amerikanska forskare en minnescell som registrerar data genom att mekaniskt förskjuta metallskikt tre atomer tjocka. En sådan minnescell lovar den högsta inspelningstätheten och kräver ett minimum av energi för dess genomförande.
Utvecklingen rapporterades av en gemensam grupp forskare från SLAC-laboratoriet vid Stanford University, University of California i Berkeley och Texas A&M University. Data publicerade i tidskriften .
Forskarna genomförde en serie experiment med staplar av en 2D-metall som kallas volframditellurid. Varje lager av 2D-metall i stapeln var tre atomer tjockt, vilket lovade en mycket tät inspelning jämfört med kiselminnesceller. Experiment har visat att en liten mängd energi som appliceras på stapeln orsakar glidning (förskjutning) av varje udda lager i en stapel av lager. Detta sker så snabbt att upptäckten kan leda till skapandet av extremt högpresterande datorminne, som kan lagra information utan strömförsörjning (icke-flyktigt).
Registrering av information (noll eller en) sker i processen att förskjuta ett lager av metall i en stapel. Lagerförskjutning orsakar förändringar i elektronernas rörelse i de övre och undre lagren av 2D-metaller i förhållande till det förskjutna lagret. För att läsa denna information föreslår forskare att man använder en kvanteffekt som kallas . Detta är ett magnetiskt flöde som genereras inuti materialet, som uppstår när laddade partiklar rör sig inuti kristallgittret.
Att döma av beskrivningen av experimentet är minne på skiftbara lager i högar av 2D-metaller en mycket, mycket avlägsen utsikt. Men utsikten är mycket frestande och lovar 100 gånger snabbare dataregistrering för långtidslagring. Längs vägen finns det många experiment som ska göras och den bästa kombinationen av material ska väljas.
Källa:
Källa: 3dnews.ru