Више пута смо приметили да напајања постају „наше све“. Мобилна електроника, електрична возила, Интернет ствари, складиштење енергије и још много тога доводе процес напајања и конверзије напона на прве најважније позиције у електроници. Технологија производње чипова и дискретних елемената коришћењем материјала као нпр (ГаН). Истовремено, нико неће оспорити чињеницу да су интегрисана решења боља од дискретних како по компактности решења тако и по уштеди новца на дизајну и производњи. Недавно, на конференцији ПЦИМ 2019, истраживачи из белгијског центра Имец јасно да једночипна напајања (инвертори) на бази ГаН уопште нису научна фантастика, већ ствар блиске будућности.
Користећи галијум нитрид на силицијумској технологији на СОИ (силицијум на изолатору) плочицама, стручњаци Имец-а су креирали полумостни конвертор са једним чипом. Ово је једна од три класичне опције за повезивање прекидача за напајање (транзистора) за стварање претварача напона. Обично се за имплементацију кола узима скуп дискретних елемената. Да би се постигла одређена компактност, скуп елемената је такође смештен у један заједнички пакет, што не мења чињеницу да је коло састављено од појединачних компоненти. Белгијанци су успели да репродукују скоро све елементе полумоста на једном кристалу: транзисторе, кондензаторе и отпорнике. Решење је омогућило повећање ефикасности конверзије напона смањењем низа паразитских појава које обично прате кола конверзије.
У прототипу приказаном на конференцији, интегрисани ГаН-ИЦ чип је конвертовао улазни напон од 48 волти у излазни напон од 1 волти са фреквенцијом пребацивања од 1 МХз. Решење може изгледати прилично скупо, посебно с обзиром на употребу СОИ плочица, али истраживачи наглашавају да висок степен интеграције више него надокнађује трошкове. Производња претварача од дискретних компоненти биће скупља по дефиницији.
Извор: 3дневс.ру