ดังที่เราได้รายงานไปหลายครั้งแล้ว การผลิตหน่วยความจำ 64D NAND แบบ 3 เลเยอร์จำนวนมากจะเริ่มขึ้นในประเทศจีนในช่วงปลายปีนี้ ผู้ผลิตหน่วยความจำ Yangtze Memory Technologies (YMTC) และโครงสร้างหลักอย่าง Tsinghua Unigroup ได้พูดถึงเรื่องนี้มากกว่าหนึ่งครั้งหรือสองครั้ง โดย การผลิตจำนวนมากของชิป YMTC 64 เลเยอร์ 128-Gbit อาจเริ่มได้ในไตรมาสที่สาม การกระจายตัวอย่างหน่วยความจำดังกล่าว นักวิเคราะห์ DRAMeXchange จาก TrendForce บริษัทเริ่มในไตรมาสแรกของปีนี้ ปัจจุบัน โรงงานในอู่ฮั่น ซึ่งเป็นที่ตั้งของโรงงานแปรรูปเวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 300 มม. แห่งแรกของ YMTC กำลังผลิต NAND 32D 64 เลเยอร์ 3Gbit XNUMX เลเยอร์ในจำนวนจำกัด
ผู้ผลิตในจีนไม่ได้เริ่มการผลิต 32D NAND 3 เลเยอร์จำนวนมาก และมุ่งเน้นไปที่เป้าหมายในการย้ายไปผลิตแฟลช NAND 128-Gbit 64 เลเยอร์ที่มีการแข่งขันไม่มากก็น้อยโดยเร็วที่สุด ซึ่งจะเป็นการเปิดทางสู่ปริมาณการผลิตที่โรงงาน YMTC แห่งแรกในปีหน้าที่ระดับ 60 300 มม. เวเฟอร์ต่อเดือน ปริมาณดังกล่าวไม่สามารถเทียบได้กับความสามารถของ Samsung, SK Hynix หรือ Micron ซึ่งแต่ละกระบวนการประมวลผลวัสดุพิมพ์ได้มากถึง 200 แผ่นต่อเดือน แต่ปริมาณ 3D NAND ของจีนเหล่านี้อาจทำให้แนวโน้มตลาดเชิงลบสำหรับผู้ผลิตรุนแรงขึ้น และเนื่องจาก DRAMeXchange มั่นใจว่า พวกเขาจะมีผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญต่อตลาดสำหรับหน่วยความจำ NAND และผลิตภัณฑ์ที่ใช้หน่วยความจำดังกล่าวในปีหน้าอย่างแน่นอน
อย่างไรก็ตาม ผู้แข่งขันที่ช่ำชองเองก็ทำให้ YMTC เป็นฝ่ายได้เปรียบ ในปีนี้ เพื่อลดการผลิตมากเกินไป ผู้นำตลาดจึงลดการลงทุนในการพัฒนาสายการผลิตอุตสาหกรรมและแม้แต่บางส่วน - 5-15% - เพื่อลดปริมาณการผลิตชิป 3D NAND ในปัจจุบัน ซึ่งหมายความว่าการเปลี่ยนไปใช้การผลิตจำนวนมากของ 92D NAND แบบ 96-3 เลเยอร์ แทน 64-72 เลเยอร์จะชะลอตัวลงและเลื่อนออกไปจนถึงปีหน้า นอกจากนี้ยังจะชะลอการเปลี่ยนแปลงของผู้นำไปสู่การเปิดตัว 128D NAND 3 เลเยอร์ ในทางกลับกัน YMTC ไม่เพียงแต่ไม่ลดการลงทุนเท่านั้น แต่ยังจงใจข้ามการเปิดตัว 96D NAND 3 เลเยอร์ และเริ่มผลิตหน่วยความจำ 128 เลเยอร์ทันทีในปีหน้า ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีนี้จะช่วยลดช่องว่างระหว่างจีนกับคู่แข่งในอเมริกาและเกาหลีใต้เหลือหนึ่งหรือสองปี ซึ่งไม่เป็นลางดีสำหรับผู้คร่ำหวอดในอุตสาหกรรม
ที่มา: 3dnews.ru