Kompania Google prezantoi "Half-Double", një teknikë të re të sulmeve të klasës RowHammer, e cila lejon ndryshimin e përmbajtjes së bitëve të veçantë të memorjes dinamike të aksesit (DRAM). Sulmi reprovohet në disa çipa modernë DRAM, prodhuesit e të cilëve kanë arritur në zvogëlimin e gjeometrisë së qelizave.
Kujtojmë se sulmet e klasës RowHammer lejojnë deformimin e përmbajtjes së bitëve të veçantë të memorjes përmes leximeve ciklike të të dhënave nga qelizat fqinjë të memorjes. Duke qenë se memorja DRAM përbën një grumbull dy-dimensional të qelizave, secila nga të cilat përbëhet nga një kondensator dhe një transistor, ekzekutimi i leximit të vazhdueshëm të një zone të njëjtë të memorjes çon në fluktuacione të tensionit dhe anomalitë, duke shkaktuar humbje të vogël të ngarkesës nga qelizat fqinjë. Nëse intensiteti i leximit është mjaft i madh, atëherë qeliza fqinjë mund të humbasë një sasi të konsiderueshme ngarkese dhe cikli i ardhshëm i rigjenerimit nuk do të arrijë të rikthejë gjendjen e saj fillestare, duke rezultuar në ndryshimin e vlerës të të dhënave të ruajtura në atë qelize.
Për të mbrojtur nga RowHammer, prodhuesit e çipave zbatuan mekanizmin TRR (Target Row Refresh), i cili mbron nga deformimi i qelizave në rreshtat fqinj. Metoda Half-Double lejon kalimin e kësaj mbrojtjeje, duke manipuluar faktin se deformimet nuk kufizohen tek rreshtat fqinj dhe përhapen në rreshta të tjerë të memorjes, megjithatë në një shkallë më të vogël. Inxhinierët e Google treguan se për rreshtat e vazhdueshëm të memorjes "A", "B" dhe "C", është e mundur të sulmohet rreshti "C" me një qasje të intensifikuar ndaj rreshtit "A" dhe një aktivitet të vogël që prek rreshtin "B". Kërkesat ndaj rreshtit "B" gjatë sulmit aktivizojnë një rrjedhje jo-lineare të ngarkesave dhe lejojnë përdorimin e rreshtit "B" si transport për të transmetuar efektin Rowhammer nga rreshti "A" në "C".
Në ndryshim nga sulmi TRRespass, i cili manipulohet nga dobësitë në zbatime të ndryshme të mekanizmit të parandalimit të deformimit të qelizave, sulmi Half-Double bazohet në vetitë fizike të substratit të silikonit. Half-Double tregon se efektet që ndoshta shkaktojnë Rowhammer janë një pronë e distancës, jo e ngjitjes së drejtpërdrejtë të qelizave. Me zvogëlimin e gjeometrisë së qelizave në çipat modernë, rritet edhe rrethi i ndikimit të deformimeve. Nuk përjashtohet që efekti të vërehet gjithashtu në një distancë më të madhe se dy rreshta.
Së bashku me asociacionin JEDEC, është përgatitur një seri propozimesh me analizën e mundësive të bllokimit të sulmeve të tilla. Informacioni mbi metodën është zbuluar, pasi Google beson se hulumtimi i kryer zgjeron ndjeshëm kuptimin e fenomenit Rowhammer dhe thekson rëndësinë e bashkëpunimit mes hulumtuesve, prodhuesve të çipave dhe palëve të tjera të interesuara në zhvillimin e një zgjidhjeje gjithëpërfshirëse dhe afatgjatë për mbrojtje.
Burimi: opennet.ru
