Conform datelor din surse de industrie din Taiwan, la care se referă resursa online DigiTimes, producătorul chinez de memorii ChangXin Memory Technologies (CXMT) se pregătește intens pentru producția de masă a memoriei LPDDR4. Compania ChangXin, cunoscută și sub numele de Innotron Memory, a dezvoltat un proces propriu de fabricație DRAM utilizând norme tehnologice de 19 nm.
Pentru lansarea comercială a memoriei la prima sa unitate de 300 mm, ChangXin ar fi trebuit în prima jumătate a anului 2019. Din păcate, acest lucru nu s-a întâmplat încă. Începerea producției de chipuri de 8 Gb DDR4 LPDDR4 va fi însoțită de extinderea capacităților la 20.000 de substraturi de siliciu de 300 mm pe lună. Capacitatea maximă a liniilor de producție de la ChangXin atinge 125.000 de plăci de 300 mm pe lună. Dar aceasta nu este limita. Compania a anunțat că va începe construcția unei a doua fabrici pentru procesarea substraturilor de 300 mm cu memorie anul viitor.
În același timp, acest producător chinez ar putea întâmpina probleme de altă natură. Reamintim că prima companie chineză care intenționa să înceapă producția de masă a memoriei DRAM, Fujian Jinhua, a a SUA, interzicându-i achiziționarea de echipamente de producție de la partenerii americani. În Taiwan, se consideră că ChangXin se va confrunta cu aceleași probleme ca Fujian. Mai mult, a angajat ingineri calificați de la fostul filiala taiwaneză a japonezei Elpida, ale cărei afaceri au fost preluate de americanii de la Micron. Analiștii se așteaptă la acțiuni legale împotriva ChangXin din partea Micron și la sancțiuni în cazul unei lipse de reacție din partea Chinei.
Între timp, ChangXin desfășoară cursuri de dezvoltare a procesului de fabricație a memoriei cu norme de 17 nm. Finalizarea dezvoltării este așteptată în 2021. Este probabil ca a doua fabrică ChangXin să înceapă să producă cristale DRAM conform acestor norme. Dacă, desigur, sancțiunile americane și intrigile Micron nu se dovedesc a fi obstacole insurmontabile.
Sursa: 3dnews.ru
