Kalimi nga silikoni në gjysmëpërçues me zonë të gjerë ndalese (nitridi i galiumit, karbid i silikoni dhe të tjerë) lejon që të rriten ndjeshëm frekuencat e punës dhe të përmirësohet efikasiteti i zgjidhjeve. Prandaj, një nga fushat e aplikimit të avancuar të çipeve dhe transistorëve me zonë të gjerë është komunikimi dhe radarët. Elektronika me zgjidhje GaN ofron një rritje të fuqisë dhe zgjerim të distancës së radarëve, të cilën ushtarët e kanë shfrytëzuar menjëherë.
Kompania Lockheed Martin , që forcat e SHBA-së morën radarët e parë mobilë të radarëve (RLS) bazuar në elektronikë me elemente nga nitridi i galiumit. Ndërkohë, kompania nuk ka shpikur ndonjë gjë të re. Radarët e bazuar në elementin GaN u kaluan nga RLS për mbrojtjen kundër artilerisë AN/TPQ-53, të cilët ishin pranuar në armatim që nga viti 2010. Ky është radar i parë dhe aktualisht i vetmi në botë me gjysmëpërçues të zonës së gjerë.
Duke kaluar në komponentë aktivë GaN, RLS AN/TPQ-53 ka rritur distancën e zbuluar të pozitiveve të artilerisë të fshehura dhe ka marrë mundësinë për ndjekjen e njëkohshme të objektivave ajrorë. Në veçanti, RLS AN/TPQ-53 ka filluar të përdoret kundër dronëve, përfshirë aparatet e vogla. Identifikimi i pozicioneve të artilerisë të fshehura mund të bëhet si në një sektor prej 90 gradësh, ashtu edhe me një pamje të plotë 360-gradëshe.
Kompania Lockheed Martin është furnizuesi i vetëm i radarëve me FARA aktive (grila e antenës me fazë) në forcat e SHBA-së. Kalimi në bazën e elementeve GaN i lejon atyre të presin një lidership shumëvjeçar në përmirësimin dhe prodhimin e radarëve.
Burimi: 3dnews.ru
