\u00e9m \u00e9 equipada com m\u00f3dulos de rastreamento de erros (ED), que detectam quando mais de uma linha de sele\u00e7\u00e3o Y \u00e9 ativada simultaneamente. O m\u00f3dulo ED usa uma solu\u00e7\u00e3o semian\u00e1loga simples: ele soma as tens\u00f5es de entrada, utilizando uma rede de resistores. Se a tens\u00e3o resultante estiver acima do limite, a chave \u00e9 ativada. <\/p>\n

Sob a placa do driver, h\u00e1 uma matriz de diodos contendo 256 diodos e 64 resistores. Esta matriz converte 8 pares superiores e 8 pares inferiores de sinais da placa de drivers em conex\u00f5es com 64 linhas Y, que passam pela pilha principal de placas. Fios flex\u00edveis na parte superior e inferior da placa conectam a placa \u00e0 matriz de diodos. Dois cabos flex\u00edveis \u00e0 esquerda (n\u00e3o vis\u00edveis na foto) e duas barras \u00e0 direita (uma vis\u00edvel) conectam a matriz de diodos ao array de n\u00facleos. O cabo flex\u00edvel vis\u00edvel \u00e0 esquerda conecta a placa Y ao restante do computador por meio da placa de entrada\/sa\u00edda, enquanto um pequeno cabo flex\u00edvel no canto inferior direito se conecta \u00e0 placa do gerador de clock.<\/p>\n

Placa do driver de mem\u00f3ria X<\/h2>\n

\nO esquema para controlar as linhas X \u00e9 semelhante ao esquema Y, exceto que existem 128 linhas X e 64 linhas Y. Como h\u00e1 o dobro de fios X, o m\u00f3dulo possui uma segunda placa de drivers X instalada abaixo dela. Embora as placas X e Y tenham componentes id\u00eanticos, a fia\u00e7\u00e3o \u00e9 diferente.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nEsta placa e a similar abaixo dela controlam as linhas X selecionadas na pilha de placas com n\u00facleos.<\/i> <\/p>\n

Na foto abaixo, \u00e9 vis\u00edvel que alguns componentes na placa foram danificados. Um dos transistores est\u00e1 deslocado, o m\u00f3dulo ULD est\u00e1 quebrado ao meio e outro se partiu. A fia\u00e7\u00e3o \u00e9 vis\u00edvel no m\u00f3dulo quebrado, onde est\u00e1 um dos pequenos cristais de sil\u00edcio (\u00e0 direita). Esta foto tamb\u00e9m pode mostrar tra\u00e7os das trilhas condutoras verticais e horizontais na placa de circuito impresso de 12 camadas.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nClose-up da \u00e1rea danificada da placa<\/i> <\/p>\n

Sob as placas de drivers X h\u00e1 uma matriz de diodos X contendo 288 diodos e 128 resistores. A matriz de diodos X utiliza uma topologia diferente da placa de diodos Y para evitar a duplica\u00e7\u00e3o do n\u00famero de componentes. Assim como a placa de diodos Y, esta placa cont\u00e9m componentes instalados verticalmente entre duas placas de circuito impresso. Este m\u00e9todo \u00e9 chamado de \"cordwood\" e permite uma embalagem densa dos componentes.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nA macrofotografia da matriz de diodos X mostra diodos instalados verticalmente pelo m\u00e9todo cordwood entre 2 placas de circuito impresso. Duas placas de drivers X est\u00e3o acima da placa de diodos, separadas por espuma de poliuretano. Observe que as placas est\u00e3o posicionadas muito pr\u00f3ximas umas das outras.<\/i> <\/p>\n

Amplificadores de mem\u00f3ria<\/h2>\n

\nAbaixo est\u00e1 a placa do amplificador de leitura. Possui 7 canais para ler 7 bits da pilha de mem\u00f3ria; a placa id\u00eantica abaixo processa mais 7 bits, totalizando 14 bits. A tarefa do amplificador de leitura \u00e9 detectar um sinal fraco (20 milivolts) gerado pelo n\u00facleo magn\u00e9tico e convert\u00ea-lo em uma sa\u00edda de 1 bit. Cada canal consiste em um amplificador diferencial e um buffer, seguido por um transformador diferencial e um fixador de sa\u00edda. \u00c0 esquerda, um cabo flex\u00edvel de 28 vias \u00e9 conectado \u00e0 pilha de mem\u00f3ria, levando as duas extremidades de cada fio de leitura ao circuito do amplificador, come\u00e7ando pelo m\u00f3dulo MSA-1 (amplificador de leitura da mem\u00f3ria). Os componentes individuais incluem resistores (cilindros marrons), capacitores (vermelhos), transformadores (pretos) e transistores (dourados). Os bits de dados saem das placas do amplificador de leitura atrav\u00e9s do cabo flex\u00edvel \u00e0 direita.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nA placa do amplificador de leitura est\u00e1 na parte superior do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria. Esta placa amplifica os sinais dos fios sensores para criar bits de sa\u00edda.<\/i> <\/p>\n

Driver da linha de proibi\u00e7\u00e3o de grava\u00e7\u00e3o.<\/h2>\n

\nOs drivers de proibi\u00e7\u00e3o s\u00e3o usados para grava\u00e7\u00e3o na mem\u00f3ria e est\u00e3o na parte inferior do m\u00f3dulo principal. Existem 14 linhas de proibi\u00e7\u00e3o, uma para cada matriz na pilha. Para gravar um bit 0, o driver de bloqueio correspondente \u00e9 ativado, e a corrente pela linha de proibi\u00e7\u00e3o impede a comuta\u00e7\u00e3o do n\u00facleo para 1. Cada linha \u00e9 controlada pelos m\u00f3dulos ID-1 e ID-2 (driver da linha de proibi\u00e7\u00e3o de grava\u00e7\u00e3o) e por um par de transistores. Resistores de alta precis\u00e3o de 20,8 Ohm na parte superior e inferior da placa regulam a corrente de bloqueio. Um cabo flex\u00edvel de 14 vias \u00e0 direita conecta os drivers \u00e0s 14 linhas de proibi\u00e7\u00e3o na pilha de placas com n\u00facleos.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nA placa de proibi\u00e7\u00e3o na parte inferior do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria. Esta placa gera 14 sinais de proibi\u00e7\u00e3o usados durante a grava\u00e7\u00e3o.<\/i> <\/p>\n

Mem\u00f3ria do driver de rel\u00f3gio.<\/h2>\n

\nO driver de rel\u00f3gio \u00e9 um par de placas que geram sinais de sincroniza\u00e7\u00e3o para o m\u00f3dulo de mem\u00f3ria. Assim que o computador inicia uma opera\u00e7\u00e3o com a mem\u00f3ria, v\u00e1rios sinais de sincroniza\u00e7\u00e3o utilizados pelo m\u00f3dulo de mem\u00f3ria s\u00e3o gerados de forma ass\u00edncrona pelo driver de rel\u00f3gio do m\u00f3dulo. As placas do driver de rel\u00f3gio est\u00e3o na parte inferior do m\u00f3dulo, entre a pilha e a placa de proibi\u00e7\u00e3o, portanto as placas s\u00e3o pouco vis\u00edveis.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nAs placas do driver de clock est\u00e3o abaixo da pilha principal de mem\u00f3ria, mas acima da placa de bloqueio.<\/i> <\/p>\n

Os componentes azuis da placa na foto acima s\u00e3o potenci\u00f4metros de m\u00faltiplas voltas, presumivelmente para ajustar o tempo ou a tens\u00e3o. Resistores e capacitores tamb\u00e9m s\u00e3o vis\u00edveis nas placas. O diagrama mostra v\u00e1rios m\u00f3dulos MCD (Memory Clock Driver), mas nenhum m\u00f3dulo \u00e9 vis\u00edvel nas placas. \u00c9 dif\u00edcil dizer se isso est\u00e1 relacionado \u00e0 visibilidade limitada, a uma altera\u00e7\u00e3o no esquema ou \u00e0 presen\u00e7a de outra placa com esses m\u00f3dulos.<\/p>\n

Painel de entrada e sa\u00edda de mem\u00f3ria<\/h2>\n

\nA \u00faltima placa do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria \u00e9 o painel de entrada e sa\u00edda, que distribui sinais entre as placas do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria e o restante do computador LVDC. O conector verde de 98 pinos na parte inferior se conecta ao chassi de mem\u00f3ria LVDC, fornecendo sinais e energia ao computador. A maior parte dos conectores de pl\u00e1stico est\u00e1 quebrada, deixando os contatos vis\u00edveis. A placa de distribui\u00e7\u00e3o est\u00e1 conectada a esse conector por meio de dois cabos flex\u00edveis de 49 pinos na parte inferior (somente o cabo frontal \u00e9 vis\u00edvel). Outros cabos flex\u00edveis distribuem sinais para a placa X-driver (\u00e0 esquerda), para a placa Y-driver (\u00e0 direita), para a placa do amplificador de leitura (na parte superior) e para a placa de proibi\u00e7\u00e3o (na parte inferior). 20 capacitores na placa filtram a energia fornecida ao m\u00f3dulo de mem\u00f3ria.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nPlaca de entrada e sa\u00edda entre o m\u00f3dulo de mem\u00f3ria e o restante do computador. O conector verde na parte inferior se conecta ao computador e esses sinais s\u00e3o encaminhados atrav\u00e9s de cabos planos para outras partes do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria.<\/i> <\/p>\n

Sa\u00edda<\/h2>\n

\nO m\u00f3dulo de mem\u00f3ria LVDC ofereceu uma armazenagem compacta e confi\u00e1vel. At\u00e9 8 m\u00f3dulos de mem\u00f3ria podiam ser colocados na metade inferior do computador. Isso permitiu que o computador armazenasse 32 kilowords <\/a><\/noindex>palavras de 26 bits ou 16 kilowords em um modo de opera\u00e7\u00e3o de alto desempenho com redund\u00e2ncia \"duplex\".<\/p>\n

Uma caracter\u00edstica interessante do LVDC era que os m\u00f3dulos de mem\u00f3ria podiam ser espelhados para maior confiabilidade. No modo \"duplex\", cada palavra era armazenada em dois m\u00f3dulos de mem\u00f3ria. Se um m\u00f3dulo apresentasse um erro, a palavra correta poderia ser obtida do outro m\u00f3dulo. Embora isso proporcionasse confiabilidade, reduzia a capacidade de mem\u00f3ria pela metade. Alternativamente, os m\u00f3dulos de mem\u00f3ria poderiam ser usados no modo \"simplex\", onde cada palavra era armazenada uma \u00fanica vez.<\/p>\n

\"Mem\u00f3ria
\nO LVDC acomodava at\u00e9 oito m\u00f3dulos de mem\u00f3ria do processador<\/i> <\/p>\n

O m\u00f3dulo de mem\u00f3ria em n\u00facleos magn\u00e9ticos permite ter uma no\u00e7\u00e3o do tempo em que era necess\u00e1rio um m\u00f3dulo de 5 libras (2,3 kg) para armazenar 8 KB. No entanto, essa mem\u00f3ria era bastante avan\u00e7ada para sua \u00e9poca. Dispositivos semelhantes deixaram de ser usados na d\u00e9cada de 1970 com o advento da DRAM de semicondutores.<\/p>\n

O conte\u00fado da mem\u00f3ria RAM \u00e9 mantido mesmo com a energia desligada, portanto, \u00e9 muito prov\u00e1vel que o m\u00f3dulo ainda armazene software desde a \u00faltima utiliza\u00e7\u00e3o do computador. Sim, pode-se encontrar algo interessante at\u00e9 d\u00e9cadas depois. Seria intrigante tentar recuperar esses dados, mas um circuito danificado cria um problema, portanto, o conte\u00fado provavelmente n\u00e3o poder\u00e1 ser recuperado do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria por mais d\u00e9cadas.<\/p>\n

O que mais \u00e9 \u00fatil para ler no blog Cloud4Y<\/a><\/noindex><\/b><\/p>\n

\u2192 Easter eggs em mapas topogr\u00e1ficos da Su\u00ed\u00e7a<\/a><\/noindex>
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