E pei ona lipotia i le tele o taimi, e tatau ona faia se mea i se transistor laʻititi nai lo le 5 nm. I aso nei, o loʻo gaosia e le au gaosi masini fofo sili ona maualuga e faʻaaoga ai faitotoʻa o le FinFET. FinFET transistors e mafai lava ona gaosia e faʻaaoga ai le 5-nm ma le 4-nm faiga faʻatekinisi (po o le a lava le uiga o nei tulaga), ae ua i ai i le tulaga o le gaosiga o 3-nm semiconductor, FinFET fausaga e taofi le galue e pei ona tatau ai. O faitotoʻa o le transistors e laʻititi tele ma o le voltage pulea e le lava le maualalo mo le transistors e faʻaauau pea ona faʻatino a latou galuega o ni faitotoa i totonu o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia. O le mea lea, o le alamanuia ma, aemaise lava, Samsung, amata mai le 3nm process technology, o le a fesuiaʻi i le gaosiga o transistors ma le mama poʻo mea uma e aofia ai GAA (Gate-All-Around) faitotoa. Faatasi ai ma se faʻasalalauga fou, Samsung naʻo le tuʻuina atu o se faʻamatalaga faʻaaliga e uiga i le fausaga o transistors fou ma le lelei o le faʻaaogaina.
E pei ona faʻaalia i le faʻataʻitaʻiga o loʻo i luga, aʻo faʻaitiitia tulaga o gaosiga, o faitotoʻa na amata mai i fausaga faʻavae e mafai ona pulea se vaega e tasi i lalo o le faitotoʻa, i luga o alalaupapa o loʻo siomia e se faitotoa i itu e tolu, ma mulimuli ane faʻalatalata atu i alavai o loʻo siʻomia e faitotoʻa ma. itu uma e fa. O lenei auala atoa na faʻatasi ma le faʻateleina o le faitotoʻa o loʻo siomia ai le auala faʻatonutonu, lea na mafai ai ona faʻaitiitia le eletise i le transistors e aunoa ma le faʻafefeina o uiga o loʻo i ai nei o le transistors, o le mea lea, e mafua ai le faʻatupulaia o le faʻatinoga o le transistors. ma le fa'aitiitia o le tafe o le tafe. I lenei tulaga, o le GAA transistors o le a avea ma pale fou o le foafoaga ma o le a le manaʻomia ai le toe faʻaleleia o faiga faʻatekonolosi masani a le CMOS.
O auala o loʻo siomia e le faitotoa e mafai ona gaosia pe i foliga o alalaupapa manifinifi (nanowires) poʻo i foliga o alalaupapa lautele poʻo nanopages. Ua faalauiloa e Samsung lana filifiliga e fiafia i nanopages ma fai mai e puipuia lona atinaʻe ma pateni, e ui lava na atiina ae nei fausaga uma aʻo ulufale atu i se sootaga ma IBM ma isi kamupani, mo se faʻataʻitaʻiga, ma AMD. E le taʻua e Samsung le transistors fou GAA, ae o le igoa faʻapitoa MBCFET (Multi Bridge Channel FET). O itulau alalaupapa lautele o le a maua ai le tele o galu, e faigata ona ausia i le tulaga o nanowire channels.
O le suiga i faitotoa mama o le a faʻaleleia atili ai le malosi o fausaga fou transistor. O lona uiga e mafai ona faʻaititia le voltage tuʻuina atu o transistors. Mo fausaga FinFET, o loʻo taʻua e le kamupani le faʻaitiitiga o le mana faʻatulafonoina 0,75 V. O le suiga i le MBCFET transistors o le a faʻaititia ai lenei tapulaʻa e oʻo lava i lalo.
Ua ta'ua e le kamupani le isi avanoa o le MBCFET transistors e sili ona fetuutuunai o fofo. O lea la, afai o uiga o le FinFET transistors i le gaosiga tulaga e mafai ona faʻatonutonu faʻapitoa, tuʻuina se numera o pito i totonu o le poloketi mo transistor taʻitasi, ona faʻatulagaina lea o taʻavale ma le MBCFET transistors o le a pei o le faʻalogo lelei mo galuega taʻitasi. Ma o lenei mea o le a faigofie tele ona fai: o le a lava le filifilia o le lautele manaʻomia o nanopage channels, ma o lenei parakalafa e mafai ona suia laina.
Mo le gaosiga o le MBCFET transistors, e pei ona taʻua i luga, o le CMOS masani faʻagasologa tekinolosi ma mea tau alamanuia faʻapipiʻiina i fale gaosi e talafeagai e aunoa ma ni suiga taua. E naʻo le faʻagasologa o faʻasologa o faʻamaʻi silicon e manaʻomia ni suiga laiti, lea e malamalama, ma na o le pau lava. I le vaega o vaega faʻafesoʻotaʻi ma faʻapipiʻi uʻamea, e te le tau suia foi se mea.
I le faaiuga, o Samsung mo le taimi muamua o loʻo tuʻuina mai ai se faʻamatalaga lelei o le faʻaleleia atili o le suiga i le 3nm process technology ma MBCFET transistors o le a aumaia faʻatasi ma ia (ia faʻamalamalama, e le o talanoa saʻo Samsung e uiga i le 3nm process technology, ae na lipotia muamua e faapea. o le 4nm process technology o le a faʻaaogaina pea le FinFET transistors). O lea la, pe a faʻatusatusa i le 7nm FinFET process technology, o le siitia atu i le masani fou ma le MBCFET o le a maua ai le 50% faʻaitiitia o le faʻaaogaina, o le 30% faʻateleina i le faʻatinoga ma le 45% faʻaitiitiga i le vaega vaʻaia. E le o le "pe, po o", ae i le atoatoa. O afea e tupu ai lenei mea? E mafai ona tupu i le faaiuga o le 2021.
puna: 3dnews.ru