Enligt uppgifter från industrikällor i Taiwan, som den digitala mediekällan DigiTimes, förbereder den kinesiska minnestillverkaren ChangXin Memory Technologies (CXMT) sig för massproduktion av LPDDR4-minnen. ChangXin, även känd som Innotron Memory, sägs ha utvecklat sin egen tillverkningsprocess för DRAM med hjälp av 19-nm tekniska normer.
För kommersiell produktion av minnen på sitt första 300 mm-anläggning skulle ChangXin under första halvan av 2019. Tyvärr har detta ännu inte skett. Men produktionen av 8 Gb DDR4 LPDDR4-chip kommer att åtföljas av en utvidgning av kapaciteten till 20 000 300 mm kiselplattor i månaden. Den maximala kapaciteten för linjerna på ChangXin-anläggningen når 125 000 300 mm plattor i månaden. Men detta är inte heller gränsen. Företaget meddelade att de nästa år kommer att börja bygga en andra fabrik för bearbetning av 300 mm plattor med minne.
Samtidigt kan denna kinesiska tillverkare stå inför problem av annan typ. Kom ihåg att det första kinesiska företaget som planerade att börja massproduktionsminne DRAM - Fujian Jinhua - med förbud mot att köpa produktionsutrustning från amerikanska partner. I Taiwan anser man att ChangXin kommer att möta samma problem som Fujian. Dessutom har de anställt kvalificerade ingenjörer från det tidigare taiwanesiska dotterbolaget till den japanska Elpida, vars verksamhet har köpts upp av amerikanska Micron. Analytikerna förväntar sig rättsliga åtgärder mot ChangXin från Micron och sanktioner om den kinesiska sidan inte reagerar.
Parallellt arbetar ChangXin med utvecklingen av en tillverkningsprocess för minnen med normer på 17 nm. Avslutningen av utvecklingen förväntas 2021. Sannolikt kommer ChangXins andra fabrik att börja produktionen av DRAM-kristaller med just dessa normer. Om inte, förstås, står de inför oöverstigliga hinder i form av amerikanska sanktioner och Microns intriger.
Källa: 3dnews.ru
