{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/sv\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Ny attackteknik RowHammer mot DRAM-minne","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
Google har introducerat \"Half-Double\", en ny attackteknik av RowHammer-klass som g\u00f6r det m\u00f6jligt att \u00e4ndra inneh\u00e5llet i specifika bitar av dynamisk RAM (DRAM). Attacken kan reproduceras p\u00e5 vissa moderna DRAM-chips vars tillverkare har uppn\u00e5tt en minskning av cellernas geometri. <\/p>\n
Kom ih\u00e5g att RowHammer-attacker g\u00f6r det m\u00f6jligt att f\u00f6rvr\u00e4nga inneh\u00e5llet i specifika bitar av minnet genom att cykliskt l\u00e4sa data fr\u00e5n angr\u00e4nsande minnesceller. Eftersom DRAM-minnet \u00e4r en tv\u00e5dimensionell matris av celler, var och en best\u00e5ende av en kondensator och en transistor, leder kontinuerlig l\u00e4sning av samma minnesomr\u00e5de till sp\u00e4nningsfluktuationer och anomalier som orsakade en liten laddningsf\u00f6rlust i angr\u00e4nsande celler. Om l\u00e4shastigheten \u00e4r tillr\u00e4ckligt h\u00f6g kan den angr\u00e4nsande cellen f\u00f6rlora en betydande m\u00e4ngd laddning och n\u00e4sta regenereringscykel hinner inte \u00e5terst\u00e4lla dess ursprungliga tillst\u00e5nd, vilket leder till en f\u00f6r\u00e4ndring av de data som lagras i cellen. <\/p>\n
F\u00f6r att skydda sig mot RowHammer har chipstillverkare implementerat mekanismen TRR (Target Row Refresh), som skyddar mot f\u00f6rvr\u00e4ngning av celler i angr\u00e4nsande rader. Half-Double-metoden g\u00f6r det m\u00f6jligt att kringg\u00e5 detta skydd genom att manipulera s\u00e5 att f\u00f6rvr\u00e4ngningar inte \u00e4r begr\u00e4nsade till angr\u00e4nsande rader och sprider sig till andra rader i minnet, \u00e4ven om det i mindre grad. Ingenj\u00f6rer fr\u00e5n Google har visat att f\u00f6r de sekventiella raderna i minnet \"A\", \"B\" och \"C\", kan man attackera raden \"C\" vid mycket intensiv \u00e5tkomst till raden \"A\" och liten aktivitet som ber\u00f6r raden \"B\". \u00c5tkomsten till raden \"B\" under attacken aktiverar icke-linj\u00e4ra l\u00e4ckor av laddningar och g\u00f6r det m\u00f6jligt att anv\u00e4nda raden \"B\" som transport f\u00f6r att \u00f6verf\u00f6ra effekten av RowHammer fr\u00e5n raden \"A\" till \"C\".
<\/center> <\/p>\n
Till skillnad fr\u00e5n TRRespass-attacker som manipulerar brister i olika implementationer av cellf\u00f6rvr\u00e4ngningsskyddet, baseras Half-Double-attakten p\u00e5 de fysiska egenskaperna hos kiselsubstratet. Half-Double visar att de fenomen som troligen orsakar Rowhammer-effekter \u00e4r ett avst\u00e5ndsfenomen och inte bara ett direkt grannskap av cellerna. N\u00e4r cellens geometri minskar i moderna chips \u00f6kar ocks\u00e5 radien f\u00f6r f\u00f6rvr\u00e4ngningens p\u00e5verkan. Det \u00e4r inte om\u00f6jligt att effekten kan observeras p\u00e5 avst\u00e5nd av mer \u00e4n tv\u00e5 rader. <\/p>\n
Det noteras att tillsammans med JEDEC-f\u00f6reningen har flera f\u00f6rslag utarbetats f\u00f6r att analysera m\u00f6jliga s\u00e4tt att blockera s\u00e5dana attacker. Informationen om metoden har publicerats, eftersom Google anser att den genomf\u00f6rda forskningen avsev\u00e4rt \u00f6kar f\u00f6rst\u00e5elsen av Rowhammer-fenomenet och betonar vikten av en gemensam insats fr\u00e5n forskare, chipstillverkare och andra intressenter f\u00f6r att utveckla en fullst\u00e4ndig och l\u00e5ngsiktig l\u00f6sning f\u00f6r skydd. \n K\u00e4lla: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
![\"Ny](\"\/wp-content\/uploads\/2021\/05\/3b26e2f816dd022ccaaf8928c4660360.png\")
<\/center> <\/p>\n