Modulet e memories të ndërtuara mbi çipat Samsung B-die janë, me shumë gjasa, një nga zgjedhjet më të njohura mes entuziastëve. Megjithatë, prodhuesi koreano-jugor i konsideron tashmë të vjetruara dhe po ndalon prodhimin e tyre, duke ofruar si zëvendësim çipa të tjerë të memories DDR4, të prodhuar me procese teknologjike më të reja. Kjo do të thotë se cikli jetësor i moduleve DDR4 të pabufferuara të Samsung, të bazuara në çipat B-die, ka përfunduar tashmë dhe së shpejti ato do të zhduken nga tregu. Edhe prodhues të tjerë, që përdorin çipat Samsung B-die në produktet e tyre, do të ndërpresin furnizimet me module të tilla.
Çipat Samsung B-die dhe modulet e memories të bazuara në to fituan vlerësim të gjerë falë universalitetit dhe potencialit për overclocking. Ato shkallëzohen shumë mirë në frekuencë, reagojnë mirë ndaj rritjes së tensionit të furnizimit dhe lejojnë punë me timings jashtëzakonisht agresivë. Një tjetër avantazh i rëndësishëm i moduleve të bazuara në çipat Samsung B-die është thjeshtësia në përdorim dhe përputhshmëria e gjerë me kontrollues të ndryshëm të memories, prandaj ato vlerësohen veçanërisht nga pronarët e sistemeve të bazuara në procesorët Ryzen.
Megjithatë, për prodhimin e çipave B-die përdoret një proces teknologjik mjaft i vjetër me normë 20 nm, ndaj dëshira e Samsung për të hequr dorë nga prodhimi i këtyre pajisjeve gjysmëpërçuese në favor të alternativave më moderne është plotësisht e kuptueshme. Jo shumë kohë më parë, kompania njoftoi fillimin e prodhimit të çipave DDR4 SDRAM me teknologjinë e klasës 1z-nm (gjenerata e tretë), ndërsa çipat e prodhuar me procesin 1y-nm (gjenerata e dytë) prodhohen tashmë prej më shumë se një viti e gjysmë. Pikërisht tek ato prodhuesi po inkurajon kalimin. Ndërsa për çipat B-die është vendosur zyrtarisht statusi EOL (End of Life) — fundi i ciklit jetësor.
Në vend të çipave legjendarë Samsung B-die, tani do të fitojnë përhapje zgjidhje të tjera. Çipat M-die, të prodhuar me proces teknologjik 1y nm, kanë arritur fazën e prodhimit masiv. Gjithashtu, në fazën e prodhimit të kualifikimit kanë hyrë edhe çipat A-die, të prodhuar me një teknologji edhe më të avancuar me normë 1z nm. Kjo do të thotë se memoria me çipa M-die do të dalë në shitje shumë shpejt, ndërsa modulet e ndërtuara mbi çipat A-die do të bëhen të disponueshme për përdoruesit brenda gjashtë muajve.
Përparësia kryesore e çipave të rinj të memories me bërthama të përditësuara, përveç proceseve moderne të prodhimit dhe potencialit për frekuenca më të larta, është edhe kapaciteti i tyre i shtuar. Ato mundësojnë prodhimin e moduleve DDR4 me një anë me kapacitet 16 GB dhe moduleve me dy anë me kapacitet 32 GB, gjë që më parë nuk ishte e mundur.
Vlen të kujtohet se këtë verë priten ndryshime të ndjeshme në gamën e moduleve DDR4 SDRAM të pranishme në treg. Përveç çipave të rinj të Samsung, në modulet e memories pritet të fillojnë të përdoren edhe çipat E-die të Micron dhe C-die të SK Hynix. Ka shumë gjasa që të gjitha këto ndryshime të çojnë në rritjen jo vetëm të kapacitetit mesatar, por edhe të potencialit të frekuencës së moduleve tipike DDR4 SDRAM.
Burimi: 3dnews.ru
