Singurul dezvoltator din lume de circuite integrate de memorie magnetorezistivă MRAM, compania Everspin Technologies, își continuă îmbunătățirea tehnologiilor de producție. Astăzi, Everspin și compania GlobalFoundries să dezvolte împreună tehnologia de producție a circuitelor STT-MRAM cu norme de 12 nm și transistori FinFET.
Everspin are în portofoliu peste 650 de brevete și aplicații legate de memoria MRAM. Aceasta este o memorie, iar scrierea în celulă este asemănătoare cu scrierea informațiilor pe un disc magnetic. Spre deosebire de circuite, fiecare celulă are propria sa (condiționată) cap magnetic. Memoria STT-MRAM, care a înlocuit-o, pe baza efectului de transfer a momentului de spin al electronului, funcționează cu consum energetic și mai redus, deoarece se utilizează curenți mai mici în modurile de scriere și citire.
Inițial, memoria MRAM era produsă la comanda Everspin de către compania NXP în fabrica sa din SUA. În 2014, Everspin a încheiat un acord de colaborare cu compania GlobalFoundries. Împreună, au început să dezvolte tehnologiile de producție pentru MRAM discretă și integrată (STT-MRAM) utilizând tehnologii avansate.
În timp, la GlobalFoundries a fost organizată producția de cipuri STT-MRAM de 40 nm și 28 nm (terminând cu noul cip STT-MRAM de 1 Gbit), iar procesul tehnologic 22FDX a fost pregătit pentru integrarea aranjamentelor STT-MRAM în controlere cu utilizarea procesului de 22 nm pe plăci FD-SOI. Noul acord între Everspin și GlobalFoundries va duce la transferul producției de circuite STT-MRAM pe un proces tehnologic de 12 nm.
Memoria MRAM se apropie de viteza memoriei SRAM și poate înlocui potențial aceasta în controlere pentru Internetul Lucrurilor. De asemenea, este energetic independentă și mult mai rezistentă la uzură decât memoria NAND obișnuită. Trecerea la normele de 12 nm va permite creșterea densității de stocare MRAM, care este principalul său dezavantaj.
Sursa: 3dnews.ru
