Asubuhi ya leo mjini Seoul, Korea Kusini, Intel iliandaa tukio la "Siku ya Kumbukumbu na Hifadhi 2019", iliyowekwa kwa mipango ya siku zijazo ya soko la kumbukumbu na hali dhabiti. Wakati huo, wawakilishi wa kampuni walizungumza kuhusu mifano ya baadaye ya Optane, maendeleo katika uundaji wa PLC NAND ya tano-bit (Penta Level Cell) na teknolojia zingine za kuahidi ambazo itakuza katika miaka ijayo. Intel pia alizungumza juu ya hamu yake ya kuanzisha RAM isiyo na tete katika kompyuta za mezani kwa muda mrefu na juu ya mifano mpya ya SSD zinazojulikana kwa sehemu hii.
Sehemu ya kushangaza zaidi ya uwasilishaji wa Intel wa maendeleo yanayoendelea ilikuwa hadithi ya PLC NAND, aina mnene zaidi ya kumbukumbu ya flash. Kampuni hiyo inasisitiza kuwa zaidi ya miaka miwili iliyopita, jumla ya data zinazozalishwa duniani zimeongezeka mara mbili, hivyo anatoa kulingana na QLC NAND ya nne-bit haionekani tena kuwa suluhisho nzuri kwa tatizo hili - sekta inahitaji chaguo fulani na habari zaidi. wiani wa kuhifadhi. Pato linapaswa kuwa kumbukumbu ya flash ya Penta-Level Cell (PLC), ambayo kila seli huhifadhi biti tano za data mara moja. Kwa hivyo, uongozi wa aina za kumbukumbu za flash hivi karibuni utaonekana kama SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. PLC NAND mpya itaweza kuhifadhi data mara tano zaidi ikilinganishwa na SLC, lakini, bila shaka, kwa utendaji mdogo na kuegemea, kwani ili kuandika na kusoma bits tano, mtawala atalazimika kutofautisha kati ya majimbo 32 tofauti ya malipo. ya seli.
Ni muhimu kuzingatia kwamba Intel sio peke yake katika hamu yake ya kufanya kumbukumbu ya denser flash. Toshiba pia alizungumza kuhusu mipango ya kuunda PLC NAND wakati wa Mkutano wa Kumbukumbu ya Flash uliofanyika Agosti. Walakini, teknolojia ya Intel ina tofauti kubwa: kampuni hutumia seli za kumbukumbu za lango linaloelea, wakati miundo ya Toshiba imejengwa karibu na seli kulingana na mtego wa malipo. Lango linaloelea linaonekana kuwa suluhisho bora kwa kuongezeka kwa msongamano wa hifadhi, kwa kuwa hupunguza ushawishi wa pande zote na mtiririko wa malipo katika seli na kuwezesha kusoma data na makosa machache. Kwa maneno mengine, muundo wa Intel unafaa zaidi kwa kuongezeka kwa msongamano, kama inavyothibitishwa na matokeo ya majaribio ya QLC NAND inayopatikana kibiashara iliyotengenezwa kwa kutumia teknolojia tofauti. Majaribio kama haya yanaonyesha kuwa uharibifu wa data katika seli za QLC kulingana na lango linaloelea ni polepole mara mbili hadi tatu kuliko seli za QLC NAND zilizo na mtego wa malipo.
Kutokana na hali hii, taarifa ambayo Micron aliamua kushiriki maendeleo yake ya kumbukumbu ya flash na Intel inaonekana ya kuvutia sana, ikiwa ni pamoja na kwa sababu ya hamu ya kubadili kutumia seli za mtego wa malipo. Intel, kwa upande mwingine, inabakia kujitolea kwa teknolojia ya asili na inaitekeleza kwa utaratibu katika suluhisho zote mpya.
Mbali na PLC NAND, ambayo bado iko chini ya maendeleo, Intel inatarajia kuongeza wiani wa uhifadhi wa habari katika kumbukumbu ya flash kwa kutumia teknolojia nyingine, nafuu zaidi. Hasa, kampuni ilithibitisha mpito unaokaribia kwa uzalishaji wa wingi wa safu ya 96 QLC 3D NAND: itatumika katika gari mpya la watumiaji. .
Hii itafuatiwa na maendeleo ya uzalishaji wa safu ya 144 QLC 3D NAND - itaanguka katika anatoa zinazozalishwa kwa wingi mwaka ujao. Inashangaza, hata hivyo, Intel hadi sasa imekanusha nia ya kutumia monolithic ya "soldering" mara tatu, kwa hivyo wakati muundo wa safu 96 unahusisha mkusanyiko wa wima wa safu mbili za 48, teknolojia ya safu 144 itakuwa msingi wa safu 72 " bidhaa za kumaliza nusu".
Pamoja na ukuaji wa idadi ya tabaka katika fuwele za QLC 3D NAND, wasanidi programu wa Intel hawana nia ya kuongeza uwezo wa fuwele wenyewe bado. Kulingana na teknolojia ya safu 96 na 144, fuwele za terabiti sawa na kizazi cha kwanza cha safu 64 za QLC 3D NAND zitatolewa. Hii ni kutokana na tamaa ya kutoa SSD kulingana na kiwango cha kukubalika cha utendaji. SSD za kwanza kutumia kumbukumbu ya safu-144 zitakuwa anatoa za seva za Arbordale+.
Chanzo: 3dnews.ru