Trecerea de la siliciu la semiconductori cu bandă interzisă largă (nitrură de galiniu, carburi de siliciu și altele) permite creșterea semnificativă a frecvențelor de operare și îmbunătățirea eficienței soluțiilor. Așadar, una dintre domeniile de aplicare promițătoare ale cipurilor și tranzistoarelor cu bandă largă este comunicația și radarele. Electronica bazată pe soluțiile GaN oferă un plus de putere și o extensie a razei de acțiune a radarelor, ceea ce a fost imediat valorificat de forțele armate.
Compania Lockheed Martin , ceea ce a dus la livrarea primelor unități mobile de radare (RLS) bazate pe electronica cu elemente din nitrură de galiniu către trupele statelor Unite. Nu s-au inventat nimic nou în cadrul companiei. Radarul de contrabaterie AN/TPQ-53, adoptat începând din 2010, a fost transformat pentru a utiliza baza de elemente GaN. Acesta este primul și, până în prezent, singurul radar din lume bazat pe semiconductori cu bandă largă.
Datorită trecerii la componentele active GaN, radarul AN/TPQ-53 a îmbunătățit raza de detecție a pozițiilor de artilerie îngropată și a câștigat capacitatea de a urmări simultan ținte aeriene. În particular, radarul AN/TPQ-53 a început să fie folosit împotriva dronelor, inclusiv a aparatelor mici. Identificarea pozițiilor de artilerie îngropată poate fi efectuată atât în sectorul de 90 de grade, cât și cu o vizibilitate circulară de 360 de grade.
Compania Lockheed Martin este singurul furnizor de radare cu Faza Activă (antena cu fazare) pentru trupele Statelor Unite. Trecerea la o bază de elemente GaN îi permite să se aștepte la o continuare a poziției sale de lider pe termen lung în domeniul dezvoltării și producției instalatiilor radar.
Sursa: 3dnews.ru
