Pamäťové moduly postavené na čipoch Samsung B-die sú možno jednou z najobľúbenejších možností medzi nadšencami. Juhokórejský výrobca ich však považuje za zastarané a momentálne zastavuje ich výrobu, pričom ponúka náhrady za iné pamäťové čipy DDR4, pri výrobe ktorých sa využívajú novšie technické procesy. To znamená, že pamäťové moduly Samsung DDR4 bez vyrovnávacej pamäte založené na čipoch B-die teraz dosiahli koniec svojho životného cyklu a čoskoro budú vypredané. Podobné moduly prestanú dodávať aj ďalší výrobcovia, ktorí vo svojich produktoch používajú čipy Samsung B-die.
Čipy Samsung B-die a pamäťové moduly na nich založené si získali široké uznanie vďaka svojej všestrannosti a potenciálu pretaktovania. Dokonale frekvenčne škálujú, dobre reagujú na zvýšenie napájacieho napätia a umožňujú prevádzku s extrémne agresívnym časovaním. Samostatnou dôležitou výhodou modulov založených na čipoch Samsung B-die je ich nenáročnosť a široká kompatibilita s rôznymi pamäťovými radičmi, pre ktoré si ich obľúbia najmä majitelia systémov založených na procesoroch Ryzen.
Na výrobu B-die čipov sa však používa pomerne starý technologický proces s 20 nm štandardmi, takže túžba Samsungu opustiť výrobu takýchto polovodičových zariadení v prospech modernejších alternatív je celkom pochopiteľná. Nie je to tak dávno, čo spoločnosť oznámila začiatok výroby čipov DDR4 SDRAM technológiou 1z-nm (tretia generácia) a čipy vyrábané technológiou 1y-nm (druhá generácia) sa vyrábajú už viac ako rok a pol. Práve na tie výrobca nabáda prejsť. Čipy B-die majú oficiálne pridelený status EOL (End of Life) – koniec životného cyklu.
Namiesto legendárnych čipov Samsung B-die sa teraz budú distribuovať iné ponuky. Čipy M-die, ktoré sú vytvorené pomocou 1y nm procesnej technológie, sa dostali do štádia sériovej výroby. Čipy A-die vyrobené pomocou ešte pokročilejšej technológie so štandardmi 1z nm sa tiež dostali do kvalifikačnej fázy výroby. To znamená, že pamäť na čipoch M-die sa začne predávať vo veľmi blízkej budúcnosti a moduly postavené na čipoch A-die budú používateľom dostupné do šiestich mesiacov.
Hlavnou výhodou nových pamäťových čipov s aktualizovanými jadrami je okrem moderných technických procesov a potenciálne vyššieho frekvenčného potenciálu aj ich zvýšená kapacita. Umožňujú výrobu jednostranných pamäťových modulov DDR4 s kapacitou 16 GB a obojstranných modulov s kapacitou 32 GB, čo bolo predtým nemožné.
Je vhodné pripomenúť, že toto leto môžeme očakávať výrazné zmeny v ponuke pamäťových modulov DDR4 SDRAM dostupných na trhu. Okrem nových čipov Samsung by v pamäťových pásoch mali byť použité aj čipy E-die od Micronu a C-die od SK Hynix. Je pravdepodobné, že všetky tieto zmeny spôsobia nárast nielen priemernej hlasitosti, ale aj frekvenčného potenciálu priemerných modulov DDR4 SDRAM.
Zdroj: 3dnews.ru