Fransmännen presenterade morgondagens GAA-transistor med sju nivåer
Det har länge inte varit någon hemlighet att med 3nm processteknik kommer transistorer att flytta från vertikala "fin" FinFET-kanaler till horisontella nanopage-kanaler helt omgivna av grindar eller GAA (gate-all-around). Idag visade det franska institutet CEA-Leti hur tillverkningsprocesser för FinFET-transistorer kan användas för att producera multi-level GAA-transistorer. Och att upprätthålla kontinuiteten i tekniska processer är en pålitlig grund för snabb omvandling. För VLSI Technology & Circuits Symposium […]