E pei ona tatou iloa, ia Mati o lenei tausaga, na amata ai e le TSMC le gaosiga pailate o oloa 5nm. Na tupu lenei mea i le fale fou Fab 18 i Taiwan, mo le tatalaina o 5nm fofo. O le tele o gaosiga e faʻaaoga ai le 5nm N5 process e faʻamoemoeina i le kuata lona lua o le 2020. E oʻo atu i le faaiuga o le tausaga lava e tasi, o le gaosiga o tupe meataalo e faʻavae i luga o le 5nm process technology poʻo le N5P (faʻatinoga) o le a faʻalauiloaina. O le maua o meataalo faʻataʻitaʻiga e mafai ai e le TSMC ona iloilo le gafatia o semiconductors i le lumanaʻi na gaosia e faʻavae i luga o le tekonolosi faiga fou, lea o le a talanoa auiliili ai le kamupani ia Tesema. Ae e mafai ona e mauaina se mea mai fa'amatalaga na tu'uina mai e le TSMC mo fa'aaliga ile IEDM 2019.
Aʻo leʻi faʻamalamalamaina faʻamatalaga, seʻi o tatou manatua mea tatou te iloa mai faʻamatalaga muamua mai le TSMC. A fa'atusatusa i le 7nm process, o lo'o fa'apea mai o le fa'atinoga o le 5nm chips o le a si'itia i le 15% po'o le fa'aitiitia o le fa'aaogaina i le 30% pe afai e tumau pea le fa'atinoga. Ole fa'agasologa ole N5P ole a fa'aopoopoina le isi 7% o le gaosiga po'o le 15% fa'apolopolo ile taumafaina. Ole maualuga ole elemene ole a faʻateleina ile 1,8 taimi. Ole fua ole SRAM ole a suia ile vaega ole 0,75.
I le gaosiga o tupe meataalo 5nm, o le fua o le faʻaogaina o le EUV scanners o le a oʻo atu i le maualuga o le gaosiga matua. O le a suia le fausaga o le alalaupapa transistor, atonu e ala i le faʻaaogaina o le germanium faʻatasi ma pe nai lo le silicon. O lenei mea o le a faʻamautinoa ai le faʻateleina o le feʻaveaʻi o eletise i totonu o le alalaupapa ma le faʻateleina o galu. O le tekinolosi faʻagasologa e maua ai le tele o le maualuga o le voltage, o le maualuga o ia mea o le a maua ai le 25% faʻatupulaia o faʻatinoga faʻatusatusa i le tutusa i le 7 nm process technology. Ole eletise ole transistor mo feso'ota'iga I/O ole a amata ile 1,5V ile 1,2V.
I le gaosiga o pu mo u'amea ma fa'afeso'ota'i, o mea e fa'aitiitia ai le tete'e o le a fa'aaogaina. O le ultra-high-density capacitors o le a gaosia e faʻaaoga ai se uʻamea-dielectric-metal circuit, lea o le a faʻateleina ai le gaosiga e 4%. I se tulaga lautele, o le a sui le TSMC i le faʻaaogaina o insulators maualalo-K fou. O se faiga fou "mamago", Metal Reactive Ion Etching (RIE), o le a faʻaalia i totonu o le faʻasologa o le gaosiga o le kasa, lea o le a suia ai le faiga masani a Tamaseko e faʻaaoga ai le kopa (mo fesoʻotaʻiga uʻamea laʻititi nai lo 30 nm). E fa'apea fo'i mo le taimi muamua, o le a fa'aaogaina se vaega o le graphene e fai ai se pa puipui i le va o ta'avale apamemea ma le semiconductor (e puipuia ai le electromigration).
Mai faʻamaumauga mo le lipoti o Tesema i le IEDM, e mafai ona matou aoina mai o le a sili atu le lelei o le tele o faʻasologa o meataalo 5nm. O le mea lea, o le maualuga o elemene elemene o le a maualuga ma oʻo atu i le 1,84 taimi. O le SRAM cell o le a laʻititi foi, ma se vaega o le 0,021 µm2. O loʻo faʻatulagaina mea uma i le faʻatinoga o le faʻataʻitaʻiga silicon - na maua le 15% faʻaopoopoga, faʻapea foʻi ma le 30% faʻaitiitia le faʻaaogaina i le tulaga o le faʻamaisaina o laina maualuga.
O le faʻagasologa fou o tekonolosi o le a mafai ai ona filifili mai le fitu faʻatonuga tau eletise, lea o le a faʻaopoopoina ai le eseesega i le atinaʻeina o le faagasologa ma oloa, ma o le faʻaogaina o EUV scanners o le a mautinoa lava faʻafaigofie le gaosiga ma faʻataugofie. E tusa ai ma le TSMC, o le fesuiaiga i EUV scanners e maua ai le 0,73x faʻaleleia atili i le laina laina faʻatusatusa i le 7nm process. Mo se faʻataʻitaʻiga, ina ia maua le sili ona taua o le faʻapipiʻiina o laupepa muamua, nai lo le lima matapulepule masani, e naʻo le tasi le EUV mask o le a manaʻomia ma, e tusa ai, naʻo le tasi le taamilosaga gaosiga nai lo le lima. I le auala, faʻalogo lelei i le faʻaogaina o elemene i luga o le pu pe a faʻaaogaina le EUV projection. Lalelei, ma pau lava lena.
puna: 3dnews.ru