తైవాన్‌లోని పరిశ్రమ వర్గాల ప్రకారం, ఇది ఇంటర్నెట్ రిసోర్స్ DigiTimes, చైనీస్ మెమరీ తయారీదారు ChangXin మెమరీ టెక్నాలజీస్ (CXMT) LPDDR4 మెమరీ యొక్క భారీ ఉత్పత్తి కోసం లైన్‌లను సిద్ధం చేయడం పూర్తి స్వింగ్‌లో ఉంది. ChangXin, Innotron Memory అని కూడా పిలుస్తారు, 19nm టెక్నాలజీని ఉపయోగించి దాని స్వంత DRAM ఉత్పత్తి ప్రక్రియను అభివృద్ధి చేసింది.
దాని మొదటి 300 mm ఎంటర్‌ప్రైజ్‌లో మెమరీ యొక్క వాణిజ్య ఉత్పత్తి కోసం, ChangXin చేయాల్సి వచ్చింది 2019 మొదటి అర్ధభాగంలో. అయ్యో, ఇది ఇంకా జరగలేదు. కానీ 8-Gbit DDR4 LPDDR4 చిప్‌ల ఉత్పత్తి ప్రారంభంతో పాటు నెలకు 20 వేల 300-nm సిలికాన్ పొరల సామర్థ్యం విస్తరణ ఉంటుంది. ChangXin ఎంటర్‌ప్రైజ్‌లోని లైన్ల గరిష్ట సామర్థ్యం నెలకు 125 వేల 300 మిమీ పొరలకు చేరుకుంటుంది. కానీ ఇది కూడా పరిమితి కాదు. 300 ఎంఎం మెమరీ వేఫర్‌లను ప్రాసెస్ చేయడానికి వచ్చే ఏడాది రెండవ ప్లాంట్‌ను నిర్మించనున్నట్లు కంపెనీ తెలిపింది.
అదే సమయంలో, ఈ చైనీస్ తయారీదారు వేరే రకమైన సమస్యలను ఎదుర్కోవచ్చు. DRAM మెమరీ యొక్క భారీ ఉత్పత్తిని ప్రారంభించబోతున్న మొదటి చైనీస్ కంపెనీ ఫుజియాన్ జిన్హువా అని గుర్తుచేసుకుందాం. అమెరికన్ భాగస్వాముల నుండి ఉత్పత్తి పరికరాలను కొనుగోలు చేయడంపై నిషేధంతో USA. తైవాన్‌లో, ఫుజియాన్ మాదిరిగానే ChangXin సమస్యలను ఎదుర్కొంటుందని వారు విశ్వసిస్తున్నారు. అదనంగా, ఇది జపనీస్ ఎల్పిడా యొక్క మాజీ తైవానీస్ అనుబంధ సంస్థ నుండి అర్హత కలిగిన ఇంజనీర్‌లను నియమించింది, దీని వ్యాపారాన్ని అమెరికన్ మైక్రోన్ గ్రహించింది. విశ్లేషకులు మైక్రోన్ నుండి ChangXinకి వ్యతిరేకంగా దావాలు మరియు చైనా వైపు స్పందించకపోతే ఆంక్షలు ఆశిస్తున్నారు.
సమాంతరంగా, ChangXin 17 nm ప్రమాణాలతో మెమరీని ఉత్పత్తి చేయడానికి సాంకేతిక ప్రక్రియను అభివృద్ధి చేస్తోంది. 2021లో అభివృద్ధి పూర్తవుతుందని అంచనా. బహుశా, రెండవ ChangXin ప్లాంట్ ఈ ప్రమాణాలతో DRAM స్ఫటికాల ఉత్పత్తితో పనిని ప్రారంభిస్తుంది. వాస్తవానికి, US ఆంక్షలు మరియు మైక్రోన్ యొక్క కుతంత్రాలు ఆమె మార్గంలో అధిగమించలేని అడ్డంకిగా మారితే తప్ప.
మూలం: 3dnews.ru