ĂvergĂ„ngen frĂ„n kisel till halvledare med bred bandgap (galliumnitrid, kiselkarbid och andra) gör det möjligt att avsevĂ€rt öka driftfrekvenserna och förbĂ€ttra effektiviteten hos lösningar. DĂ€rför Ă€r en av de lovande tillĂ€mpningarna av bredbandiga chip och transistorer kommunikation och radarsystem. Elektronik baserad pĂ„ GaN-lösningar ger en ökning av effekten och en utvidgning av radars rĂ€ckvidd, vilket militĂ€rerna snabbt har utnyttjat.
Lockheed Martin , att de första mobila radarinstallationssystemen (RLS) baserade pÄ elektronik med galliumnitridkomponenter har levererats till den amerikanska militÀren. Företaget har inte kommit pÄ nÄgot nytt. De radarsystem av typ AN/TPQ-53, som antogs i tjÀnst 2010, har nu övergÄtt till galliumnitridkomponenter. Detta Àr den första och hittills enda radarn i vÀrlden som anvÀnder bredbandiga halvledare.
Genom övergÄngen till aktiva GaN-komponenter har RLS AN/TPQ-53 ökat detekteringsavstÄndet för dolda artilleripositioner och fÄtt möjlighet att övervaka luftmÄl samtidigt. I synnerhet har RLS AN/TPQ-53 börjat anvÀndas mot drönare, inklusive smÄ enheter. Identifieringen av dolda artilleripositioner kan ske bÄde i en 90-graders sektor och med en cirkulÀr 360-graders överblick.
Lockheed Martin Ă€r den enda leverantören av radar med aktiv phased array (FAR) till den amerikanska militĂ€ren. ĂvergĂ„ngen till galliumnitridkomponenter gör att företaget kan förvĂ€nta sig fortsatt lĂ„ngvarig ledarskap inom utveckling och produktion av radarsystem.
KĂ€lla: 3dnews.ru
