Modulele de memorie bazate pe cipurile Samsung B-die sunt, probabil, unele dintre cele mai populare opțiuni în rândul entuziastilor. Cu toate acestea, producătorul sud-coreean le consideră depășite și încetează în prezent producția acestora, oferind în schimb alte cipuri de memorie DDR4, pentru care se aplică procese tehnologice mai noi. Aceasta înseamnă că ciclul de viață al modulelor de memorie DDR4 nebuforizate Samsung, bazate pe cipurile B-die, s-a încheiat, iar în curând acestea vor dispărea de pe piață. Furnizorii altor module similare vor înceta, de asemenea, livrările, inclusiv cei care utilizează cipuri Samsung B-die în produsele lor.
Cipurile Samsung B-die și modulele de memorie bazate pe acestea au câștigat o recunoaștere largă datorită versatilității și potențialului de overclocking. Ele se scalază excelent în frecvență, au o reacție bună la creșterea tensiunii de alimentare și permit funcționarea la latențe foarte agresive. Un alt avantaj important al modulelor bazate pe cipuri Samsung B-die este compatibilitatea lor largă cu diverse controlere de memorie, ceea ce le face foarte apreciate de proprietarii sistemelor bazate pe procesoare Ryzen.
Cu toate acestea, pentru producția cipurilor B-die se folosește un proces tehnologic destul de vechi, cu normative de 20 nm, prin urmare dorința companiei Samsung de a renunța la fabricarea acestor dispozitive semiconductoare în favoarea unor alternative mai moderne este pe deplin justificată. Recent, compania a anunțat începutul producerii cipurilor DDR4 SDRAM utilizând tehnologia de 1z nm (a treia generație), iar cipurile fabricate pe procesul tehnologic cu normative de 1y nm (a doua generație) sunt deja disponibile de mai bine de un an și jumătate. Producătorul încurajează tranziția la aceste cipuri. Cipurile B-die au primit oficial statutul EOL (End of Life) - sfârșitul ciclului de viață.
În locul legendarelor cipuri Samsung B-die, se vor răspândi acum alte oferte. Etapele de producție de masă au ajuns la cipurile M-die, pentru care se folosește un proces tehnologic cu standarde de 1y nm. De asemenea, cipurile A-die, fabricate după o tehnologie chiar mai avansată, cu standarde de 1z nm, au ajuns la etapa de producție de calificare. Aceasta înseamnă că memoria pe cipurile M-die va fi disponibilă în curând, iar modulele construite pe circuite integrate A-die vor deveni accesibile utilizatorilor în termen de șase luni.
Principalul avantaj al noilor cipuri de memorie cu nuclee actualizate, pe lângă procesele tehnologice moderne și un potențial mai ridicat de frecvență, este și capacitatea lor crescută. Acestea permit producerea modulelor DDR4 de memorie unilaterale cu o capacitate de 16 GB și module bilaterale cu o capacitate de 32 GB, ceea ce anterior era imposibil.
Merită să ne amintim că în această vară ne putem aștepta la modificări semnificative în nomenclatura modulelor de memorie DDR4 SDRAM disponibile pe piață. Pe lângă noile cipuri Samsung, pe modulele de memorie ar trebui, de asemenea, să înceapă utilizarea cipurilor E-die de la Micron și C-die de la SK Hynix. Este foarte probabil ca toate aceste modificări să conducă la o creștere nu doar a volumului mediu, ci și a potențialului de frecvență al modulelor DDR4 SDRAM de consum.
Sursa: 3dnews.ru
