Podľa priemyselných zdrojov na Taiwane, ktoré Internetový zdroj DigiTimes, čínsky výrobca pamätí ChangXin Memory Technologies (CXMT) v plnom prúde pripravuje linky na hromadnú výrobu pamätí LPDDR4. ChangXin, tiež známy ako Innotron Memory, údajne vyvinul vlastný proces výroby DRAM pomocou 19nm technológie.
Na komerčnú výrobu pamätí vo svojom prvom 300 mm podniku musel ChangXin v prvom polroku 2019. Žiaľ, toto sa ešte nestalo. Spustenie výroby 8-Gbit DDR4 LPDDR4 čipov však bude sprevádzať rozšírenie kapacity na 20 tisíc 300-nm kremíkových waferov mesačne. Maximálna kapacita liniek v podniku ChangXin dosahuje 125 tisíc 300 mm plátkov mesačne. Ale ani toto nie je limit. Spoločnosť uviedla, že budúci rok začne s výstavbou druhého závodu na spracovanie 300 mm pamäťových doštičiek.
Tento čínsky výrobca sa zároveň môže potýkať s problémami iného druhu. Pripomeňme, že prvou čínskou spoločnosťou, ktorá sa chystala začať masovú výrobu pamätí DRAM, bola Fujian Jinhua. USA so zákazom nákupu výrobných zariadení od amerických partnerov. Na Taiwane veria, že ChangXin bude čeliť rovnakým problémom ako Fujian. Okrem toho naverbovala kvalifikovaných inžinierov z bývalej taiwanskej dcéry japonskej Elpidy, ktorej biznis pohltil americký Micron. Analytici očakávajú nároky voči ChangXin od Micronu a sankcie, ak čínska strana neodpovie.
Súbežne s tým ChangXin vyvíja technický proces na výrobu pamäte so 17 nm štandardmi. Ukončenie vývoja sa očakáva v roku 2021. Pravdepodobne druhý závod ChangXin začne pracovať s výrobou kryštálov DRAM s týmito štandardmi. Ak sa, samozrejme, americké sankcie a Micronove machinácie nestanú neprekonateľnou prekážkou na jej ceste.
Zdroj: 3dnews.ru