Ďalší rozvoj mikroelektroniky si nemožno predstaviť bez zdokonaľovania technológií výroby polovodičov. Na rozšírenie hraníc a naučenie sa, ako vyrábať stále menšie prvky na kryštáloch, sú potrebné nové technológie a nové nástroje. Jednou z týchto technológií by mohol byť prelomový vývoj amerických vedcov.
Tím výskumníkov z Argonne National Laboratory Ministerstva energetiky USA nová technika vytvárania a leptania tenkých vrstiev na povrchu kryštálov. To by mohlo potenciálne viesť k výrobe čipov v menšom rozsahu ako dnes a v blízkej budúcnosti. Štúdia bola publikovaná v časopise Chemistry of Materials.
Navrhovaná technika sa podobá tradičnému procesu a leptanie, len namiesto anorganických filmov nová technológia vytvára a pracuje s organickými filmami. V skutočnosti, analogicky, nová technológia sa nazýva molekulárne vrstvené nanášanie (MLD, molekulárne vrstvenie) a molekulárne vrstvenie (MLE, molekulárne vrstvenie).
Rovnako ako v prípade leptania atómovej vrstvy, metóda MLE využíva úpravu plynu v komore povrchu kryštálu s filmami materiálu na organickej báze. Kryštál sa cyklicky spracováva striedavo dvoma rôznymi plynmi, kým sa film nezriedi na danú hrúbku.
Chemické procesy podliehajú zákonom samoregulácie. To znamená, že vrstva po vrstve sa odstraňuje rovnomerne a kontrolovane. Ak použijete fotomasky, môžete na čipe reprodukovať topológiu budúceho čipu a vyleptať dizajn s najvyššou presnosťou.
V experimente vedci použili na molekulárne leptanie plyn obsahujúci soli lítia a plyn na báze trimetylhliníka. Počas procesu leptania zlúčenina lítia reagovala s povrchom alukónového filmu takým spôsobom, že lítium sa usadilo na povrchu a zničilo chemickú väzbu vo filme. Potom sa dodal trimetylhliník, ktorý odstránil vrstvu filmu s lítiom, a tak jeden po druhom, kým sa film nezredukoval na požadovanú hrúbku. Vedci veria, že dobrá kontrolovateľnosť procesu môže umožniť navrhovanej technológii posunúť vývoj výroby polovodičov.
Zdroj: 3dnews.ru