I aso nei Samsung Electronics e uiga i fuafuaga mo le atinaʻeina o faiga faʻapitoa mo le gaosiga o semiconductors. E manatu le kamupani o le fausiaina o galuega faakomepiuta o faʻataʻitaʻiga 3-nm meataalo e faʻavae i luga o pateni MBCFET transistors e avea ma taunuʻuga autu i le taimi nei. O transistors ia e tele laina nanopage fa'alava i faitoto'a FET tūsa'o (Multi-Bridge-Channel FET).
I le avea ai o se vaega o le soʻotaga ma le IBM, na fausia ai e Samsung se tekinolosi laʻititi mo le gaosiga o transistors faʻatasi ai ma auala e siʻosiʻomia atoa e faitotoa (GAA poʻo le Gate-All-Around). O alavai sa tatau ona fai manifinifi i foliga o nanowires. Mulimuli ane, na alu ese Samsung mai lenei polokalame ma pateni se fausaga transistor ma auala i foliga o nanopages. O lenei fausaga e mafai ai ona e pulea uiga o transistors e ala i le faʻaogaina o le numera o itulau (auala) ma le fetuunaʻi o le lautele o itulau. Mo tekonolosi FET masani, o sea faiga e le mafai. Ina ia faʻateleina le malosi o le FinFET transistor, e manaʻomia le faʻateleina o le numera o FET i luga o le substrate, ma e manaʻomia ai le vaega. O uiga o le MBCFET transistor e mafai ona suia i totonu o le tasi faitotoa faʻaletino, lea e te manaʻomia e seti ai le lautele o auala ma latou numera.
O le maua o se mamanu numera (fa'apipi'i) o se pu'upu'u fa'ata'ita'iga mo le gaosiga e fa'aaoga ai le GAA na mafai ai e Samsung ona fuafua le tapula'a o le gafatia o le MBCFET transistors. E tatau ona manatua o le mea lea o loʻo faʻaogaina pea faʻamatalaga faʻataʻitaʻiga komepiuta ma o le faiga faʻatekinisi fou e mafai ona faʻamasinoina mulimuli ane pe a maeʻa ona faʻalauiloa i le gaosiga tele. Ae ui i lea, o loʻo i ai se amataga. Fai mai le kamupani o le suiga mai le 7nm process (e manino lava o le augatupulaga muamua) i le GAA process o le a maua ai le 45% faʻaititia o le vaega mate ma le 50% faʻaititia o le taumafaina. Afai e te le faʻasaoina i luga o le taumafa, e mafai ona faʻateleina le gaosiga i le 35%. I le taimi muamua, na vaʻaia e Samsung le faʻapolopolo ma le gaosiga o tupe maua pe a alu i le 3nm process tuueseese i koma. Na foliga mai o le tasi pe o le isi.
E manatu le kamupani o le tapenaga o se fa'asalalauga fa'alaua'itele mo tagata tuto'atasi atigipusa ma fabless kamupani o se itu taua i le fa'alauiloaina o le 3nm process technology. E leʻi natia e Samsung le siosiomaga atinaʻe, faʻamaoniga o poloketi ma faletusi i luga o faʻaumau gaosiga. O le SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) platform o le a avanoa mo tagata mamanu i le lalolagi atoa. O le SAFE cloud platform na fausia faatasi ai ma le auai o ia auaunaga lautele lautele e pei ole Amazon Web Services (AWS) ma Microsoft Azure. O le au atiaʻe o faiga faʻavae mai le Cadence ma Synopsys na tuʻuina atu a latou meafaigaluega mamanu i totonu ole SAFE. O lenei folafolaga e faafaigofie ma taugofie le fatuina o fofo fou mo faiga Samsung.
Toe foʻi atu i le Samsung's 3nm process technology, seʻi o tatou faʻaopopo o le kamupani na tuʻuina atu le faʻaaliga muamua o lana atigipusa atinaʻe - 3nm GAE PDK Version 0.1. Faatasi ai ma lana fesoasoani, e mafai ona e amata fuafuaina 3nm fofo i aso nei, poʻo le sili atu ona saunia e faʻafetaui lenei faiga Samsung pe a faʻasalalau.
Ua faalauiloa e Samsung ana fuafuaga i le lumanai e pei ona taua i lalo. I le afa lona lua o lenei tausaga, o le a faʻalauiloaina le tele o gaosiga o meataalo e faʻaaoga ai le 6nm process. I le taimi lava e tasi, o le atinaʻeina o le 4nm process technology o le a maeʻa. O le atinaʻeina o oloa muamua a Samsung e faʻaaoga ai le 5nm process o le a maeʻa i lenei tautoulu, faʻatasi ai ma le faʻalauiloaina o le gaosiga i le afa muamua o le tausaga a sau. E le gata i lea, i le faaiuga o lenei tausaga, o le a faʻamaeʻaina e Samsung le atinaʻeina o le 18FDS process technology (18 nm i luga o FD-SOI wafers) ma 1-Gbit eMRAM chips. Fa'atekonolosi fa'agasologa mai le 7 nm i le 3 nm o le a fa'aogaina ai su'esu'ega EUV ma le fa'ateleina o le malosi, ma fa'amauina uma nanometer. I luga o le ala i lalo, o laasaga uma o le a faia ma se fusuaga.
puna: 3dnews.ru