Pamäťové moduly vyrobené z čipov Samsung B-die sú snáď jednou z najpopulárnejších možností medzi nadšencami. Južnokórejský výrobca však považuje ich za zastarané a aktuálne zastavuje ich výrobu, ponúkajúc na ich miesto iné DDR4 pamäťové čipy, pri ktorých sa používajú modernejšie technologické procesy. To znamená, že životný cyklus nebufferovaných DDR4 pamäťových modulov Samsung založených na čipoch B-die sa v súčasnosti skončil a čoskoro vymiznú z predaja. Dodávky takýchto modulov ukončia aj ďalší výrobcovia, ktorí vo svojich výrobkoch používajú čipy Samsung B-die.
Čipy Samsung B-die a pamäťové moduly na ich báze si získali široké uznanie vďaka univerzálnosti a možnosti pre overclocking. Výborne sa škálujú podľa frekvencie, dobre reagujú na zvyšovanie napätia a umožňujú fungovanie pri veľmi agresívnych časovaniach. Samostatným dôležitým plusom modulov na báze čipov Samsung B-die je ich nenáročnosť a široká kompatibilita s rôznymi pamäťovými kontrolérmi, kvôli čomu sú obzvlášť obľúbené medzi vlastníkov systémov na báze procesorov Ryzen.
Pre výrobu čipov B-die sa však používa pomerne starý technologický proces s normami 20 nm, preto je pochopiteľné, že spoločnosť Samsung sa rozhodla ukončiť výrobu týchto polovodičových zariadení v prospech modernejších alternatív. Nedávno spoločnosť oznámila začiatok výroby čipov DDR4 SDRAM s technológiou 1z-nm (tretej generácie), zatiaľ čo čipy vyrobené podľa technologického procesu s normami 1y-nm (druhej generácie) sa vyrábajú už viac ako jeden a pol roka. Na ne výrobca vyzýva na prechod. Čipom B-die bol oficiálne stanovený status EOL (End of Life) – ukončenie životného cyklu.
Miesto legendárnych čipov Samsung B-die teraz získavajú obľubu iné možnosti. Etapy hromadnej výroby dosiahli čipy M-die, pričom výrobný proces využíva normy 1y nm. Čipy A-die, vyrábané ešte pokrokovejšou technológiou s normami 1z nm, dostali dokonca aj do fázy kvalifikačnej výroby. To znamená, že pamäť na čipoch M-die sa čoskoro dostane do predaja a moduly založené na mikročipoch A-die budú používateľom dostupné v priebehu pol roka.
Hlavnou výhodou nových pamäťových čipov s vylepšenými jadrami, okrem moderných výrobných procesov a potenciálne vyšších frekvenčných schopností, je aj ich zvýšená kapacita. Umožňujú vyrábať jednostranné moduly DDR4 pamäte s kapacitou 16 GB a obojstranné moduly s kapacitou 32 GB, čo predtým nebolo možné.
Je potrebné pripomenúť, že toto leto môžeme očakávať výrazné zmeny v ponuke existujúcich modulov pamäte DDR4 SDRAM na trhu. Okrem nových čipov Samsung by sa v pamäťových moduloch mali začať používať aj čipy E-die od spoločnosti Micron a C-die od spoločnosti SK Hynix. Je pravdepodobné, že všetky tieto zmeny spôsobia zvýšenie nielen priemerného objemu, ale aj frekvenčného potenciálu priemerných modulov DDR4 SDRAM.
Zdroj: 3dnews.ru
