O loʻo faʻaogaina atoatoa e Samsung lona avanoa paionia i le semiconductor lithography e faʻaaoga ai le EUV scanners. Aʻo sauni le TSMC e amata faʻaaoga 13,5 nm scanners ia Iuni, faʻafetaui i latou e maua ai tupe meataalo i le lona lua o augatupulaga o le 7 nm faagasologa, Samsung o loʻo maulu loloto ma i luga o le faʻamaeʻaina o le atinaʻeina o se faʻagasologa faʻapitoa faʻatasi ma 5 nm mamanu faʻataʻitaʻiga. E le gata i lea, na faʻasalalau e le Korea i Saute le amataga o le taliaina o poloaiga mo le gaosiga o 5-nm fofo mo le gaosiga i luga o le tele-design wafers. O lona uiga ua sauni Samsung e talia mamanu masini komepiuta ma faʻataʻitaʻiga 5 nm ma faʻapipiʻi pailate vaega o galuega 5 nm silicon.
O le fesoasoani i le kamupani e faʻavavevave mai le ofoina atu o le 7nm ma le EUV i le gaosia o 5nm fofo ma le EUV o le mea moni na tumau pea le fesoʻotaʻiga a Samsung i le va o elemene mamanu (IP), mamanu ma meafaigaluega asiasi. Faatasi ai ma isi mea, o lona uiga o le a faʻapolopolo e tagata faʻatau a le kamupani tupe i le faʻatauina o meafaigaluega mamanu, faʻataʻitaʻiga ma poloka IP ua saunia. PDKs mo mamanu, metotia (DM, design methodologies) ma EDA automated design platforms na avanoa e avea o se vaega o le atinaʻeina o tupe meataalo mo Samsung's 7-nm standards ma EUV i le kuata lona fa o le tausaga talu ai. O nei mea faigaluega uma o le a faʻamautinoaina le atinaʻeina o galuega faʻafuainumera mo le 5 nm faʻagasologa tekonolosi ma FinFET transistors.
Faʻatusatusa i le 7nm faagasologa e faʻaaoga ai EUV scanners, lea e le kamupani i le tausaga talu ai, o le 5 nm tekinolosi faagasologa o le a maua ai le 25% faateleina i le lelei o le faaaogaina o le eria chip (Samsung aloese mai faamatalaga tuusao e uiga i le faaitiitia o le tele o le eria chip e 25%, lea e tuua ai le avanoa e faagaoioia le numera). E le gata i lea, o le suiga i se faiga 5-nm o le a faʻaitiitia ai le faʻaaogaina o chip i le 20% pe faʻateleina le faʻatinoga o fofo ile 10%. O le isi ponesi o le faʻaititia o le numera o photomasks e manaʻomia mo le gaosiga semiconductor.
Ua gaosia e Samsung oloa e faʻaaoga ai suʻesuʻega EUV i le fale S3 i Hwaseong. I le afa lona lua o lenei tausaga, o le a faʻamaeʻaina e le kamupani le fausiaina o se fale fou e sosoo ma le Fab S3, lea o le a sauni e gaosia meataalo e faʻaaoga ai le EUV i le tausaga a sau.
puna: 3dnews.ru