I morse i Seoul, Sydkorea, höll Intel eventet "Memory and Storage Day 2019" tillägnat framtida planer på marknaden för minnes- och solid-state-enheter. Där talade företagsrepresentanter om framtida Optane-modeller, framsteg i utvecklingen av fembitars PLC NAND (Penta Level Cell) och andra lovande teknologier som man planerar att främja under de kommande åren. Intel talade också om sin önskan att introducera icke-flyktigt RAM-minne i stationära datorer på lång sikt och om nya modeller av välbekanta SSD-enheter för detta segment.
Den mest oväntade delen av Intels presentation om pågående utveckling var historien om PLC NAND – en ännu tätare typ av flashminne. Företaget betonar att under de senaste två åren har den totala mängden data som produceras i världen fördubblats, så enheter baserade på fyra-bitars QLC NAND verkar inte längre vara en bra lösning på detta problem - branschen behöver några alternativ med högre lagringstäthet. Utdata ska vara Penta-Level Cell (PLC) flashminne, vars varje cell lagrar fem databitar samtidigt. Således kommer hierarkin av flashminnestyper snart att se ut som SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Den nya PLC NAND kommer att kunna lagra fem gånger mer data jämfört med SLC, men, naturligtvis, med lägre prestanda och tillförlitlighet, eftersom styrenheten måste skilja mellan 32 olika laddningstillstånd i cellen för att skriva och läsa fem bitar .
Det är värt att notera att Intel inte är ensamma i sin strävan att göra ännu tätare flashminne. Toshiba talade också om planerna på att skapa PLC NAND under Flash Memory Summit som hölls i augusti. Intels teknologi är dock väsentligt annorlunda: företaget använder flytande grind-minnesceller, medan Toshibas design är uppbyggd kring laddningsfällan-baserade celler. Med ökande informationslagringstäthet verkar en flytande grind vara den bästa lösningen, eftersom den minimerar ömsesidig påverkan och flödet av laddningar i cellerna och gör det möjligt att läsa data med färre fel. Intels design är med andra ord bättre lämpad för att öka densiteten, vilket bekräftas av testresultat av kommersiellt tillgängliga QLC NAND gjorda med olika teknologier. Sådana tester visar att dataförsämring i QLC-minnesceller baserade på en flytande grind sker två till tre gånger långsammare än i QLC NAND-celler med en laddningsfälla.
Mot denna bakgrund ser informationen om att Micron bestämde sig för att dela sin flashminnesutveckling med Intel, bland annat på grund av önskan att gå över till att använda laddfällaceller, ganska intressant ut. Intel förblir engagerad i den ursprungliga tekniken och implementerar den systematiskt i alla nya lösningar.
Utöver PLC NAND, som fortfarande är under utveckling, har Intel för avsikt att öka lagringstätheten för information i flashminnet genom att använda andra, mer prisvärda teknologier. I synnerhet bekräftade företaget den förestående övergången till massproduktion av 96-lagers QLC 3D NAND: den kommer att användas i en ny konsumentenhet .
Detta kommer att följas av att bemästra produktionen av 144-lagers QLC 3D NAND - det kommer att slå produktionsenheter nästa år. Det är märkligt att Intel hittills har förnekat all avsikt att använda trippellödning av monolitiska kristaller, så även om 96-lagers designen involverar vertikal montering av två 48-lagers kristaller, kommer 144-lagers teknologin tydligen att vara baserad på 72-lager "halvfärdiga produkter".
Tillsammans med ökningen av antalet lager i QLC 3D NAND-kristaller, har Intel-utvecklare ännu inte för avsikt att öka kapaciteten på själva kristallerna. Baserat på 96- och 144-lagersteknologier kommer samma terabitkristaller att produceras som första generationens 64-lagers QLC 3D NAND. Detta beror på önskan att förse SSD-enheter baserade på den med en acceptabel prestandanivå. De första SSD:erna som använder 144-lagers minne kommer att vara Arbordale+ serverenheter.
Källa: 3dnews.ru