Јутрос је у Сеулу, у Јужној Кореји, Интел одржао догађај „Мемори анд Стораге Даи 2019“ посвећен будућим плановима на тржишту меморије и ССД уређаја. Тамо су представници компаније говорили о будућим Оптане моделима, напретку у развоју пет-битног ПЛЦ НАНД (Пента Левел Целл) и другим обећавајућим технологијама које планира да промовише у наредним годинама. Интел је такође говорио о својој жељи да дугорочно уведе сталну РАМ меморију у десктоп рачунаре и о новим моделима познатих ССД-ова за овај сегмент.
Најнеочекиванији део Интелове презентације о текућем развоју била је прича о ПЛЦ НАНД – још гушћем типу флеш меморије. Компанија наглашава да се у последње две године укупна количина произведених података у свету удвостручила, па се чини да дискови засновани на четворобитном КЛЦ НАНД више нису добро решење за овај проблем – индустрији су потребне неке опције са вишим густина складиштења. Излаз би требао бити флеш меморија Пента-Левел Целл (ПЛЦ), чија свака ћелија складишти пет битова података одједном. Тако ће хијерархија типова флеш меморије ускоро изгледати као СЛЦ-МЛЦ-ТЛЦ-КЛЦ-ПЛЦ. Нови ПЛЦ НАНД ће моћи да складишти пет пута више података у поређењу са СЛЦ-ом, али, наравно, са нижим перформансама и поузданошћу, пошто ће контролер морати да разликује 32 различита стања напуњености ћелије да би писао и читао пет битова. .
Вреди напоменути да Интел није сам у својој потрази да направи још гушћу флеш меморију. Тосхиба је такође говорила о плановима за стварање ПЛЦ НАНД током самита о флеш меморији одржаном у августу. Међутим, Интелова технологија је значајно другачија: компанија користи меморијске ћелије са плутајућим вратима, док су Тосхибини дизајни изграђени око ћелија заснованих на замкама наелектрисања. Са повећањем густине складиштења информација, чини се да је плутајућа капија најбоље решење, јер минимизира међусобни утицај и проток наелектрисања у ћелијама и омогућава читање података са мање грешака. Другим речима, Интелов дизајн је погоднији за повећање густине, што потврђују резултати тестирања комерцијално доступних КЛЦ НАНД-а направљених коришћењем различитих технологија. Такви тестови показују да се деградација података у КЛЦ меморијским ћелијама заснованим на плутајућој капији дешава два до три пута спорије него у КЛЦ НАНД ћелијама са замком наелектрисања.
На овој позадини, прилично занимљиво изгледа податак да је Мицрон одлучио да свој развој флеш меморије подели са Интелом, између осталог, због жеље да се пређе на коришћење ћелија за замку наелектрисања. Интел остаје посвећен оригиналној технологији и систематски је примењује у свим новим решењима.
Поред ПЛЦ НАНД, који је још у развоју, Интел намерава да повећа густину складиштења информација у флеш меморији коришћењем других, приступачнијих технологија. Конкретно, компанија је потврдила скори прелазак на масовну производњу 96-слојног КЛЦ 3Д НАНД: користиће се у новом потрошачком погону .
Након тога следи савладавање производње 144-слојног КЛЦ 3Д НАНД-а - он ће се појавити у производним погонима следеће године. Занимљиво је да је Интел до сада негирао било какву намеру да користи троструко лемљење монолитних кристала, па док дизајн од 96 слојева подразумева вертикално склапање два 48-слојна кристала, технологија од 144 слоја ће се очигледно заснивати на 72-слојној технологији. „полупроизводи“.
Упоредо са повећањем броја слојева у КЛЦ 3Д НАНД кристалима, Интел програмери још не намеравају да повећавају капацитет самих кристала. На основу технологија од 96 и 144 слоја, исти терабитни кристали ће се производити као прва генерација 64-слојног КЛЦ 3Д НАНД. То је због жеље да се ССД-овима који се заснивају на њему обезбеди прихватљив ниво перформанси. Први ССД-ови који ће користити 144-слојну меморију биће Арбордале+ серверски дискови.
Извор: 3дневс.ру