Po navedbah industrijskih virov v Tajvanu, ki Internetni vir DigiTimes, kitajski proizvajalec pomnilnika ChangXin Memory Technologies (CXMT) je v polnem teku in pripravlja linije za množično proizvodnjo pomnilnika LPDDR4. ChangXin, znan tudi kot Innotron Memory, naj bi razvil lasten proizvodni proces DRAM z uporabo 19nm tehnologije.
Za komercialno proizvodnjo pomnilnika v svojem prvem 300 mm podjetju je moral ChangXin v prvi polovici leta 2019. Žal, to se še ni zgodilo. Toda začetek proizvodnje čipov 8-Gbit DDR4 LPDDR4 bo spremljala širitev zmogljivosti na 20 tisoč 300-nm silicijevih rezin na mesec. Največja zmogljivost linij v podjetju ChangXin dosega 125 tisoč 300 mm rezin na mesec. A tudi to ni meja. Družba je sporočila, da bo naslednje leto začela graditi drugo tovarno za predelavo 300 mm spominskih rezin.
Hkrati se lahko ta kitajski proizvajalec sooči s težavami drugačne vrste. Spomnimo se, da je bilo prvo kitajsko podjetje, ki je začelo množično proizvodnjo pomnilnika DRAM, Fujian Jinhua. ZDA s prepovedjo nakupa proizvodne opreme pri ameriških partnerjih. V Tajvanu verjamejo, da se bo ChangXin soočil z enakimi težavami kot Fujian. Poleg tega je zaposlila kvalificirane inženirje iz nekdanje tajvanske podružnice japonske Elpide, katere posle je prevzel ameriški Micron. Analitiki od Microna pričakujejo tožbe proti ChangXinu in sankcije, če se kitajska stran ne odzove.
Vzporedno ChangXin razvija tehnični proces za proizvodnjo pomnilnika s standardi 17 nm. Zaključek razvoja je predviden leta 2021. Verjetno bo druga tovarna ChangXin začela delati s proizvodnjo kristalov DRAM s temi standardi. Razen seveda, če ameriške sankcije in Micronove mahinacije ne postanejo nepremostljiva ovira na njeni poti.
Vir: 3dnews.ru