Производња легендарних Самсунг Б-дие меморијских чипова је заустављена

Меморијски модули изграђени на Самсунг Б-дие чиповима су можда једна од најпопуларнијих опција међу ентузијастима. Међутим, јужнокорејски произвођач их сматра застарелим и тренутно зауставља њихову производњу, нудећи замене другим ДДР4 меморијским чиповима, у чијој производњи се користе новији технички процеси. То значи да су Самсунгови небаферовани ДДР4 меморијски модули засновани на Б-дие чиповима сада стигли до краја свог животног циклуса и да ће ускоро бити ван залиха. Други произвођачи који користе Самсунг Б-дие чипове у својим производима такође ће престати да испоручују сличне модуле.

Самсунг Б-дие чипови и меморијски модули засновани на њима освојили су широко признање због своје свестраности и потенцијала за оверклок. Савршено се прилагођавају фреквенцији, добро реагују на повећање напона напајања и омогућавају рад са екстремно агресивним тајмингима. Посебна важна предност модула заснованих на Самсунг Б-дие чиповима је њихова непретенциозност и широка компатибилност са различитим меморијским контролерима, због чега их посебно воле власници система заснованих на Ризен процесорима.

Међутим, за производњу Б-дие чипова користи се прилично стар технолошки процес са 20 нм стандардима, тако да је жеља Самсунга да одустане од производње таквих полупроводничких уређаја у корист модернијих алтернатива сасвим разумљива. Не тако давно, компанија је најавила почетак производње ДДР4 СДРАМ чипова по 1з-нм технологији (трећа генерација), а чипови произведени по 1и-нм технологији (друга генерација) производе се више од годину и по дана. На њих вас произвођач подстиче да пређете. Б-дие чиповима је званично додељен ЕОЛ (Енд оф Лифе) статус - крај животног циклуса.

Уместо легендарних Самсунг Б-дие чипова, сада ће бити дистрибуиране друге понуде. М-дие чипови, који се праве коришћењем 1и нм процесне технологије, достигли су фазу масовне производње. А-дие чипови, произведени коришћењем још напредније технологије са 1з нм стандардима, такође су достигли квалификациону фазу производње. То значи да ће меморија на М-дие чиповима бити у продаји у врло блиској будућности, а модули изграђени на А-дие чиповима ће постати доступни корисницима у року од шест месеци.

Главна предност нових меморијских чипова са ажурираним језгрима, поред савремених техничких процеса и потенцијално већег фреквентног потенцијала, је и њихов повећан капацитет. Они омогућавају производњу једностраних ДДР4 меморијских модула капацитета 16 ГБ и двостраних модула капацитета 32 ГБ, што је раније било немогуће.

Вреди подсетити да овог лета можемо очекивати значајне промене у асортиману ДДР4 СДРАМ меморијских модула доступних на тржишту. Поред нових Самсунг чипова, Е-дие чипови компаније Мицрон и Ц-дие из СК Хиник-а такође би требало да се користе у меморијским тракама. Вероватно је да ће све ове промене изазвати повећање не само просечне запремине, већ и фреквенцијског потенцијала просечних ДДР4 СДРАМ модула.

Извор: 3дневс.ру