Everspin dhe GlobalFoundries kanë zgjatur marrëveshjen për zhvillimin e përbashkët të MRAM deri në procesin teknologjik 12-nm

E vetmja kompani në botë që zhvillon çipa discrete të memories magnetorezistive MRAM, Everspin Technologies, vazhdon të përmirësojë teknologjitë e prodhimit. Sot Everspin dhe GlobalFoundries kanë rënë dakord të zhvillojnë së bashku teknologjinë e prodhimit të çipave STT-MRAM me standardet 12 nm dhe transistorët FinFET.

Everspin dhe GlobalFoundries kanë zgjatur marrëveshjen për zhvillimin e përbashkët të MRAM deri në procesin teknologjik 12-nm

Kompania Everspin ka mbi 650 patenta dhe aplikacione që lidhen me memorien MRAM. Ky është një lloj memorie, ku regjistrimi në celulë është i ngjashëm me regjistrimin e informacionit në një pllakatë magnetike të diskut të fortë. Në rastin e çipave, çdo celulë ka kokën e saj magnetike (në mënyrë kushtore). Memoria STT-MRAM që e zëvendëson atë, bazuar në efektin e transferimit të spinit të elektronit, funksionon me ndihmën e energjive të ulëta, pasi ndodh duke përdorur luhatje më të vogla në modet e regjistrimit dhe leximit.

Fillimisht, memoria MRAM u prodhua nga kompania NXP në fabrikën e saj në SHBA me porositë e Everspin. Në vitin 2014, Everspin nënshkroi një marrëveshje bashkëpunimi me GlobalFoundries. Së bashku, ata filluan të zhvillojnë proceset teknologjike për prodhimin e MRAM discrete dhe të integruar (STT-MRAM) duke përdorur procese më të avancuara.

Me kalimin e kohës, në kapacitetet e GlobalFoundries u ndërtua prodhimi i çipave STT-MRAM 40-nm dhe 28-nm (duke përfunduar me novitetin — çipin discrete 1-Gbit STT-MRAM), si dhe u përgatit procesi teknologjik 22FDX për integrimin e grupeve STT-MRAM në kontrollorët duke përdorur procesin 22-nm në pllakat FD-SOI. Marrëveshja e re mes Everspin dhe GlobalFoundries do të çojë në transferimin e prodhimit të çipave STT-MRAM në procesin 12-nm.


Everspin dhe GlobalFoundries kanë zgjatur marrëveshjen për zhvillimin e përbashkët të MRAM deri në procesin teknologjik 12-nm

Memoria MRAM po afrohet në shpejtësi me memorien SRAM dhe potencialisht mund ta zëvendësojë atë në kontrollorët për Internetin e gjërave. Ajo është gjithashtu e pavarur nga energjia dhe shumë më rezistente ndaj konsumit se memoria zakonisht NAND. Kalimi në standardet 12-nm do të lejojë rritjen e densitetit të regjistrimit të MRAM, që është disavantazhi i saj kryesor.



Burimi: 3dnews.ru
Blini hosting të besueshëm për faqe interneti me mbrojtje nga DDoS, serverë VPS VDS 🔥 Blini hosting të besueshëm për faqe interneti me mbrojtje nga DDoS, serverë VPS VDS | ProHoster