Minnena byggda pĂ„ Samsung B-die-chips Ă€r utan tvekan ett av de mest populĂ€ra valen bland entusiaster. Den sydkoreanska tillverkaren anser dock att dessa Ă€r förĂ„ldrade och stoppar för nĂ€rvarande deras produktion, och erbjuder istĂ€llet andra DDR4-minneschips som tillverkas med nyare processer. Det betyder att livscykeln för de obuffrade DDR4-minnena frĂ„n Samsung, baserade pĂ„ B-die-chips, nu har avslutats, och de kommer snart att försvinna frĂ„n försĂ€ljning. Ăven andra tillverkare som anvĂ€nder Samsung B-die-chips i sina produkter kommer att sluta leverera sĂ„dana minnen.
Samsung B-die-chips och minnen baserade pÄ dem har vunnit stort erkÀnnande tack vare deras mÄngsidighet och överklockningspotential. De skalar utmÀrkt med frekvens, svarar bra pÄ ökande spÀnning och klarar av att fungera med extremt aggressiva timings. En sÀrskilt viktig fördel med minnen baserade pÄ Samsung B-die-chips Àr deras okomplicerade natur och breda kompatibilitet med olika minneskontroller, vilket gör att de Àr sÀrskilt Àlskade av Àgare av system med Ryzen-processorer.
Dock anvĂ€nds en ganska gammal tillverkningsteknik med 20 nm-normer för produktion av B-die-chips, sĂ„ Samsungs beslut att sluta tillverka sĂ„dana halvledarenheter till förmĂ„n för modernare alternativ Ă€r helt rimligt. Nyligen meddelade företaget att de pĂ„börjat produktionen av DDR4 SDRAM-chips med en 1z-nm klass teknik (tredje generationen), medan chips som tillverkas med en 1y-nm process (andra generationen) har varit i produktion i över ett och ett halvt Ă„r. Det Ă€r pĂ„ dessa som tillverkaren uppmanar att övergĂ„. B-die-chips har officiellt fĂ„tt statustypen EOL (End of Life) â slutet av livscykeln.
IstĂ€llet för de legendariska Samsung B-die-chipsen kommer andra alternativ nu att fĂ„ större spridning. M-die-chips har nĂ„tt massproduktionsstadiet, dĂ€r en process med 1y nm-normer anvĂ€nds för tillverkning. Ăven A-die-chips har nĂ„tt kvalifikationstillverkningsstadiet och tillverkas med en Ă€nnu mer avancerad teknik med 1z nm-normer. Detta innebĂ€r att minnet pĂ„ M-die-chips snart kommer att vara tillgĂ€ngligt för försĂ€ljning, och moduler byggda pĂ„ A-die-mikrochip kommer att bli tillgĂ€ngliga för anvĂ€ndare inom sex mĂ„nader.
Den frÀmsta fördelen med de nya minneskretsarna med uppdaterade kÀrnor, förutom moderna tillverkningsprocesser och potentiellt högre fre kvenspotential, Àr deras ökade kapacitet. De möjliggör tillverkning av ensidiga DDR4-minnesmoduler med en kapacitet pÄ 16 GB och dubbelsidiga moduler med en kapacitet pÄ 32 GB, vilket tidigare var omöjligt.
Det Àr vÀrt att pÄminna om att vi under sommaren kan förvÀnta oss betydande förÀndringar i sortimentet av befintliga DDR4 SDRAM-moduler pÄ marknaden. Förutom de nya Samsung-chipsen bör Àven E-die-chips frÄn Micron och C-die-chips frÄn SK Hynix börja anvÀndas i minnesmoduler. Det Àr helt möjligt att alla dessa förÀndringar kommer att leda till ökad genomsnittlig kapacitet och frekvenspotential för genomsnittliga DDR4 SDRAM-moduler.
KĂ€lla: 3dnews.ru
