Potrivit surselor din industrie din Taiwan, care Resursa de internet DigiTimes, producătorul chinez de memorie ChangXin Memory Technologies (CXMT) este în plină desfășurare pregătirea liniilor pentru producția în masă a memoriei LPDDR4. Se spune că ChangXin, cunoscut și sub numele de Innotron Memory, și-a dezvoltat propriul proces de producție DRAM folosind tehnologia de 19 nm.
Pentru producția comercială de memorie la prima sa întreprindere de 300 mm, ChangXin a trebuit în prima jumătate a anului 2019. Din păcate, acest lucru nu s-a întâmplat încă. Dar începerea producției de cipuri DDR8 LPDDR4 de 4 Gbit va fi însoțită de o extindere a capacității la 20 de mii de wafer-uri de siliciu de 300 nm pe lună. Capacitatea maximă a liniilor la întreprinderea ChangXin ajunge la 125 de mii de napolitane de 300 mm pe lună. Dar nici aceasta nu este limita. Compania a spus că va începe construirea unei a doua fabrici anul viitor pentru a procesa plăci de memorie de 300 mm.
În același timp, acest producător chinez se poate confrunta cu probleme de alt tip. Să ne amintim că prima companie chineză care urma să înceapă producția de masă de memorie DRAM a fost Fujian Jinhua. SUA cu interdicția de a cumpăra echipamente de producție de la partenerii americani. În Taiwan, ei cred că ChangXin se va confrunta cu aceleași probleme ca și Fujian. În plus, a recrutat ingineri calificați din fosta subsidiară taiwaneză a japonezului Elpida, a cărei afacere a fost absorbită de americanul Micron. Analiștii se așteaptă la pretenții împotriva ChangXin de la Micron și la sancțiuni dacă partea chineză nu răspunde.
În paralel, ChangXin dezvoltă un proces tehnic pentru producerea de memorie cu standarde de 17 nm. Finalizarea dezvoltării este așteptată în 2021. Probabil, a doua fabrică ChangXin va începe să lucreze cu producția de cristale DRAM cu aceste standarde. Dacă, desigur, sancțiunile SUA și mașinațiunile lui Micron nu devin un obstacol de netrecut în calea ei.
Sursa: 3dnews.ru