ProHoster > Blog > talafou initaneti > E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Во время Intel Architecture Day 2020 компания рассказала о своей технологии 3D NAND и предоставила обновлённую информацию о планах развития. В сентябре 2019 года Intel объявила, что пропустит освоение выпуска 128-слойной памяти NAND Flash, который разрабатывала большая часть отрасли, и сконцентрируется на переходе сразу к 144-слойной. Теперь компания заявила, что её 144-слойная флеш-память QLC NAND уже освоена.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Более того, до конца 2020 года Intel надеется выпустить на рынок накопители на базе 144-слойной QLC NAND. Такие чипы предлагают на 50 % бо́льшую плотность хранения данных по сравнению с 96-слойной QLC NAND от той же Intel. Другими словами, подобные чипы позволят продолжить наступление флеш-памяти на рынок традиционных магнитных жёстких дисков.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Intel развивает не только энергонезависимую память NAND — ещё в 2015 году компания представила новую технологию под названием 3D XPoint. Этот новый носитель занимает нишу между DRAM и 3D NAND. Он может предложить очень высокую скорость и при этом является энергонезависимым. Intel показала слайд, который наглядно демонстрирует разницу в архитектурах ячеек разных типов памяти.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Одна ячейка DRAM гораздо больше, чем 3D XPoint, а последняя — существенно больше 3D NAND QLC, которая может хранить до четырёх бит информации. По словам Intel, это ярко показывает, почему объём ОЗУ будет по-прежнему оставаться довольно ограниченным и почему требуются разные типы иерархии памяти. Intel считает, что по мере того, как сфера данных продолжает расти до зеттабайтов, будут требоваться всё более высокоплотные накопители разных типов.


E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Другая важная новость от команды Intel Storage касалась Intel Optane. Компания выпустила первые накопители Optane в 2017 году и многому научилась с того времени. Сейчас Intel работает над твердотельными накопителями Optane 2-го поколения: в частности, подтверждено, что они будут использовать интерфейс PCIe 4.0.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Intel поставила целью увеличить производительность более чем вдвое по сравнению с первым поколением. В памяти Intel Optane 1-го поколения в 2017 году использовалась двухдековая конструкция, а в 2020 году память Optane 2-го поколения станет четырёхдековой. Таким образом, Intel также удвоила плотность данных Optane, что должно привести к росту объёма и снижению стоимости гигабайтов.

E le o toe mamao ona tuʻuina atu lea e Intel le faʻaogaina o le Optane faʻatasi ma PCIe 4.0, faʻapea foʻi ma SSD e faʻavae i luga o le 144-layer flash memory.

Наконец, Intel подтвердила, что PCIe 4.0 будет поддерживаться в процессорах Intel Tiger Lake наряду со встроенной поддержкой Thunderbolt 4 и USB 4.

puna:



puna: 3dnews.ru

Faaopoopo i ai se faamatalaga