Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Во время Intel Architecture Day 2020 компания рассказала о своей технологии 3D NAND и предоставила обновлённую информацию о планах развития. В сентябре 2019 года Intel объявила, что пропустит освоение выпуска 128-слойной памяти NAND Flash, который разрабатывала большая часть отрасли, и сконцентрируется на переходе сразу к 144-слойной. Теперь компания заявила, что её 144-слойная флеш-память QLC NAND уже освоена.

Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Более того, до конца 2020 года Intel надеется выпустить на рынок накопители на базе 144-слойной QLC NAND. Такие чипы предлагают на 50 % бо́льшую плотность хранения данных по сравнению с 96-слойной QLC NAND от той же Intel. Другими словами, подобные чипы позволят продолжить наступление флеш-памяти на рынок традиционных магнитных жёстких дисков.

Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Intel развивает не только энергонезависимую память NAND — ещё в 2015 году компания представила новую технологию под названием 3D XPoint. Этот новый носитель занимает нишу между DRAM и 3D NAND. Он может предложить очень высокую скорость и при этом является энергонезависимым. Intel показала слайд, который наглядно демонстрирует разницу в архитектурах ячеек разных типов памяти.

Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Одна ячейка DRAM гораздо больше, чем 3D XPoint, а последняя — существенно больше 3D NAND QLC, которая может хранить до четырёх бит информации. По словам Intel, это ярко показывает, почему объём ОЗУ будет по-прежнему оставаться довольно ограниченным и почему требуются разные типы иерархии памяти. Intel считает, что по мере того, как сфера данных продолжает расти до зеттабайтов, будут требоваться всё более высокоплотные накопители разных типов.


Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Другая важная новость от команды Intel Storage касалась Intel Optane. Компания выпустила первые накопители Optane в 2017 году и многому научилась с того времени. Сейчас Intel работает над твердотельными накопителями Optane 2-го поколения: в частности, подтверждено, что они будут использовать интерфейс PCIe 4.0.

Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Intel поставила целью увеличить производительность более чем вдвое по сравнению с первым поколением. В памяти Intel Optane 1-го поколения в 2017 году использовалась двухдековая конструкция, а в 2020 году память Optane 2-го поколения станет четырёхдековой. Таким образом, Intel также удвоила плотность данных Optane, что должно привести к росту объёма и снижению стоимости гигабайтов.

Intel ichakurumidza kuburitsa Optane madhiraivha ane PCIe 4.0, pamwe neSSDs yakavakirwa pa144-layer flash memory.

Наконец, Intel подтвердила, что PCIe 4.0 будет поддерживаться в процессорах Intel Tiger Lake наряду со встроенной поддержкой Thunderbolt 4 и USB 4.

Source:



Source: 3dnews.ru

Voeg