Скоро стеампунк: Американци су смислили наностацк меморију са механичким прекидачима

Истраживачи из САД понудио меморијска ћелија која бележи податке механички померајући металне слојеве дебљине три атома. Таква меморијска ћелија обећава највећу густину снимања и захтева минимум енергије за њену имплементацију.

Развој је известила заједничка група научника из СЛАЦ лабораторије на Универзитету Станфорд, Универзитета Калифорније у Берклију и Тексашког А&М универзитета. Подаци објављени у часопису Природа физика.

Научници су спровели серију експеримената са наслагама 2Д метала званог волфрам дителурид. Сваки слој 2Д метала у снопу био је дебео од три атома, што је обећавало веома густо снимање у поређењу са силицијумским меморијским ћелијама. Експерименти су открили да мала количина енергије примењена на сноп изазива клизање (померање) сваког непарног слоја у хрпи слојева. Ово се дешава тако брзо да би откриће могло да доведе до стварања рачунарске меморије изузетно високих перформанси, која може да складишти информације без напајања (неиспарљиво).

Снимање информација (нула или један) се дешава у процесу померања слоја метала у стеку. Померање слоја изазива промене у кретању електрона у горњем и доњем слоју 2Д метала у односу на померени слој. Да би прочитали ове информације, научници предлажу коришћење квантног ефекта тзв Берри закривљеност. Ово је магнетни флукс који се ствара унутар материјала, који се јавља када се наелектрисане честице крећу унутар кристалне решетке.

Судећи по опису експеримента, меморија на померајућим слојевима у наслагама 2Д метала је веома, веома далека перспектива. Али перспектива је веома примамљива, обећавајући 100 пута брже снимање података за дуготрајно складиштење. На том путу, потребно је направити много експеримената и одабрати најбољу комбинацију материјала.

Извор:

• Нови Атлас

Извор: 3дневс.ру