Segmentul de memorie HBM se dezvoltă acum foarte dinamic, deoarece tocmai acesta este utilizat în acceleratoarele de calcul la cererea pieței pentru sistemele de inteligență artificială. Samsung Electronics a anunțat dezvoltarea primului stack HBM12E cu 3 niveluri din lume, cu o capacitate totală de 36 GB, care asigură transferul de informații la o viteză de 1280 GB/s. Sursa imagine: Samsung Electronics
Sursa: 3dnews.ru