Kulingana na vyanzo vya tasnia nchini Taiwan, ambayo Rasilimali ya mtandao DigiTimes, mtengenezaji wa kumbukumbu wa China ChangXin Memory Technologies (CXMT) iko mbioni kutayarisha mistari kwa ajili ya utengenezaji wa kumbukumbu ya LPDDR4 kwa wingi. ChangXin, pia inajulikana kama Innotron Memory, inasemekana ilianzisha mchakato wake wa utengenezaji wa DRAM kwa kutumia teknolojia ya 19nm.
Kwa uzalishaji wa kibiashara wa kumbukumbu katika biashara yake ya kwanza ya mm 300, ChangXin ilibidi katika nusu ya kwanza ya 2019. Ole, hii haijafanyika bado. Lakini kuanza kwa utengenezaji wa chips 8-Gbit DDR4 LPDDR4 kutaambatana na upanuzi wa uwezo wa kaki elfu 20 za silicon 300-nm kwa mwezi. Uwezo wa juu wa mistari katika biashara ya ChangXin hufikia kaki elfu 125 300 kwa mwezi. Lakini hii sio kikomo pia. Kampuni hiyo ilisema itaanza kujenga kiwanda cha pili mwaka ujao ili kusindika kaki za kumbukumbu za 300mm.
Wakati huo huo, mtengenezaji huyu wa Kichina anaweza kukabiliana na matatizo ya aina tofauti. Tukumbuke kwamba kampuni ya kwanza ya China ambayo ingeanza uzalishaji wa kumbukumbu ya DRAM kwa wingi ilikuwa Fujian Jinhua. Marekani ikiwa na marufuku ya kununua vifaa vya uzalishaji kutoka kwa washirika wa Marekani. Huko Taiwan, wanaamini kwamba ChangXin itakabiliwa na matatizo sawa na Fujian. Kwa kuongezea, iliajiri wahandisi waliohitimu kutoka kampuni tanzu ya zamani ya Taiwan ya Elpida ya Japani, ambayo biashara yake ilichukuliwa na Micron ya Amerika. Wachambuzi wanatarajia madai dhidi ya ChangXin kutoka kwa Micron na vikwazo ikiwa upande wa Uchina haujibu.
Sambamba na hilo, ChangXin inatengeneza mchakato wa kiufundi wa kutengeneza kumbukumbu yenye viwango vya nm 17. Kukamilika kwa maendeleo kunatarajiwa mnamo 2021. Pengine, kiwanda cha pili cha ChangXin kitaanza kufanya kazi na uzalishaji wa fuwele za DRAM na viwango hivi. Isipokuwa, kwa kweli, vikwazo vya Amerika na ujanja wa Micron huwa kikwazo kisichoweza kushindwa katika njia yake.
Chanzo: 3dnews.ru