TSMC: Trecerea de la 7 nm la 5 nm crește densitatea tranzistorului cu 80%

TSMC săptămâna aceasta deja anunțat stăpânirea unei noi etape a tehnologiilor litografice, denumită N6. Comunicatul de presă a precizat că această etapă a litografiei va fi adusă la stadiul de producere a riscului până în primul trimestru al anului 2020, dar numai transcrierea conferinței trimestriale de raportare TSMC a făcut posibilă aflarea de noi detalii despre momentul dezvoltării așa-numita tehnologie 6-nm.

Trebuie amintit că TSMC produce deja în masă o gamă largă de produse de 7 nm - în ultimul trimestru au format 22% din veniturile companiei. Conform previziunilor managementului TSMC, anul acesta procesele tehnologice N7 și N7+ vor reprezenta cel puțin 25% din venituri. A doua generație a tehnologiei de proces de 7 nm (N7+) implică utilizarea sporită a litografiei ultraviolete ultra-dure (EUV). Totodată, după cum subliniază reprezentanții TSMC, experiența acumulată în timpul implementării procesului tehnic N7+ a fost cea care a permis companiei să ofere clienților procesul tehnic N6, care urmează în totalitate ecosistemul de proiectare N7. Acest lucru permite dezvoltatorilor să treacă de la N7 sau N7+ la N6 în cel mai scurt timp posibil și cu costuri materiale minime. CEO-ul CC Wei și-a exprimat chiar încrederea la conferința trimestrială că toți clienții TSMC care folosesc procesul de 7 nm vor trece la tehnologia de 6 nm. Anterior, într-un context similar, el a menționat disponibilitatea „aproapei tuturor” utilizatorilor tehnologiei de proces de 7 nm a TSMC de a migra la tehnologia de proces de 5 nm.

TSMC: Trecerea de la 7 nm la 5 nm crește densitatea tranzistorului cu 80%

Ar fi potrivit să explicăm ce avantaje oferă tehnologia procesului de 5 nm (N5) realizată de TSMC. După cum a recunoscut Xi Xi Wei, în ceea ce privește ciclul de viață, N5 va fi unul dintre cele mai „de lungă durată” din istoria companiei. În același timp, din punctul de vedere al dezvoltatorului, va diferi semnificativ de tehnologia procesului de 6 nm, astfel încât trecerea la standardele de proiectare de 5 nm va necesita un efort semnificativ. De exemplu, dacă o tehnologie de proces de 6 nm oferă o creștere cu 7% a densității tranzistorului comparativ cu 18nm, atunci diferența dintre 7nm și 5nm va fi de până la 80%. Pe de altă parte, creșterea vitezei tranzistorului nu va depăși 15%, astfel că teza despre încetinirea acțiunii „legii lui Moore” este confirmată în acest caz.

TSMC: Trecerea de la 7 nm la 5 nm crește densitatea tranzistorului cu 80%

Toate acestea nu-l împiedică pe șeful TSMC să susțină că tehnologia de proces N5 va fi „cea mai competitivă din industrie”. Cu ajutorul său, compania se așteaptă nu doar să își mărească cota de piață în segmentele existente, ci și să atragă noi clienți. În contextul stăpânirii tehnologiei de proces de 5 nm, speranțe deosebite sunt puse pe segmentul de soluții pentru calculul de înaltă performanță (HPC). Acum reprezintă nu mai mult de 29% din veniturile TSMC, iar 47% din venituri provin din componente pentru smartphone-uri. În timp, ponderea segmentului HPC va trebui să crească, deși dezvoltatorii de procesoare pentru smartphone-uri vor fi dispuși să stăpânească noi standarde litografice. Dezvoltarea rețelelor de generație 5G va fi, de asemenea, unul dintre motivele creșterii veniturilor în următorii ani, consideră compania.


TSMC: Trecerea de la 7 nm la 5 nm crește densitatea tranzistorului cu 80%

În cele din urmă, CEO-ul TSMC a confirmat începerea producției în serie folosind tehnologia procesului N7+ folosind litografie EUV. Nivelul de randament al produselor adecvate care utilizează această tehnologie de proces este comparabil cu tehnologia 7nm de prima generație. Introducerea EUV, potrivit lui Xi Xi Wei, nu poate oferi profituri economice imediate - în timp ce costurile sunt destul de mari, dar de îndată ce producția „căpătă avânt”, costurile de producție vor începe să scadă într-un ritm tipic pentru ultimii ani.



Sursa: 3dnews.ru

Adauga un comentariu