US lasers e fesoasoani i saienitisi Belgian e sosolo atu i le 3nm process technology ma tua atu

E tusa ai ma le upega tafaʻilagi a le IEEE Spectrum, mai le faaiuga o Fepuari e oʻo i le amataga o Mati, na faia ai se falesuesue i luga o le faavae o le Belgian centre Imec faatasi ai ma le kamupani Amerika KMLabs e suʻesuʻe faʻafitauli i le semiconductor photolithography i lalo o le faatosinaga a le EUV radiation (i le ultra-hard. laina ultraviolet). E foliga mai, o le a le mea e tatau ona suʻesuʻeina? Leai, o loʻo i ai se mataupu mo suʻesuʻega, ae aisea e faʻavae ai se fale suʻesuʻe fou mo lenei mea? Na amata ona gaosia e Samsung le 7nm chips i le afa tausaga talu ai ma le faʻaogaina o le EUV vaʻaiga vaʻaia. E le o toe umi ae auai le TSMC. E oʻo atu i le faʻaiuga o le tausaga, o le a amata uma e i latou uma le gaosiga lamatia ma tulaga 5 nm, ma isi. Ae o loʻo i ai faʻafitauli, ma e matua ogaoga lava e suʻe ai tali i fesili i totonu o fale suesue, ae le o le gaosiga.

US lasers e fesoasoani i saienitisi Belgian e sosolo atu i le 3nm process technology ma tua atu

O le faafitauli autu i le EUV lithography i aso nei o loʻo tumau pea le lelei o le photoresist. O le puna o le EUV radiation o le plasma, ae le o le laser, e pei o le tulaga i masini 193nm matutua. O le leisa e fa'asūsūina se mataua o le ta'ita'i i totonu o se ala kasa ma o le fa'aoso fa'ai'uga e fa'ao'o mai ai photon o lona malosi e 14 taimi e maualuga atu ai nai lo le malosi o photon i masini su'esu'e ma fa'avevela ultraviolet. O le iʻuga, o le photoresist e faʻaumatia e le gata i na nofoaga o loʻo osofaʻia e photons, ae faʻapea foʻi ma faʻalavelave faʻafuaseʻi e tupu, e aofia ai ona o le mea e taʻua o le leo o le pisa. O le malosi o photon e maualuga tele. O faʻataʻitaʻiga ma suʻesuʻega a le EUV o loʻo faʻaalia ai o photoresists, lea o loʻo mafai pea ona galue ma faʻataʻitaʻiga 7 nm, faʻaalia se tulaga maualuga maualuga o teena pe a faʻapipiʻiina i 5 nm circuits. O le faʻafitauli e matua ogaoga tele le tele o tagata atamamai e le talitonu i le amataga manuia o le faʻalauiloaina o le 5nm process technology, ae le o le taʻua o le suiga i le 3nm ma lalo.

O le faʻafitauli o le fatuina o se tupulaga fou photoresist o le a foia i le fale suʻesuʻe faʻatasi a Imec ma KMLabs. Ma o le a latou foia mai le manatu o se faiga faasaienisi, ae le o le filifilia o reagents, e pei ona faia i le tolusefulu tausaga talu ai. Ina ia faia lenei mea, o le a faia e paaga faasaienisi se meafaigaluega mo se suʻesuʻega auiliili o gaioiga faaletino ma vailaʻau i le photoresist. E masani lava, synchrotrons e faʻaaogaina e suʻesuʻe ai faʻagasologa i le molecular level, ae o le Imec ma KMLabs o le a faʻatupuina faʻataʻitaʻiga ma fua EUV meafaigaluega e faʻavae i luga o lasers infrared. KMLabs ua na o se tagata poto faapitoa i faiga laser.

 

US lasers e fesoasoani i saienitisi Belgian e sosolo atu i le 3nm process technology ma tua atu

Faʻavae i luga o le KMLabs laser fale, o se faʻavae mo le fausiaina o harmonic maualuga o le a faia. E masani lava, mo lenei mea, o se pulusulu laser maualuga-maualuga e faʻatonuina i totonu o se ala kasa, lea e tupu ai le maualuga o le faʻaogaina o le pulupulu faʻatonu. Faatasi ai ma sea liua, e tupu ai se gau tele o le malosi, ina ia le mafai ona faʻaoga saʻo se taʻiala tutusa o le gaosia o le EUV radiation mo lithography semiconductor. Ae ua lava lea mo suesuega. O le mea pito sili ona taua, o le fa'aola fa'aola e mafai ona fa'atonutonu uma e ala i le umi o le pulusua mai le picoseconds (10-12) i le attoseconds (10-18), ma le umi o le galu mai le 6,5 nm i le 47 nm. Mo se mea faigaluega fua, o uiga taua ia. O le a latou fesoasoani e suʻesuʻe le faʻagasologa o suiga mole mole ultrafast i le photoresist, faʻagasologa o le ionization ma le faʻaalia i photons maualuga. A aunoa ma lenei mea, o ata gaosi oloa ma tulaga e itiiti ifo i le 3 ma e oʻo lava i le 5 nm e tumau pea le fesiligia.

puna: 3dnews.ru

Faaopoopo i ai se faamatalaga