Compania Google a prezentat „Half-Double”, o nouă tehnică de atac de tip RowHammer, care permite modificarea conținutului unor biți pe care îi înmagazinează memoria RAM dinamică (DRAM). Atacul se reproduce pe unele chipseturi DRAM moderne, ale căror producători au reușit să reducă geometria celulelor.
Reamintim că atacurile de tip RowHammer permit distorsionarea conținutului unor biți din memorie prin citirea ciclică a datelor din celulele de memorie adiacente. Deoarece memoria DRAM reprezintă un aranjament bidimensional al celulelor, fiecare dintre ele constând dintr-un condensator și un transistor, efectuarea unei citiri continue asupra aceleași zone de memorie duce la fluctuații de tensiune și anomalii care provoacă o mică pierdere de sarcină în celulele învecinate. Dacă intensitatea citirii este suficient de mare, celula adiacentă poate pierde o cantitate semnificativă de sarcină, iar ciclul de regenerare ulterior nu reușește să restabilească starea inițială, conducând la modificarea valorii stocate în celulă.
Pentru a se Proteja împotriva RowHammer, producătorii de cipuri au implementat mecanismul TRR (Target Row Refresh), care apără împotriva distorsionării celulelor din rândurile adiacente. Metoda Half-Double permite ocolirea acestei protecții prin manipularea faptului că distorsiunile nu sunt limitate la rândurile adiacente și se răspândesc și la alte rânduri de memorie, deși într-o măsură mai mică. Inginerii Google au demonstrat că, pentru rândurile de memorie „A”, „B” și „C”, se poate ataca rândul „C” în timp ce se are un acces foarte intens la rândul „A” și o activitate mică care afectează rândul „B”. Accesările la rândul „B” în timpul atacului activează o scurgere non-liniară de sarcini și permite utilizarea rândului „B” ca transport pentru transmiterea efectului Rowhammer de la rândul „A” la „C”.
Spre deosebire de atacul TRRespass, care manipulează neajunsurile din diferitele implementări ale mecanismului de prevenire a distorsionării celulelor, atacul Half-Double se bazează pe proprietățile fizice ale substratului de siliciu. Half-Double arată că efectele care conduc la Rowhammer sunt probabil o caracteristică a distanței, nu a apropierii directe a celulelor. Pe măsură ce geometria celulelor din chipseturile moderne se micșorează, raza de influență a distorsiunilor crește. Nu este exclus ca efectul să fie observat la o distanță de mai mult de două rânduri.
Se remarcă faptul că, împreună cu asociația JEDEC, au fost elaborați mai multe propuneri cu analiza unor posibile căi de blocare a acestor atacuri. Informațiile despre metodă au fost dezvăluite, deoarece Google consideră că cercetarea realizată extinde semnificativ înțelegerea fenomenului Rowhammer și subliniază importanța cooperării între cercetători, producători de cipuri și alte părți interesate în dezvoltarea unei soluții complete și pe termen lung pentru protecție.
Sursa: opennet.ro
