Minnena byggda på Samsung B-die-chips är utan tvekan ett av de mest populära valen bland entusiaster. Den sydkoreanska tillverkaren anser dock att dessa är föråldrade och stoppar för närvarande deras produktion, och erbjuder istället andra DDR4-minneschips som tillverkas med nyare processer. Det betyder att livscykeln för de obuffrade DDR4-minnena från Samsung, baserade på B-die-chips, nu har avslutats, och de kommer snart att försvinna från försäljning. Även andra tillverkare som använder Samsung B-die-chips i sina produkter kommer att sluta leverera sådana minnen.
Samsung B-die-chips och minnen baserade på dem har vunnit stort erkännande tack vare deras mångsidighet och överklockningspotential. De skalar utmärkt med frekvens, svarar bra på ökande spänning och klarar av att fungera med extremt aggressiva timings. En särskilt viktig fördel med minnen baserade på Samsung B-die-chips är deras okomplicerade natur och breda kompatibilitet med olika minneskontroller, vilket gör att de är särskilt älskade av ägare av system med Ryzen-processorer.
Dock används en ganska gammal tillverkningsteknik med 20 nm-normer för produktion av B-die-chips, så Samsungs beslut att sluta tillverka sådana halvledarenheter till förmån för modernare alternativ är helt rimligt. Nyligen meddelade företaget att de påbörjat produktionen av DDR4 SDRAM-chips med en 1z-nm klass teknik (tredje generationen), medan chips som tillverkas med en 1y-nm process (andra generationen) har varit i produktion i över ett och ett halvt år. Det är på dessa som tillverkaren uppmanar att övergå. B-die-chips har officiellt fått statustypen EOL (End of Life) – slutet av livscykeln.
Istället för de legendariska Samsung B-die-chipsen kommer andra alternativ nu att få större spridning. M-die-chips har nått massproduktionsstadiet, där en process med 1y nm-normer används för tillverkning. Även A-die-chips har nått kvalifikationstillverkningsstadiet och tillverkas med en ännu mer avancerad teknik med 1z nm-normer. Detta innebär att minnet på M-die-chips snart kommer att vara tillgängligt för försäljning, och moduler byggda på A-die-mikrochip kommer att bli tillgängliga för användare inom sex månader.
Den främsta fördelen med de nya minneskretsarna med uppdaterade kärnor, förutom moderna tillverkningsprocesser och potentiellt högre fre kvenspotential, är deras ökade kapacitet. De möjliggör tillverkning av ensidiga DDR4-minnesmoduler med en kapacitet på 16 GB och dubbelsidiga moduler med en kapacitet på 32 GB, vilket tidigare var omöjligt.
Det är värt att påminna om att vi under sommaren kan förvänta oss betydande förändringar i sortimentet av befintliga DDR4 SDRAM-moduler på marknaden. Förutom de nya Samsung-chipsen bör även E-die-chips från Micron och C-die-chips från SK Hynix börja användas i minnesmoduler. Det är helt möjligt att alla dessa förändringar kommer att leda till ökad genomsnittlig kapacitet och frekvenspotential för genomsnittliga DDR4 SDRAM-moduler.
Källa: 3dnews.ru
