Ny attackteknik RowHammer mot DRAM-minne

Google har introducerat "Half-Double", en ny teknik för RowHammer-attacker som gör det möjligt att Àndra innehÄllet i specifika bitar av dynamiskt cacheminne (DRAM). Attacken kan reproduceras pÄ vissa moderna DRAM-chips vars tillverkare har lyckats minska cellernas geometri.

Kom ihÄg att RowHammer-attacker gör det möjligt att förvrÀnga innehÄllet i specifika bitar av minnet genom att cykliskt lÀsa data frÄn angrÀnsande minnesceller. Eftersom DRAM-minnet Àr en tvÄdimensionell matris av celler, var och en bestÄende av en kondensator och en transistor, leder kontinuerlig lÀsning av samma minnesomrÄde till spÀnningsfluktuationer och anomalier som orsakade en liten laddningsförlust i angrÀnsande celler. Om lÀshastigheten Àr tillrÀckligt hög kan den angrÀnsande cellen förlora en betydande mÀngd laddning och nÀsta regenereringscykel hinner inte ÄterstÀlla dess ursprungliga tillstÄnd, vilket leder till en förÀndring av de data som lagras i cellen.

För att skydda mot RowHammer har chipstillverkare implementerat en TRR-mekanism (Target Row Refresh) som skyddar mot förvrĂ€ngning av celler i angrĂ€nsande rader. Half-Double-metoden gör det möjligt att kringgĂ„ detta skydd genom att manipulera sĂ„ att förvrĂ€ngningen inte begrĂ€nsar sig till angrĂ€nsande rader utan sprider sig till andra minnesrader, om Ă€n i mindre omfattning. Googles ingenjörer har visat att för sekventiella minnesrader "A", "B" och "C", kan man attackera rad "C" vid mycket intensiv Ă„tkomst till rad "A" och liten aktivitet som berör rad "B". Åtkomst till rad "B" under attacken aktiverar icke-linjĂ€r laddningslĂ€ckage och gör det möjligt att anvĂ€nda rad "B" som transport för att överföra Rowhammer-effekten frĂ„n rad "A" till "C".

Ny attackteknik RowHammer mot DRAM-minne

Till skillnad frÄn TRRespass-attacker som manipulerar brister i olika implementationer av cellförvrÀngningsskyddet, baseras Half-Double-attakten pÄ de fysiska egenskaperna hos kiselsubstratet. Half-Double visar att de fenomen som troligen orsakar Rowhammer-effekter Àr ett avstÄndsfenomen och inte bara ett direkt grannskap av cellerna. NÀr cellens geometri minskar i moderna chips ökar ocksÄ radien för förvrÀngningens pÄverkan. Det Àr inte omöjligt att effekten kan observeras pÄ avstÄnd av mer Àn tvÄ rader.

Det noteras att tillsammans med JEDEC-föreningen har flera förslag utarbetats för att analysera möjliga sÀtt att blockera sÄdana attacker. Informationen om metoden har publicerats, eftersom Google anser att den genomförda forskningen avsevÀrt ökar förstÄelsen av Rowhammer-fenomenet och betonar vikten av en gemensam insats frÄn forskare, chipstillverkare och andra intressenter för att utveckla en fullstÀndig och lÄngsiktig lösning för skydd.

KĂ€lla: opennet.ru

Köp pĂ„litlig webbhotell med DDoS-skydd, VPS VDS-servrar đŸ”„ Köp pĂ„litlig webbhotell med DDoS-skydd, VPS VDS-servrar | ProHoster