డిజిటల్ డేటా యొక్క అస్థిర నిల్వ కోసం పరికరాల సృష్టి మరియు అభివృద్ధి అనేక దశాబ్దాలుగా కొనసాగుతోంది. NAND మెమరీ ద్వారా 20 సంవత్సరాల కంటే కొంచెం తక్కువ సమయంలో నిజమైన పురోగతి జరిగింది, అయినప్పటికీ దాని అభివృద్ధి 20 సంవత్సరాల ముందు ప్రారంభమైంది. నేడు, పెద్ద-స్థాయి పరిశోధన ప్రారంభమైన అర్ధ శతాబ్దం తర్వాత, ఉత్పత్తి ప్రారంభం మరియు NANDని మెరుగుపరచడానికి నిరంతర ప్రయత్నాలు, ఈ రకమైన జ్ఞాపకశక్తి దాని అభివృద్ధి సామర్థ్యాన్ని పూర్తి చేయడానికి దగ్గరగా ఉంది. మెరుగైన శక్తి, వేగం మరియు ఇతర లక్షణాలతో మరొక మెమరీ సెల్‌కు పరివర్తనకు పునాది వేయడం అవసరం. దీర్ఘకాలంలో, అటువంటి జ్ఞాపకశక్తి కొత్త రకం ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ మెమరీ కావచ్చు.
ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్స్ (ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్స్ అనే పదం విదేశీ సాహిత్యంలో ఉపయోగించబడుతుంది) అనువర్తిత విద్యుత్ క్షేత్రం యొక్క జ్ఞాపకశక్తిని కలిగి ఉన్న విద్యుద్వాహకములు లేదా ఇతర మాటలలో, ఛార్జీల అవశేష ధ్రువణత ద్వారా వర్గీకరించబడతాయి. ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ మెమరీ కొత్తది కాదు. ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ కణాలను నానోస్కేల్ స్థాయికి తగ్గించడం సవాలు.
మూడు సంవత్సరాల క్రితం, MIPT వద్ద శాస్త్రవేత్తలు హాఫ్నియం ఆక్సైడ్ (HfO2) ఆధారంగా ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ మెమరీ కోసం థిన్-ఫిల్మ్ మెటీరియల్ తయారీకి సాంకేతికత. ఇది కూడా ప్రత్యేకమైన పదార్థం కాదు. ప్రాసెసర్లు మరియు ఇతర డిజిటల్ లాజిక్‌లలో మెటల్ గేట్‌లతో ట్రాన్సిస్టర్‌లను తయారు చేయడానికి ఈ విద్యుద్వాహకము వరుసగా ఐదు సంవత్సరాలు ఉపయోగించబడింది. MIPT వద్ద ప్రతిపాదించబడిన 2,5 nm మందంతో హాఫ్నియం మరియు జిర్కోనియం ఆక్సైడ్‌ల మిశ్రమం పాలీక్రిస్టలైన్ ఫిల్మ్‌ల ఆధారంగా, ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ లక్షణాలతో పరివర్తనలను సృష్టించడం సాధ్యమైంది.
ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ కెపాసిటర్లు (అవి MIPTలో పిలవబడేవి) మెమరీ కణాలుగా ఉపయోగించబడటానికి, నానోలేయర్‌లోని భౌతిక ప్రక్రియల యొక్క వివరణాత్మక అధ్యయనం అవసరమయ్యే అత్యధిక ధ్రువణతను సాధించడం అవసరం. ప్రత్యేకించి, వోల్టేజ్ వర్తించినప్పుడు పొర లోపల విద్యుత్ సంభావ్యత పంపిణీ గురించి ఒక ఆలోచనను పొందండి. ఇటీవలి వరకు, శాస్త్రవేత్తలు దృగ్విషయాన్ని వివరించడానికి గణిత ఉపకరణంపై మాత్రమే ఆధారపడగలరు మరియు ఇప్పుడు మాత్రమే ఒక సాంకేతికత అమలు చేయబడింది, దీనితో దృగ్విషయం యొక్క ప్రక్రియలో పదార్థం లోపల చూడటం అక్షరాలా సాధ్యమైంది.
అధిక-శక్తి ఎక్స్-రే ఫోటోఎలెక్ట్రాన్ స్పెక్ట్రోస్కోపీపై ఆధారపడిన ప్రతిపాదిత సాంకేతికత, ప్రత్యేక ఇన్‌స్టాలేషన్ (సింక్రోట్రోన్ యాక్సిలరేటర్లు)పై మాత్రమే అమలు చేయబడుతుంది. ఇది హాంబర్గ్ (జర్మనీ)లో ఉంది. MIPTలో తయారు చేయబడిన హాఫ్నియం ఆక్సైడ్ ఆధారిత "ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ కెపాసిటర్లు"తో అన్ని ప్రయోగాలు జర్మనీలో జరిగాయి. నిర్వహించిన పని గురించి ఒక కథనం ప్రచురించబడింది .
"మా ప్రయోగశాలలో సృష్టించబడిన ఫెర్రోఎలెక్ట్రిక్ కెపాసిటర్లు, అస్థిర మెమరీ కణాల పారిశ్రామిక ఉత్పత్తికి ఉపయోగించినట్లయితే, 1010 రీరైట్ సైకిళ్లను అందించగలవు - ఆధునిక కంప్యూటర్ ఫ్లాష్ డ్రైవ్‌లు అనుమతించే దానికంటే వంద వేల రెట్లు ఎక్కువ" అని ఆండ్రీ జెంకెవిచ్ చెప్పారు. పని రచయితలు, నానోఎలక్ట్రానిక్స్ MIPT కోసం ఫంక్షనల్ మెటీరియల్స్ మరియు పరికరాల ప్రయోగశాల అధిపతి. ఈ విధంగా, ఇంకా చాలా, చాలా అడుగులు వేయవలసి ఉన్నప్పటికీ, కొత్త జ్ఞాపకం వైపు మరో అడుగు పడింది.
మూలం: 3dnews.ru