Enligt industrikällor i Taiwan, som Internetresurs DigiTimes, den kinesiska minnestillverkaren ChangXin Memory Technologies (CXMT) är i full gång med att förbereda linjer för massproduktion av LPDDR4-minne. ChangXin, även känt som Innotron Memory, sägs ha utvecklat sin egen DRAM-produktionsprocess med hjälp av 19nm-teknik.
För kommersiell produktion av minne på sitt första 300 mm-företag var ChangXin tvungen under första halvåret 2019. Tyvärr har detta inte hänt än. Men starten av produktionen av 8-Gbit DDR4 LPDDR4-chips kommer att åtföljas av en expansion av kapaciteten till 20 tusen 300-nm kiselskivor per månad. Den maximala kapaciteten för linjerna på ChangXin-företaget når 125 tusen 300 mm wafers per månad. Men detta är inte heller gränsen. Företaget sa att det kommer att börja bygga en andra anläggning nästa år för att bearbeta 300 mm minnesskivor.
Samtidigt kan denna kinesiska tillverkare möta problem av ett annat slag. Låt oss komma ihåg att det första kinesiska företaget som skulle påbörja massproduktion av DRAM-minne var Fujian Jinhua. USA med förbud mot att köpa produktionsutrustning från amerikanska partners. I Taiwan tror de att ChangXin kommer att möta samma problem som Fujian. Dessutom rekryterade man kvalificerade ingenjörer från det tidigare taiwanesiska dotterbolaget till japanska Elpida, vars verksamhet absorberades av amerikanska Micron. Analytiker förväntar sig krav mot ChangXin från Micron och sanktioner om den kinesiska sidan inte svarar.
Parallellt utvecklar ChangXin en teknisk process för att producera minne med 17 nm-standarder. Utbyggnaden beräknas vara klar 2021. Förmodligen kommer den andra ChangXin-fabriken att börja arbeta med produktion av DRAM-kristaller med dessa standarder. Såvida inte amerikanska sanktioner och Microns intrig blir ett oöverstigligt hinder på vägen.
Källa: 3dnews.ru