Ua fa'ailoa e Imec le transistor lelei mo le 2nm process technology

E pei ona tatou iloa, o le suiga i se tekinolosi faʻagasologa 3 nm o le a faʻatasi ma se suiga i se fausaga fou transistor. I faaupuga Samsung, mo se faʻataʻitaʻiga, o nei mea o le a avea ma MBCFET (Multi Bridge Channel FET) transistors, lea o le a foliga mai ai le auala transistor e pei o le tele o auala o loʻo i luga aʻe o le tasi i le isi i foliga o nanopages, siosiomia i itu uma e se faitotoa (mo nisi faʻamatalaga. , vaai fa'amaumauga o a tatou tala fou mo Mati 14).

Ua fa'ailoa e Imec le transistor lelei mo le 2nm process technology

E tusa ai ma le au atinaʻe mai le Belgian centre Imec, o se faʻagasologa lea, ae le o se mea lelei, faʻaogaina o le transistor fausaga e faʻaaoga ai faitotoʻa FinFET. Lelei mo faiga faʻatekonolosi faʻatasi ai ma fua elemene i lalo ole 3 nm eseese fausaga transistor, lea na faatūina e le au Peleseuma.

Ua fausia e Imec se transistor ma itulau vaevae poʻo Forkssheet. O ia lava nanopages tu'usa'o tutusa e pei o auala transistor, ae vavae ese e se dielectric vertical. I le tasi itu o le dielectric, ua faia se transistor ma se n-channel, i le isi, ma se p-channel. Ma oi latou uma e lua o loʻo siomia e se tapuni masani i foliga o se ivi faʻalava.

Ua fa'ailoa e Imec le transistor lelei mo le 2nm process technology

O le fa'aitiitia o le mamao i luga ole va'a ole va o transistors ma fa'agaioia eseese o se isi lu'itau tele mo le fa'agasolo atili o le fa'aitiitia. O faʻataʻitaʻiga a le TCAD na faʻamaonia ai o le transistor vaevae-itulau o le a maua ai le 20 pasene faʻaitiitiga i le vaega oti. I se tulaga lautele, o le fausaga fou o le transistor o le a faʻaitiitia ai le maualuga o le cell logic i le 4,3 tracks. O le cell o le a faʻafaigofie, lea e faʻaoga foi i le gaosiga o le SRAM memory cell.

Ua fa'ailoa e Imec le transistor lelei mo le 2nm process technology

O se suiga faigofie mai le nanopage transistor i le vaeluaga o le nanopage transistor o le a maua ai le 10% faʻateleina i le faʻatinoga aʻo faʻaauau pea le taumafaina, poʻo le 24% faʻaitiitiga i le faʻaaogaina e aunoa ma le mauaina o le faʻatinoga. Fa'ata'ita'iga mo le fa'agasologa 2nm na fa'aalia ai o le SRAM cell e fa'aaoga ai nanopages vavae'ese o le a maua ai se fa'aitiitiga tu'ufa'atasi o vaega ma fa'aleleia atili le fa'atinoga e o'o atu i le 30% fa'atasi ai ma le p- ma le n-junction avanoa e o'o atu i le 8 nm.



puna: 3dnews.ru

Faaopoopo i ai se faamatalaga