Jediný svetový výrobca diskrétnych obvodov magnetorezistívnej pamäte MRAM, spoločnosť Everspin Technologies, naďalej zdokonaľuje technológie výroby. Dnes Everspin a spoločnosť GlobalFoundries spoločne vyvinúť technológiu výroby čipov STT-MRAM s normami 12 nm a transistormi FinFET.
Spoločnosť Everspin má na svojom konte viac ako 650 patentov a prihlášok súvisiacich s pamäťou MRAM. Ide o pamäť, kde zápis do bunky pripomína zápis informácií na magnetickú platňu pevného disku. Iba v prípade čipov má každá bunka svoju (podmienečne) magnetickú hlavu. Nástupca, pamäť STT-MRAM, založená na efekte prenosu spinového momentu elektrónu, pracuje s ešte menšími energetickými nákladmi, keďže sa vykonáva s použitím menších prúdov v režimoch zápisu a čítania.
Počiatočne pamäť MRAM na objednávky Everspin vyrábala spoločnosť NXP vo svojich závodoch v USA. V roku 2014 Everspin uzavrel dohodu o spolupráci so spoločnosťou GlobalFoundries. Spoločne začali vyvíjať technologické procesy výroby diskrétnej a zabudovanej MRAM (STT-MRAM) s využitím pokročilejších technologických procesov.
Postupom času sa v zariadeniach GlobalFoundries podarilo zaviesť výrobu 40-nm a 28-nm čipov STT-MRAM (až po novinku – 1-Gb diskrétny čip STT-MRAM) a pripraviť technologický proces 22FDX na integráciu polí STT-MRAM do ovládačov s využitím 22-nm technologického procesu na doskách FD-SOI. Nová dohoda medzi Everspin a GlobalFoundries povedie k rozšíreniu výroby čipov STT-MRAM na technologický proces 12 nm.
Pamäť MRAM sa rýchlostne približuje pamäti SRAM a potenciálne ju môže nahradiť v ovládačoch pre Internet vecí. Pri tom je nezávislá na energii a oveľa odolnejšia voči opotrebovaniu než bežná pamäť NAND. Prechod na normy 12 nm umožní zvýšiť hustotu zápisu MRAM, čo je jej hlavná nevýhoda.
Zdroj: 3dnews.ru
